Verilog—A：非线性器件模型

科锐公司推出适用于GaN无线射频器件的新Verilog-A非线性器件模型，该模型专为安捷伦的ADS以及AWR的Microwave Office等领先无线射频设计平台而研发。器件模型能够支持更为复杂的电路仿真，包括新宽带调制包络分析和4G蜂窝通信的多模式无线射频功率放大器。     

科锐开发出两项新型GaN RF MMIC工艺技术

正科锐公司宣布推出两项新型GaN工艺:0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50V的G50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度,与传统技术相比,能够实现更小尺寸裸芯片和更紧凑、更高效率放大器。两项新技术均与科锐业经验证的GaN单片式微波集成电路(MMIC)技术相兼容,可应用在具有全套无源电路元件和非线性模型的直径为     

华虹半导体推出0.2微米射频SOI工艺设计工具包

华虹半导体有限公司推出全新的0.2微米射频SOI(绝缘体上硅)工艺设计工具包(Process Design Kit,PDK)。这标志着新的0.2微米射频SOI工艺平台已成功通过验证,并正式投入供客户设计开发使用。工艺设计工具包(PDK)的推出可协助客户快速完成高质量射频器件的设计与流片。华虹半导体的0.2微米SOI工艺平台是专为无线射频前端开关应用优化的工艺解决方案。相比基于砷化镓(Ga As)和蓝宝石(SOS)衬底的射频开关设计,SOI可以使客户在获得优秀性能和扩展能力的     

科锐推出150毫米4H N型碳化硅外延片

科锐公司日前宣布推出高品质、低微管的150毫米4H N型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片,从而继续引领碳化硅材料市场的发展。此项最新技术能够降低设备成本,并能够利用现有150毫米设备工艺线。新型150毫米外延片拥有高度均一的厚度为100微米的外延层,并已开始订购。碳化硅是一种高性能的半导体材料,被广泛应用在照明、功率器件和通讯器件产品的生产中,包括发光二级管(LED)、功率转换器件以及无线通讯用射频功率晶体管等。150毫米单     

先进无线射频前端器件推动无线应用的普及

近日来产业界不断地在市场上推出各种各样的无线射频器件,这些先进的无线射频器件强化了消费性电子产品在无线应用方面的功能,并大幅增加了消费者对无线应用产品的殷切需求.     

尺寸可变的65nm多叉指射频CMOS器件模型提取与优化

通过对CMOS PSP直流核心模型进行STI参数的修正、探针电阻的引入和提取以及尺寸可变的源漏寄生电阻表达式的引入,呈现了一个尺寸可变的65 nm多叉指射频CMOS器件模型及其提取和优化方法.与实验数据比较结果表明,该模型及其提取和优化方法能够在14 GHz以内精确地预测器件性能.     

RF-LDMOS器件宏模型研究

射频器件模型是射频电路仿真的基本要素之一。为了解决射频横向双扩散金属氧化物半导体晶体管（RF-LDMOS）缺乏准确SPICE模型的问题。此处提出了一种适用于带封装结构的RF-LDMOS器件宏模型建模及提模方法,并采用MBP软件进行验证分析。结果表明该宏模型建模方法能够很好的实现数据拟合,直流特性和射频特性的误差均在5%范围内,能够准确地反映器件的电学特性。     

MMIC器件在无线收发信机中的应用

文中根据时分双工无线收发信机的框图介绍了放大器、混频器、衰减器和开关等MMIC器件在射频设计中的应用,着重介绍了MMIC放大器,在介绍各种MMIC器件时分别给出了几种器件型号。     

新品发布——软件

自动器件尺寸确定系统，无线设计的混合信号及射频技术，分析软件提高3G测试效率     

SiGe晶体管技术及在RF器件电路中的应用

介绍了在无线应用中的两种ＳｉＧｅ器件工艺：低压ＩＣ电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数,并且讨论了这些参数对于诸如功放和射频前端电路的影响。     

SE2576L：无线LAN功率放大器模块

SiGe半导体公司现推出2GHz无线LAN功率放大器（PA）模块。型号为SE2576L的全新IEEE802．11bgn器件,是尺寸小且效率高的功率放大器,发射功率为26dBm。SE2576L主要针对需要大射频（RF）发射功率的网络应用,     

射频集成电路为无线设计展示新的机遇

芯片技术的进步还未曾能完全取代射频(RF)设计所需的技术,但是目前推出的集成电路为主流设计人员进入无线领域拓展了新的机遇。这些低成本和高集成度的器件有可能建立一种利用一块芯片和少量分立器件的无线数据通信。     

使用无线射频识别RFID技术进行室内定位研究

无线射频识别技术在各领域的应用越来越广泛,发挥着巨大的作用。室内定位应用无线射频识别技术能够更好的适应发展环境。根据无线射频识别技术特点要求进行系统理论创新,改进基础应用算法,增强定位精度。本文对使用无线射频识别技术进行室内定位进行相应的研究。     

CMOS工艺射频功率放大器的实现与验证

射频功率放大器是无线设备的关键器件,GaAs工艺被广泛使用在射频功放的设计制造上。而CMOS工艺在生产成熟度和成本上有很大优势,主要关注用CMOS工艺来做射频功放的问题,介绍世界上第一颗量产的CMOS功放及其所使用的特殊技术。利用一款成熟的手机产品,替换这颗功放及外围器件,最后与原产品进行对比测试。     

科锐推出S波段GaN器件,实现雷达应用的效率最大化

正全新60 W GaN HEMT Psat晶体管帮助降低军用和民用雷达系统对于高功率放大器尺寸、重量以及散热的要求。2012年7月9日,科锐公司宣布推出可适用于军用和商用S波段雷达中的高效GaN HEMT晶体管。新型S波段GaN HEMT晶体管的额定功率为60W,频率为3.1至3.5 GHz之间,与传统Si或GaAs MESFET器件相比,能够提供优     

基于MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析

研究了基于 MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析有效算法 :通过恰当的系统解耦、松弛迭代和边值问题求解等方法避免了复杂的 PDE周期稳态分析 ,较好地解决了基于 MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析的计算效率问题。采用该算法仿真典型的 C类功率放大器得到电流波形和工业界公认标准器件仿真器 MEDICI瞬态模拟得到电流波形比较 ,显示出很好的一致性。     

射频场效应晶体管的交流小信号建模技术研究

提出了新的金属-氧化层-半导体-场效晶体管（MOSFET）器件的小信号等效电路结构,提取了等效电路结构的元件参数值,在器件建模型软件IC-CAP2008下,对等效电路模型和提取的元件参数进行编译,生成了能够应用于射频与微波领域的场效应晶体管的高频小信号器件模型,将生成的器件模型编译到高频仿真软件ADS中,并调用S参数仿真器对器件模型进行S参数仿真,最后对比了仿真结果与测试数据的差异性,对生成的器件模型做出了误差分析,展示了所建小信号模型的良好性能。     

单片射频收发器下的无线测温系统设计

伴随社会的发展,无人化和智能化成为计算机科学的应用发展趋势,研究单片射频收发器下的无线测温系统对机械装备和电力系统的远程监测具有重要意义。本文首先研究了射频器件的选型,进而给出增强类8051微控制装置研究,包含单片射频收发板块,Shock Burst工作方式,然后研究了高压接点型无线测温体系,分析了温度数据采集和传送,子模块外围电路和时钟数据,最后给出单片射频收发器下的无线测温系统基站,分析了电源和通讯电路。     

射频指纹识别系统的数学模型研究

构建了基本的射频指纹识别系统模型;把无线发射机电子元件的制造容差与漂移容差统一为“元件容差”,把无线发射机电子元件的实际值建模为在“元件容差”内的随机变量,把无线发射机基带至识别系统接收机基带部分建模为时不变稳定系统,建立了基本射频指纹识别系统模型的数学模型;基于所建数学模型分析了射频指纹的唯一性。     

科锐推新品碳化硅外延片降低设备成本

正科锐公司日前宣布推出高品质、低微管的150毫米4HN型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片,从而继续引领碳化硅材料市场的发展。此项最新技术能够降低设备成本,并能够利用现有150毫米设备工艺线。新型150毫米外延片拥有高度均一的厚度为100微米的外延层,并已开始订购。碳化硅是一种高性能的半导体材料,被广泛地应用在照明、功率器件和通