海力士发表40纳米制程绘图芯片DRAM

韩国存储器厂海力士于近日发表40纳米制程2GbGDDR5绘图芯片DRAM,工作频宽为7Gbps,32位I／O信道,数据处理速率每秒28GB／s,电压为1．35V。新推出的GDDR5绘图DRAM采用海力士40纳米制程制造,体积小,功耗比50纳米制程产品下降20％。海力士预计在2010年下半开始量产新款GDDR5DRAM。     

英特尔开始研发7纳米和5纳米制程工艺

英特尔首席执行官保罗·欧德宁（PaulOtellini）日前表示，英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外，英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部署14纳米制程生产线。欧德宁表示：“我们的研发已非常深入，面向未来10年。”他透露，英特尔对7纳米和5纳米制程技术的研究仍在按原定时间和目标稳步推进。     

IMFT推出20纳米制程的NAND闪存

近日,由英特尔（Intel）与美光（Micron）合资成立的IMFlashTechnology（IMFT）推出以20纳米制程生产之128GBNAND闪存。两家公司的20纳米制程的64GBNAND闪存也将进入量产;128GBNAND闪存预计于2012年进行量产。     

三星开发出全球最小DRAM内存芯片 速度提升10%

三星电子20日宣布,公司已开始通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片,此芯片为'全球最小'的DRAM芯片,扩大了领先对手的优势。在半导体业务的推动下,三星今年的营业利润有望创下纪录。与第一代10纳米级工艺相比,第二代工艺的产能提高30%。     

英特尔下一代65纳米工艺制程投入使用

英特尔公司宣布制造出基于65纳米技术(下一代半导体批量制造工艺)的全功能SRAM (静态随机存储器)芯片这种65纳米制程融合了高性能、低功耗晶体管、第二代英特尔应变硅、高速铜互连以及低-K电介质材料。采用65纳米制程生产芯片能够将当前单个芯片上的晶体管数量再翻一番。高级晶体管:英特尔新的65纳米制程将采用门长度仅35纳米的晶体管,这是当前开始量产的尺寸最小、性能最高的CMOS晶体管。相比之下,今天最先进的晶体管(用于英特尔奔腾4处理器)其门长度仍有50纳米长。更小更快的晶体管是制造速度更快的处理器不可或缺的构建模块。应变硅(…     

中芯国际今年芯片产能目标减至每月15．5万片

晶圆代工大厂台积电对外宣布，该公司90纳米Nexsys制程技术为多家客户量产芯片，在2004年第四季中每个月的90纳米12口晶圆出货量已达数千片，2005年将扩大产能以因应客户对此先进制程技术的需求；这些客户包括Altera及Qualcomm等公司，也包括一些整合组件制造商(IDM)。     

Tensilica力倡IP标准化

英特尔公司就日前正致力开发其高性能65纳米（nm）逻辑制程的超低功耗版，以支持面向移动平台和小型设备的超低功耗芯片的生产。这种超低功耗制程将会是英特尔第二代基于65纳米制造技术的芯片制程。     

美芯片商Xilinx将出售全新90纳米可编程芯片

美国芯片设计业者 Xilinx表示 ,将把其新一代可编程芯片的样品出售给客户 ,新产品系采用能降低成本的全新制程。该芯片可允许电子、汽车等制造商为特定用途进行编程。Xilinx表示 ,新芯片采用新的 90纳米制程 ,将会在今年第二季量产。半导体制造商正竞相要提供 90纳米制程的新产品 ,该制程可在愈来愈小的芯片上纳入更多的晶体管 ,以带来显着的成本优势。德州仪器和英特尔均已宣布 ,将在今年内推出采用 90纳米制程的芯片。但与可编程芯片不同的是 ,这两家公司的产品主要是针对无特殊用途芯片编程需求的客户。在可编程芯片市场与 Xilinx竞争…     

技术动态

IBM携手TDK开发大容量MRAM芯片，三星50纳米DRAM获Intel认证，我国自主硅基液晶（LCOS）光学引擎量产,飞兆半导体设立全球功率资源中心,台积电90纳米量产Xbox绘图记忆体,英特尔计划在越南构建芯片工厂.[编者按]     

台积电率先量产40纳米制程

台积电近日表示,40纳米泛用型（40G）及40纳米低耗电（40LP）制程正式进入量产,成为专业集成电路制造服务领域第一个量产40纳米逻辑制程的公司。40纳米制程是目前半导体产业最先进的量产制程,在全球消费性电子、行动通讯以及计算机市场下一世代产品的开发上将扮演关键角色。台积电40纳米泛用型及40纳米低耗电制程都已经通过制程验证,也按原订计划产出首批芯片,     

三星加大半导体制程技术研发力度

韩国三星公司最近显著加大了逻辑芯片制造技术的研发力度,该公司最近成立了新的半导体研发中心,该中心将与三星现有的内存芯片制程技术研发团队一起合作,进行新半导体材料、晶体管结构以及高性能低功耗半导体技术的研发。另一方面,三星旗下的芯片厂除了正在积极准备45nm制程芯片的量产,同时作为IBM技术联盟的一员,也在积极研发下一代32nm／28nm制程技术．     

新产品速递

正英特尔14nm工艺Skylake CPU架构2015年量产英特尔在旧金山IDF开发者峰会上正式公开展示了第二代14nm工艺CPU架构Skylake,并于2015年开始量产。作为该公司Tick-Tock发展策略的一部分,Skylake将是针对当前的CPU微架构进行修改后的版本。同样令人关注的14纳米Broadwell芯片,英特尔方面证实不仅有Core M版本,2015年还会推出酷睿i3、i5和i7版本。英特尔公司Kirk Skaugen表示,Skylake将带来性能、续航、以及功耗方面的"显著提升"。与     

英特尔14纳米芯片进入实验室测试

英特尔北欧地区总经理帕特·布莱默（PatBliemer）近日表示,其14纳米制程工艺芯片已经完成设计,进入实验室测试。     

全球半导体厂资本支出大幅增加

正2014年半导体产业看好,各厂纷纷调升资本支出,半导体三巨头台积电、三星电子(SamsungElectronics)、英特尔(Intel)资本支出维持高位,GlobalFoundr-ies、SK海力士(SKHynix)、中芯国际、东芝(Toshiba)、华亚科、华邦等也都调升资本支出,晶圆代工厂产能满载,DRAM和NANDFlash产业未来一年内也是供需健康,芯片价格走扬。晶圆代工厂2013年资本支出即明显攀升,2014年眼见先进制程的战局越来越激烈,28纳米产能吃紧,20纳米制程加入战场,16/14纳米制程也将拉开战场,各大半导体厂资本支出战争更是不手软。     

英特尔大连芯片厂将采用65纳米制程技术

英特尔公司近日宣布,正在建设中的大连芯片厂（Fab68）将采用65纳米制程技术,这座全新的300毫米晶圆厂在2010年建成投产后,将生产制造先进的芯片组产品。大连芯片厂总经理柯必杰表示：“大连芯片厂的建设没有受到全球经济衰退的影响,工厂将于2010年如期建成投产。     

18英寸硅片时代来临？

业界对于未来半导体进步的动力，在继续缩小尺寸方面45纳米制程己量产。对于32纳米制程，用193纳米浸没式光刻机及利用两次图形成像技术，虽然成本稍高但技术上己没有阻碍，英特尔、IBM包括台积电等都声称已有试制样品。至于能否进入22纳米制程．在EUV技术可能推迟至2011年之后的情况下，业界似乎都确信，目前的光学光刻方法有可能延伸至22纳米。而对于硅片直径由12英寸过渡到18英寸，分歧则很大。     

新制程 “芯”动力

全球知名的芯片厂商Intel公司,3月17日在中国发布了新一代的酷睿微体系架构的32纳米制程工艺智能服务器处理器——英特尔至强处理器5600系列（其研发代号为Westmere-EP）。这也宣告了32纳米处理器时代的正式来临。     

0.13微米制程的笔记本

英特尔公司于1月22日发表7款采用英特尔0.13微米制程技术的新笔记本处理器。英特尔目前已将所有笔记型处理器产品完全转移至0.13微米的制程技术。由于这项芯片制程技术能产出更小的芯片,因此能减少耗电量及产品体积,效能也相对提高。英特尔3款     

瞄准高端服务器市场2005年英特尔将出双核芯片

英特尔计划开始一项重大技术创新 ,即 ,将两片Itanium芯片集成到一个硅片上。在高端网络服务器上 ,通常采用两个或多个处理器共同分担计算任务。随着芯片制造工艺的发展 ,芯片制造商可以把两个处理器合成一个 ,集成到单一的硅片上 ,这样就使芯片的价格更低 ,从而更具有竞争力。英特尔预计到 2 0 0 5年可以做到这点 ,并称英特尔有两种实现途径 :通过该公司下一代 90纳米工艺或者采用更先进的 65纳米工艺。迄今为止 ,只有 IBM销售这种“双核”芯片服务器 ,然而 ,Sun和惠普公司也正在紧锣密鼓地开发各自的相关产品 ,并预计在明年推出。不同于…     

业界要闻

英特尔和盛博科技加强嵌入式应用领域创新；珠海炬力欲收购竞争对手；中芯国际和香港应科院推出首款双模专用芯片； 应用材料西安全球开发中心启用太阳能发电系统；中芯国际和晶晨半导体成功量产90纳米数码相框芯片.