La0.67Ca0.33Mno3—δ体材料的巨磁电阻特性

利用高温烧结法制备了多晶立方结构的Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ＭｎＯ３－δ体材料。材料的居里温度（Ｔｃ）为２８０Ｋ，其金属－半导体转变温度（Ｔｐ）为２７０Ｋ，接近于Ｔｃ。外加磁场下的磁电阻（ＭＲ）峰值温度与Ｔｐ十分接近。外加磁场为０．６Ｔ和５Ｔ时，材料的ＭＲ峰置分别过到４０％和７６％，材料具有显著的巨磁电阻效应，在液氮温度附近，也观察到了相当大的磁电阻效应。     

脉冲激光法外延生长锰氧化物薄膜

利用脉冲激光法在ＬａＡｌＯ３衬底上外延生长了Ｌａ－Ｃａ－Ｍｎ－Ｏ、Ｌａ－Ｓｒ－Ｍｎ－Ｏ等巨磁电阻薄膜,测定了这些薄膜电阻－温度特性,观测到了其铁磁转变及巨磁电阻效应,实验发现,较高的淀积温度使薄膜的峰值转变温度Ｔｐ降低,峰值电阻率增大,而高温后退火则具有相反的效果,分析比较了多种因素对薄膜生长与性能的影响及其机理。     

La-Ca-Mn-O巨磁电阻薄膜的电阻变化

研究了类钙铁矿结构La0.67Ca033MnOx巨磁电阻薄膜(生长在LaAlO3衬底)的电阻变化,观察到负巨磁电阻效应,讨论了优化制备工艺提高巨磁电阻效应和最大电阻温度,其效应可用于设计新电磁器件。同时讨论了巨磁电阻效应的机理,给出合理解释。     

巨磁电阻效应

介绍了巨磁电阻效应的概念和研究意义,对金属及其合金的磁电阻效应、负巨磁电阻效应以及正磁电阻效应产生的机理进行了简要分析,并展望了巨磁电阻效应未来的研究。     

氧化物La-Ca-Mn-O巨磁电阻薄膜的制备及其结构特性的研究

采用磁控溅射方法在ＺｒＯ２（００１）、Ｓｉ（００１）和玻璃衬底上成功地制备了ＬａＣａＭｎＯ（以下简称为ＬＣＭＯ）巨磁电阻薄膜。Ｘ－射线分析表明，ＺｒＯ２的晶格常数与ＬＣＭＯ的晶格常数失配虽然较大，仍可得到较好的ＬＣＭＯ薄膜。在Ｓｉ片上难以制备出致密完整的ＬＣＭＯ薄膜，其原因有待查明。玻璃衬底上可以获得纯相的ＬＣＭＯ巨磁电阻薄膜，在ＺｒＯ２衬底上制备的ＬＣＭＯ薄膜，其巨磁电阻效应在１５０Ｋ，３０００Ｇａｕｓ下达１３％左右。     

锰氧化物的巨磁电阻效应的探索

概述了锰氧化物的巨磁电阻效应的研究进展,讨论了锰氧化物的结构特点,电磁特性以及可能的导电机理。在Ｌａ１－ｘＡｘＭｎＯ３中,当阳离子Ｌａ被二价的Ａ离子部分替代时,部分Ｍｎ＾２＋转变为Ｍｎ４＋离子,形成Ｍｎ＾２＋／Ｍｎ＾４＋混合价态,改善了材料的电导,并由此而产生了ＣＭＲ效应。     

巨磁电阻多层膜结构的研究进展

归纳了巨磁电阻效应发现以来在各种合金体系中出现的巨磁电阻多层膜材料,对其性能和晶体结构进行了对比分析,着重从界面粗糙度、元素混合和晶体学织构等方面,评述了巨磁电阻多层膜结构的国内外研究现状,讨论了各种结构参数对巨磁电阻效应的影响。     

NiFe／Cu和NiFe／Mo多层膜的界面结构与巨磁电阻

采用磁控溅射方法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ和ＮｉＦｅ／Ｍｏ多层膜。测量了厚度不同的Ｃｕ层和Ｍｏ层多层膜的磁性和磁电阻,并用电镜分析了部分ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜样品。测量到ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜的室温巨磁电阻随Ｃｉ层厚度振荡的第一、二、三峰。而在ＮｉＦｅ／Ｍｏ多层膜中未发现巨磁电阻效应。讨论了多层膜的界面结构对巨磁电阻效应的影响。     

金属有机物分解法制备的La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_z薄膜的磁输运特性

利用金属有机物分解法在石英衬底上制备了多晶Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ＭｎＯｘ薄膜。研究了薄膜输运特性及其与温度的关系,发现薄膜的金属一半导体转变温度Ｔｐ（约１７２Ｋ）远低于其居里温度（约２４７Ｋ）;在平行于膜面的ＩＴ磁场下,７７Ｋ～３０２Ｋ温度范围内,没有磁电阻（ＭＲ）峰,而是在Ｔｐ温度以下,有一定的平台,平台处ＭＲ值约为２１％～２４％,在Ｔｐ温度以上,ＭＲ随温度上升而迅速降低;在７７Ｋ温度下,薄膜具有显著的低场磁电阻效应。上述磁输运特性与载流子在晶界附近的输运行为如强的自旋相关散射和晶粒间自旋极化隧道效应等有关。在７７Ｋ温度下,还观察到了退磁效应引起的磁电阻垂直各向导性。     

氧化物La—Ca—Mn—O巨磁电阻薄膜的制备有其结构特性的研究

采用磁控溅射方法在ＺｒＯ２（００１），Ｓｉ（００１）和玻璃衬底上成功地制备了Ｌａ－Ｃａ－Ｍｎ－Ｏ巨磁电阻薄膜。Ｘ－射线分析表明，ＺｒＯ２的晶格常数与ＬＣＭＯ的晶格常数失配虽然较大，仍可得到较好的ＬＣＭＯ薄。膜。在Ｓｉ片上难以制备出致密完整的ＬＣＭＯ薄膜，其原因有待查明。     

La1-xCaxMn1.03O3外延薄膜的巨磁电阻效应

研究了用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法在ＬａＡｌＯ３（１００）衬底上制备的Ｌａ－１ｘＣａｘＭｎ１．０３Ｏ３外延薄膜的磁电阻效应。ｘ在０．２～０．６２１范围内变化,外延薄膜的电阻率与温度的关系从类半导体行为向金属导电行为转变。在ｘ≥０．５的４个样品中没有发现电荷有序绝缘体（ＣＯＩ）和反铁磁绝缘体（ＡＦＩ）现象。ｘ＝０．２样品在１．５Ｔ磁场下磁电阻率ＭＲ的最大值为１０＾４％、磁转变温度为２３０Ｋ。     

Si作过渡层的Co/Cu/Co三明治膜中高灵敏度巨磁电阻效应和平面内磁各向异性

用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Ｓｉ 为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Ｓｉ 过渡层厚度达到０．９ｎｍ 时,三明治膜中开始出现较强的平面内磁各向异性。在Ｓｉ１．５ｎｍ／Ｃｏ ５ｎｍ／Ｃｕ ３ｎｍ／Ｃｏ ５ｎｍ结构中,在其易轴上得到了５ ．５％ 的巨磁电阻值和０．９ ％／Ｏｅ 的高磁场灵敏度。研究了过渡层Ｓｉ／Ｃｏ 界面之间的相互扩散,发现在过渡层Ｓｉ 与Ｃｏ 层间形成了ＣｏＳｉ 化合物。这个硅化物界面层诱导了三明治膜的平面内磁各向异性,从而导致了易轴上高灵敏度巨磁电阻效应。     

有机磁电阻效应研究进展

介绍了近年国际上在π共轭有机半导体中新发现的有机磁电阻效应(Organic magnetoresistance,O-MAR)实验和理论的研究进展,展望了有机磁电阻效应的应用和研究.有机磁电阻效应不仅具有各向同性、常温下大磁电阻率和高磁场灵敏度的特点,而且不同于传统的磁电阻效应和目前广泛研究的巨磁电阻效应(Giant magnetore-sistance,GMR),其结构中不包含磁性材料也没有外部极化自旋的注入,是有机半导体的一种内禀性质.     

NiO/Co/Cu/Co自旋阀中反铁磁NiO层钉扎作用的研究

本文通过研究不同方向外加磁场下ＮｉＯ７０ｎｍ／Ｃｏ ５．５ｎｍ／Ｃｕ ３．５ｎｍ／Ｃｏ ５ ．５ｎｍ 自旋阀结构中磁电阻的变化,探讨了ＮｉＯ 反铁磁层对相邻的Ｃｏ 层的钉扎作用。研究发现,材料中的钉扎方向是唯一确定的,只有沿着钉扎方向反向增大外场,才能获得高的巨磁电阻效应和磁灵敏度。     

La_(1-x)Ca_xMnO_3低温高磁场下的电脉冲诱导电阻转变效应

对La1-xCaxMnO3(x=0.3,0.5)多晶材料的巨磁电阻效应及低温高磁场下的电脉冲诱导电阻可逆变化(EPIR)效应进行了研究,并对两者之间的区别进行了分析.实验结果表明,La1-xCaxMnO3(x=0.3和0.5)多晶材料在低温高磁场下仍具有EPIR效应,电阻在相同电脉冲下的变化率不随温度和施加磁场与否发生变化,表现出不同于巨磁电阻效应的变化规律.结合之前的研究结果,发现巨磁电阻效应是由于磁场造成磁矩的有序并继而造成电子的退局域化引起的,而EPIR效应则是由于电脉冲诱导氧离子迁移,导致载流子浓度变化引起的.     

CoxAg100—x颗粒膜的巨磁电阻效率及其物理机制研究

用超高真空电子束蒸发沉积方法制备了ＣｏｘＡｇ１００－ｘ颗粒并研究了的巨磁电阻（ＧＭＲ）效应。实验结果表明：１５０ｋＯｅ外磁场下，玻璃衬度上制备态Ｃｏ３９－Ａｇ６１颗粒膜室温ＧＭＲ效应值高达２０．２％，并随氮气中退火温度上升而单调减小，颗粒膜的的电阻与其磁化强度直接相关，可用四次多项式偶函数来描述。     

NiO／Co／Cu／Co自旋阀中反铁磁NiO钉扎作用的研究

本文通过研究不同方向外加磁场下ＮｉＯ７０ｎｍ／Ｃｏ５．５ｎｍ／Ｃｕ３．５ｎｍ／Ｃｏ５．５ｎｍ自旋阀结构中磁电阻的变化,探讨了ｉＯ反铁磁层对相邻的Ｃｏ层的钉扎作用。研究发现,材料中的钉扎方向是唯一确定的,只有沿着钉扎方向增大外场,才能获得高的巨磁电阻效应和磁灵敏度。     

磁性多层膜的正巨磁电阻特性

采用离子束溅射方法制备了正巨磁电阻多层膜，在制备过程中采用外加磁场和退火处理。在室温条件下多层膜的巨磁电阻效应达到200％～300％，并用磁矩取向的双电流导电模型对正磁电阻的机理进行了解释。     

Co—Fe—Si—B非晶丝的巨磁阻抗效应研究

用旋转水中纺丝法制成几种不同直径的（Ｃｏ０．９４Ｆｅ０．０６）７２．５Ｓｉ１２．５Ｂ１５非晶丝,对丝进行张力退火后,测试了非晶丝热处理前后的磁阻抗性能。结果表明制成的非晶丝具有明显的巨磁阻抗效应,且巨磁阻抗效应随电流频率不同而表现出正磁阻抗和负磁阻抗两种规律。张力退火对正磁阻抗效应有明显改善,而且对直径小的试样,阻抗对轴向外磁场变化的灵敏度更高。实验得到的最大灵敏度为１２４％／Ｏｅ。     

薄膜巨磁电阻效应及其研究进展

叙述了巨磁电阻效应的两种基本结构--颗粒膜和多层膜.分析了两者的异同、制备方法以及近年来的一些研究成果.在实际测量巨磁电阻效应过程中外界因素对其有很大影响,讨论了如磁场强度、温度、磁性颗粒形状、大小、分布情况、界面构型、非磁性层或颗粒与磁性层或颗粒对测量磁电阻效应数值的影响及其机制.