高压脉冲电晕放电氮等离子体的分子束质谱诊断研究

克服强电磁场干扰，以具有三级差分抽气系统的分子束质谱为手段，对线板式高压脉冲电晕放电Ｎ２等离子体阴极板区的正离子成分进行了首次诊断研究。发现在各种实验条件下，Ｎ＾＋离子流强度均显大于Ｎ２＾＋；Ｎ＾＋及Ｎ２＾＋离子流强度随放电电压、放电频率升高而增大，随放电室气压变化则存在一极值。对Ｎ２等离子体中所包含的主要基元物理－化学过程进行了讨论。     

氮氧混合气体高压脉冲电晕放电等离子体的分子束质谱诊断研究

利用具有三级差分抽气系统的分子束质谱仪为检测手段 ,对N2 ,O2 混合气体的线板式高压脉冲电晕放电等离子体阴极板区的正离子成分进行了诊断研究。实验结果表明 :在放电反应室N2 ,O2 混合气体压力 1330～ 332 5Pa ,峰值电压 4～10kV及放电重复频率 10～ 10 0Hz范围内 ,N+ 2 和O+ 流强相当 ,N+ 流强约为N+ 2 流强的 2～ 10倍。N+ ,N+ 2 和O+ 流强随脉冲峰值电压、放电重复频率的升高而增大 ,随放电气压的变化则存在一极值     

高压脉冲电晕放电氮等离子体的分子束质谱诊断研究

克服强电磁场干扰 ,以具有三级差分抽气系统的分子束质谱为手段 ,对线板式高压脉冲电晕放电N2 等离子体阴极板区的正离子成分进行了首次诊断研究。发现在各种实验条件下 ,N 离子流强度均显著大于N 2 ;N 及N 2 离子流强度随放电电压、放电频率升高而增大 ,随放电室气压变化则存在一极值。对N2 等离子体中所包含的主要基元物理 化学过程进行了讨论     

脉冲电晕等离子体烟气脱硫工业试验研究

利用建造在四川绵阳科学城热电厂的最大烟气处理量为20000m^3/h的脉 冲电晕等离子体烟气脱硫工业中试验装置，研究了影响脱硫效率的因素，获得了最佳工艺参数。研究结果表明，当烟气温度在65－70℃，烟气水分含量约10％，氨硫化学剂量比为1：1，烟气停留时间大于6s、能耗 低于5Wh/Nm^3等条件下，脱硫率达85％以上。     

三级差分抽气分子束质谱装置的设计和研究

研制了具有三级涡轮分子泵差分抽气系统的分子束质谱装置 ,该装置在 1330 0Pa典型气体采样压力下 ,三级差分抽气区的压力分别达到 5× 10 - 1,3× 10 - 3,1 2× 10 - 4Pa。利用该装置 ,已成功地实现了对活性离子物种N 和N 2 的“原位”检测     

三级差分抽气分子束质谱装置的设计和研究

研制了具有三级涡轮分子泵差分抽气系统的分子束质谱装置,该装置在１３３００Ｐａ典型气体采样压力下,三级差分抽气区的压力分别达到５×１０＾－１,３×１０＾－３,１．２×１－＾－４Ｐａ。利用该装置,已成功地实现了对活性离子物种Ｎ＾＋和Ｎ２＾＋的“原位”检测。     

空气中脉冲电晕放电N2（C3Ⅱu—B3Ⅱg）发射光谱的实验研究

在常温常压下，利用发射光谱法测量了正脉冲、负脉冲及双极性脉冲电晕放电N2(C3Ⅱu-B3Ⅱg)发射光谱相对强度沿线一筒式反应器的径向分布，得到了高能电子(≥11．03eV)密度沿线一筒式反应器的径向分布情况和随电压升高而增大的线性变化关系，并对三种不同脉冲形式进行了比较。     

空气中脉冲电晕放电N2(C3∏u-B3∏g)发射光谱的实验研究

在常温常压下,利用发射光谱法测量了正脉冲、负脉冲及双极性脉冲电晕放电N2(C3∏u-B3∏g) 发射光谱相对强度沿线-筒式反应器的径向分布,得到了高能电子(≥11.03eV)密度沿线-筒式反应器的径向分布情况和随电压升高而增大的线性变化关系,并对三种不同脉冲形式进行了比较.     

泡沫电介质中高压脉冲放电的破岩机理研究

针对水介质中压力冲击波在破碎岩石方面的应用,研究高压脉冲放电在泡沫电介质中的放电机理。根据不同电介质的电离特性配比了两种阴阳离子的泡沫电介质,数值模拟分析了在不同电介质环境下高压脉冲放电时的冲击压力变化规律。运用气泡动力学方程分析了气泡在放电过程中的爆破形态,分析了不同放电电压、放电间隙等条件对气泡爆破形态的影响规律。并进行了初步室内实验,验证了泡沫作为电介质实现高压脉冲放电破碎岩石的可行性。由于泡沫可产生空泡效应,能增加爆破效果,而且泡沫在防漏、密封性能要求等方面都优于水介质,具有更广阔的应用前景。     

泡沫电介质中高压脉冲放电的破岩机理研究

针对水介质中压力冲击波在破碎岩石方面的应用,研究高压脉冲放电在泡沫电介质中的放电机理。根据不同电介质的电离特性配比了两种阴阳离子的泡沫电介质,数值模拟分析了在不同电介质环境下高压脉冲放电时的冲击压力变化规律。运用气泡动力学方程分析了气泡在放电过程中的爆破形态,分析了不同放电电压、放电间隙等条件对气泡爆破形态的影响规律。并进行了初步室内实验,验证了泡沫作为电介质实现高压脉冲放电破碎岩石的可行性。由于泡沫可产生空泡效应,能增加爆破效果,而且泡沫在防漏、密封性能要求等方面都优于水介质,具有更广阔的应用前景。     

高压对高功率脉冲磁控放电等离子体注入与沉积氧化钒薄膜的影响

利用高功率脉冲磁控放电等离子体注入与沉积技术制备了氧化钒薄膜,分别采用X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜和电化学分析仪研究了不同高压幅值对氧化钒薄膜的相结构、表面形貌、截面形貌以及耐腐蚀性能的影响。结果表明制备的氧化钒薄膜以VO2(-211)相为主,还含有少量的VO2(111)、VO(220)、VO(222)相。不同高压下氧化钒薄膜表面致密、平整,其表面粗糙度仅为几个纳米,显示出良好的表面质量。氧化钒薄膜表现出典型致密的柱状晶生长形貌,且随着高压增加,氧化钒薄膜膜层厚度有所下降。氧化钒薄膜耐腐蚀性能较纯铝基体有较大提高,腐蚀电位提高0.093V,腐蚀电流下降1～2个数量级;当高压为-15kV时,氧化钒薄膜腐蚀电位最高,腐蚀电流最低,表现出最佳的耐蚀性能。     

基于质谱诊断的C4H8/H2等离子体状态在放电腔室的径向分布研究

利用质谱研究了不同工艺参数下C_4H_8/H_2等离子体的离子组分和能量的径向分布规律,并分析了CH片段的裂解与聚合过程。结果表明,当工作压强较低时(≤7Pa),小分子CH片段的相对密度随径向距离的增大而逐渐减小,大分子CH片段则逐渐增多;随着工作压强的增大,CH片段的相对密度达到极值所对应的径向距离逐渐增大。当射频功率一定时,小分子CH片段的相对密度随径向距离增大而减小,大分子CH片段则逐渐增多。此外,离子能量随径向距离的增大均呈现出逐渐减小的趋势。当工作压强为3Pa、射频功率为20 W时,C_4H_8/H_2等离子体中CH片段的径向分布最均匀,有利于提高辉光放电聚合物薄膜结构与组分的均匀性。