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Steve Knoth 《电子设计应用》2007,(12):117-120
低压差线性稳压器(LDO)长期以来被认为是低性能的廉价器件,尤其是在与相对复杂的开关稳压器相比时更是这样,不过,性能提高已经给简单和不显眼的LDO注入了新的活力。电源设计师正在从LDO性能的以下改进中获益。$压差电压更低,允许以更高效率转换。 相似文献
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《今日电子》2002,(7):7-7
白光LED与荧光灯相比具有使用简单、成本低的优势,与白炽灯相比可以提供真正的白色光,因此,其用量在最近几年呈现出稳步上升的趋势,在手持式产品中被广泛用作闪光灯、显示器背光等。当然,在实际应用中针对白光LED也存在一些有待解决的技术问题。 选用白光LED最明显的问题是产品的匹配性差,按照白光LED的典型规格,电流为20mA时正向电压的最小值为3.0V、典型值为3.5V、最大值为4.0V。显然,稳压源不是合理的解决方案。当然,利用相同的电流驱动每只LED可以获得均匀亮度,但成本很高。在许多应用中只是简单地用一个固定偏置电压和镇流电阻驱动LED,如图1所示。 相似文献
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基于电流自适应技术增强瞬态响应的特性,设计了一种超低静态电流的低压差线性稳压器(LDO)电路。通过优化提出一种自适应电流跃变电路,可实现在空载条件下的静态电流低至380nA,与传统的电流自适应电路相比,改善了电路在轻负载时的瞬态响应。采用动态电流的缓冲器增强电路的瞬态响应,同时动态电流缓冲器形成极点-极点追踪补偿的效果,并结合零点-极点追踪补偿技术保证电路稳定。采用CSMC 0.5 um工艺,通过cadence工具仿真验证,结果表明,所提出的LDO电路在输入2.5V~5V范围内,可稳定输出1.8V,最大可驱动300mA负载。在带载50mA内变化时过冲电压小于60mV。 相似文献
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LDO电路的瞬态响应能力是评价LDO性能的一个重要指标。本文借鉴电荷泵式锁相环的环路控制方法,提出了一种基于电流控制环路的LDO结构,将典型LDO电路中的电压比较改为电流比较,利用跨导放大器和环路滤波器产生功率管的控制栅压,使得环路具有优化的阻尼因子ζ和固有频率ωn,有效提高了LDO环路的瞬态响应能力,并且输出电压可以低至1V以下,且不受基准电压的限制。基于0.13μm CMOS工艺的实现结果表明,在使用1μF去耦电容,LDO输出1.0V的情况下,负载100μA→100mA瞬态变化时,输出超调5.11mV,稳定输出的压降4.25mV,稳定时间8.2μs,而负载100mA→100μA时,输出超调6.21mV,稳定输出的压降4.25mV,稳定时间23.3μs。结果表明,该电路各项性能指标均有明显的提高,FOM指数达到0.0097。 相似文献
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为了延长便携式、可穿戴医疗设备的待机时间,设计了一种具有超低静态电流的低压差(LDO)线性稳压器。采用误差放大器与基准电路相结合的结构,在降低静态电流的同时减小芯片面积;其次,利用负载检测模块,降低了空载及轻载时过温保护和过流保护等模块的静态电流。采用自适应偏置电流技术来动态调整稳压环路各支路的工作电流以及零点频率补偿方式,解决了静态功耗与瞬态响应和环路带宽间的矛盾。该LDO线性稳压器采用0.35μm CMOS工艺进行流片加工,测试结果表明,该LDO线性稳压器静态电流为700 nA,最大负载电流为150 mA,轻载与满载跳变时上过冲电压为63 mV,下过冲电压为55 mV。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2016,(4)
分析传统LDO线性稳压器限流保护电路的优缺点,提出了一种连续可调节的LDO限流保护电路,该电路可根据LDO线性稳压器工作在不同输入-输出电压条件下,调节片外的限流电阻改变极限电流的大小,实现LDO限流保护电路的限流阈值连续可调。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺模型进行电路仿真,LDO在1.8~5.0V输入电压下,输出1.2~4.5V范围内,实现了输出电流阈值从143mA到2A的连续可调节的限流保护电路。经过流片测试结果表明,此可调节限流电路简单可行,可适用于各类LDO限流保护电路中。 相似文献
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一种低静态电流、高稳定性的LDO线性稳压器 总被引:4,自引:0,他引:4
该文提出了一种低静态电流、高稳定性低压差(LDO)线性稳压器。LDO中的电流偏置电路产生30nA的低温度漂移偏置电流,可使LDO的静态工作电流降低到4A。另外,通过设计一种新型的动态Miller频率补偿结构使得电路的稳定性与输出电流无关,达到了高稳定性的设计要求。芯片设计基于CSMC公司的0.5m CMOS混合信号模型,并通过了流片验证。测试结果表明,该稳压器的线性调整和负载调整的典型值分别为2mV和14mV;输出的最大电流为300mA;其输出压差在150mA输出电流,3.3V输出电压下为170mV;输出噪声在频率从22Hz到80kHz间为150VRMS。 相似文献
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提出了一种适用于闪存的瞬态增强的无片外电容低压差线性稳压器(LDO).该LDO采用了具有超低输出阻抗的缓冲器驱动功率管和高能效基准方法,缓冲器采用并联反馈技术降低输出电阻以增强功率管栅端的摆率.高能效基准电路在静态模式输出小基准电流以减少静态功耗,而在工作模式提供大的基准电流以增加闭环带宽和功率管栅端的摆率.设计的LDO应用于采用70 nm闪存工艺制造的、工作电压为2~3.6 V和存储容量为64 M的闪存中.测试结果表明,该LDO输出的调制电压为1.8V,最大输出电流为40 mA,在没有负载的条件下仅消耗8.5μA的静态电流,在满载电流变化时,用于闪存时仅有20 ns响应时间且最大输出电压变化仅为72 mV,满足高速闪存的要求. 相似文献
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