影干涉光刻技术

采用λ／２的光束复制出了更高分辨率极限的线间图形，它将电路图形的ＣＤ尺寸极限推进到λ／４，当采用１９３ｎｍ光源曝光时，ＣＤ尺寸为５０ｎｍ以下。干涉光刻技术（ＩＬ）探讨了这种周期性图形的最终极限。影像干涉光技术未来的发展，将使光学方法１００ｎｍ 下的电路图形成为可能。     

成像干涉光刻技术与离轴照明光刻技术的对比分析

作为分辨率增强技术(RET)之一，离轴照明技术（OAI）通过调整照明方式，不但能提高分辨率还能很好地改善焦深．成像干涉光刻技术(IIL)利用多次曝光分别记录物体空间频率的不同部分，极大地提高了成像质量，其中大角度倾斜照明是对OAI的扩展．从成像原理和频域范围的角度对IIL和OAI进行了理论研究、计算模拟和对比分析．结果表明，在同样条件下，IIL相对于OAI可更好地分辨细微特征．     

无掩模激光干涉光刻技术研究

介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。     

成像干涉光刻技术与离轴照明光刻技术的对比分析

作为分辨率增强技术(RET)之一,离轴照明技术(OAI)通过调整照明方式,不但能提高分辨率还能很好地改善焦深.成像干涉光刻技术(ⅡL)利用多次曝光分别记录物体空间频率的不同部分,极大地提高了成像质量,其中大角度倾斜照明是对OAI的扩展.从成像原理和频域范围的角度对ⅡL和OAI进行了理论研究、计算模拟和对比分析.结果表明,在同样条件下,ⅡL相对于OAI可更好地分辨细微特征.     

采用梯形棱镜波前分割的激光干涉光刻技术

光学光刻技术在微细加工和集成电路(IC)制造中一直是主流技术。随着IC集成度的提高,要求越来越高的光刻分辨力,但光学光刻的分辨极限受光刻物镜数值孔径(NA)和曝光波长(λ)的限制。激光干涉光刻技术具有高分辨、大视场、无畸变、长焦深等特点,其分辨极限为λ/4,在微细加工、大屏幕显示器、微电子和光电子器件、亚波长光栅、光子晶体和纳米图形制造等领域有广阔的应用前景。阐述了激光干涉光刻技术的基本原理。提出了一种采用梯形棱镜作为波前分割元件的激光干涉光刻方法。建立了相应的曝光系统,该系统可用于双光束、三光束、四光束和五光束等多光束和多曝光干涉光刻。给出了具有点尺寸约220nm的周期图形阵列的实验结果。     

进入转折点的光刻技术

进入转折点的光刻技术ＰａｕｌＣａｓｔｒｕｃｉ，ＷｏｒｔｈＨｅｎｌｅｙ，ＷｏｌｆｇａｎｇＬｉｅｂｍａｎｎ著，ＰａｕｌｃａｓｔｅｕｃｃｉａｎｄＡｓｏｃｉａｔｅｓＩｎｃ，Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ，ｍａｓａｃｈｕｓｅｔｓ立文译在更小图形尺寸和更大片子直径的不断驱动...     

新型光刻技术研究进展

集成电路光刻作为传统光刻技术的典型代表，支撑着集成电路芯片的快速发展。新一代光刻技术具有工艺多样化、光刻精度高、光刻效率高的优点，在研发新型光电子器件、实现3维微纳结构、构建有序纳米孔通道等方面有很大的潜力。回顾了近些年来涌现的多种新型光刻技术，分析了各自的特征及在新型纳米电子、光子器件、能源、传感等领域中的应用。对未来光刻技术的发展方向进行了展望。     

道康宁公司电子部推出XR-1541电子束光刻剂聚集下一代光刻技术

2008年6月27日全球材料、应用技术及服务综合供应商美国道康宁公司电子部（Dow Corning Electronics）的硅晶片光刻解决方案事业部宣布正式开始供应Dow Coming（r）XR-1541电子束光刻剂,该产品是专为实现下一代、直写光刻工艺技术开发所设计。这一新型先进的旋涂式光刻剂产品系列以电子束取代传统光源产生微影图案,可提供图形定义小至6nm的无掩模光亥4技术。     

基于激光干涉光刻技术的产品防伪包装设计研究

为了提高产品防伪包装设计效果,提出基于激光干涉光刻技术的产品防伪包装设计方法。利用光纤耦合激光传输控制多光束干涉信息,基于光纤波导分束形成技术,集成处理光束传播路径,基于光束振幅、相位和偏振联合调制方法,提取产品防伪包装的防伪状态特征量,基于振幅型或相位型的微结构衍射单元阵列传输方法,构建激光干涉光刻模型,实现四光束、五光束和六光束的多光束激光防伪。测试结果表明,所提方法的被篡改率最低为0.05%,解密时间较短,均在30 ms左右,MSE为0.673%,PSNR为47.40 dB,SSIM为0.975,采用该方法进行产品防伪包装设计,提高了产品的激光防伪能力,降低被篡改率。     

接近式光刻对准中的叠栅干涉测角方法

干涉测量是众多科学与工程领域广泛采用的精密计量手段。探索了一种方便可控的基于双光栅衍射的叠栅干涉相敏测角方法,可直接用于接近式光刻过程中掩模衬底的倾斜矫正及面内角调节,便于微纳米器件及微光电子系统集成等相关应用。本方法旨在分别利用双光栅多次衍射产生的对称与相似级次,实现(m,-m)级叠栅干涉与(m,0)级叠栅干涉,产生相位与二者相对倾斜角、面内角有关的场分布。分析推导了叠栅干涉测角的基本原理,然后介绍相应的(m,-m)级与(m,0)级干涉测角方案设计。具体而言,二者均类似地根据条纹偏转及频率变化分别以离轴与同轴的方式监测倾斜及面内偏转角度。设计相应的组合光栅标记进行实验验证。实验结果及分析表明,倾斜角与面内角的调节精度分别可达10-3 rad及10-4 rad。     

超紫外线光刻技术发展缓慢Intel目光转向反向光刻技术

由于超紫外线光刻技术（extreme ultraviolet，EUV）的发展迟缓，Intel透露正在开发一种可能将光学扫描仪扩展到22nm制造节点的可制造性设计。 Intel正在开发的这种计算光刻（computational lithography）是一种反向光刻技术。反向光刻、EUV和二次图形曝光技术是Intel正在为22nm制造节点进行评估的光刻技术。     

ASML推出新款光刻系统成就两次图形曝光技术

据Semiconductor Reporter报道，ASML Holding NV日前在日本推出了新的193nM光刻系统Twinscan[第一段]     

基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术研究进展

随着器件特征尺寸的不断减小,传统光刻技术的加工分辨率受限于衍射极限已接近使用化技术的理论极限且成本过高。无掩模光刻技术是解决掩模价格不断攀升而引起成本过高的一种潜在方案,以成本低、灵活性高、制作周期短的特点在微纳加工、掩模直写、小批量集成电路的制作等方面有着广泛的应用。基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术在提高分辨率和产出率方面取得了一定的进展,理论和实验上均取得了较好的效果。详细归纳介绍了基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术的原理、特点以及研究进展。     

应用材料推出光刻空间成像技术

应用材料公司近日推出Aera2 for Lithography系统。半导体制造商通过运用该系统的IntenCD技术可以提升硅片的临界尺寸一致性（CDU）超过20％，增加器件的良率并降低每片硅片的图形曝光成本。此外，Aera2 for Lithography系统可以延长光掩膜的寿命并提高整个光刻区域的生产力。     

光镊加入纳米光刻技术：成本低速度快

美国科学家发展了一种可以将纳米尺寸图案直接写入基板的平行制程,这项简单的光学技术是利用一道激光将微透镜片阵列（Microlense array）捕捉住,然后以另一道激光来制造间隔为100nm、误差在15nm内的微结构。普林斯顿大学的Craig Arnold表示,此技术可望发展成一种低成本的纳米光刻技术,     

光刻设备市场与技术现状

由于半导体制造工艺的快速推进,工艺节点已进入90nm的时代承担90nm工序的是波长193nm的ArF曝光设备.2003年的ArF曝光设备供货数量约为75台.虽然数量比ArF及i线半导体曝光设备要少,但却在稳步增长.     

迎接挑战的先进光刻技术——《半导体国际》第二届“光刻技术研讨会”

光刻是半导体制造工艺中最为重要的步骤之一，决定了整个IC工艺的技术水平。随着半导体技术沿着ITRS继续向前发展，新的先进光刻技术也逐渐从理论走向实践，与之相应的新材料的研发和应用也从未间断。光刻技术正变得更加复杂．特征尺寸的减小对于光刻是机遇也是挑战。浸没式光刻在近几年内得到了迅猛的发展，已经从实验室向大批量生产迈进．前景怎样？193纳米光刻还能走多远？先进光刻技术如何应对更小节点尺寸。     

光刻技术新进展

[编者按]半导体技术经过半个多世纪的发展,现在仍继续遵循Moore定律保持着强劲的发展态势,片径已达300mm,并不断在向450mm迈进,据预测,在新技术推动下到2010年后直径将达到450mm.大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本成为IC产品发展的趋势,随着集成度的提高,芯片制造中最关键的制造工艺--光刻技术也面临着愈来愈多的难题.     

制作亚50nm L/S图形的极紫外纳米光刻技术

极紫外光刻技术 (EUVL ,λ =1 3.4nm)是为小于 70nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术 (NGL)。在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外光刻系统中 ,极紫外光源是由电子存储环中的波动器产生 ,为极紫外干涉光刻 (EUV -IL)提供了瞬间空间相干光源。其成像系统采用了一个洛埃镜干涉仪。用EUV -IL制作的高分辨力图形进行极紫外光刻的抗蚀剂特性研究。验证了用EUV光源的干涉光刻技术制作 1 9nm线 /间 (L/S)条纹图形 ,同时报告了采用EUV -IL技术开发亚 50nm密集线 /间图形的进展 ,并开始向制作 1 2 0nm多晶硅栅图形过渡     

光刻技术及其应用的状况和未来发展

光刻技术及其在产业中的开发应用一直是业界人们关注的焦点之一,概述了目前几种具有潜力的光刻机技术及其应用的状况,同时通过对相关光刻的技术性和经济性比较,简述了其未来的发展。