普瑞光电硅上氮化镓基LED技术实现135 lm/W效能

美国LED照明技术研发暨生产商普瑞光电(Bridgelux)取得重大技术突破,其硅上氮化镓基LED技术已达到135lm/W的效能。普瑞表示,这是行业首个达到商用级性能的硅基LED。当大批量生产时,LED外延片大多采用蓝宝石或碳化硅衬底作为基板材料,但大尺寸的蓝宝石和碳化硅衬底价格昂贵,加工困难,且不易获得。     

国内LED衬底材料的应用现状及发展趋势

从材料特性出发,分析了氮化镓基LED用衬底材料的性能需求,主要分析了蓝宝石和碳化硅衬底在LED制作中的应用,并描述了当前的发展状态以及未来的发展趋势。     

Globalfoundries与IMEC联合促进硅上氮化镓技术

行业领先的半导体代工厂Globalfoundries与IMEC纳米电子研发中心签订了一项致力22nm节点制程CMOS技术和硅上氮化镓技术研究的长期战略合作协议。该合作协议旨在研制高性能、高性价比的硅上氮化镓基器件。除Globalfoundries外,行业领先的IDMs、代工厂、化合物半导体公司及设备和衬底厂商     

氮化镓薄膜的研究进展

主要讨论了Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料氮化镓(GaN)薄膜的制备工艺、掺杂、衬底和缓冲层等相关问题，并提出了目前GaN研究中所面临的主要问题以及氮化镓材料的应用前景。     

虚拟衬底使Ⅲ-Ⅳ族发光二极管生长在硅上

美国Ohio州立大学与Massachusetts技术研究所的科研人员共同开发了一种新的发光二极管(LED)生长工艺，采用这一工艺可以将Ⅲ-V族半导体沉积在一种硅基的“虚拟”衬底上。     

福建省碳化硅衬底专利技术现状与发展建议

以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,已经成为国际半导体研究和产业化的热点。以碳化硅衬底技术专利活动情况为研究目标,从专利申请趋势、专利地域分布、主要申请人和技术领域分布等角度进行对比分析,梳理专利布局优势和存在的问题,提出福建省碳化硅衬底技术专利布局优化和质量提升的对策建议,全面助力福建省碳化硅衬底技术优化升级。     

IC封装

晶能光电硅衬底LED技术实现产业化位于南昌高新开发区的晶能光电(江西)有限公司(Lattice Power),在GaN基半导体发光材料     

国外白光LED技术与产业现状及发展趋势

近年来,LED技术与产业发展迅速,成为半导体制造行业的最大亮点.从技术和产业两个大的方面介绍了国外LED的发展现状、特点和趋势.介绍了产业化的两种衬底外延技术--蓝宝石衬底和SiC衬底,然后介绍了近年来出现的几种芯片技术、几大公司的芯片技术特点、常用的封装技术及其发展趋势目标等,最后介绍了LED器件的实验室水平和商业化生产的水平以及低成本LED的发展,总结了LED的技术发展趋势.产业方面、,主要介绍了LED生产线的分布、欧、美、日、韩等国的产业概况、公司封装产值排名及分析,最后总结了产业发展的特点与趋势.     

硅衬底GaN基LED的研究进展

与蓝宝石衬底相比，硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点，普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成，因此Si基GaN的研究受到了广泛关注。本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展，同时简要介绍了在Si衬底上制备GaN基LED的实验结果，及研制出工作电压为3．6V、串联电阻为31Ω、输出功率近1mW的Si衬底GaN基蓝光LED。     

毫米波化合物半导体材料研究进展

毫米波集成电路成为毫米波系统应用中必不可少的核心技术,化合物半导体材料砷化镓、磷化铟无疑在毫米波集成电路制造中占据重要地位,继砷化镓、磷化铟占据毫米波芯片衬底材料主流之后,以氮化镓材料为代表的第三代半导体材料逐渐成为目前国际毫米波芯片制造的材料研究热点。本文对以砷化镓、磷化铟、氮化镓为代表的毫米波化合物半导体材料技术及其发展,进行了总结与展望。     

紫明半导体开发出低成本蓝光LED

根据日本经济新闻报导,近期,京都的紫明半导体在硅底板开发出氮化镓(GaN)LED芯片。其中,蓝光LED输出功率最大达10毫瓦,与普及型蓝光LED芯片的功率几乎相同。该公司表示,比起在蓝宝石底板上制作的蓝光LED芯片,制造成本不到一半。据介绍,之所以能够降低制造成本,是因为与蓝宝石底     

导电和绝缘准氧化锌（ZnO）生长衬底

准氧化锌衬底是氧化锌基LED和氮化镓基LED的衬底，也是蓝宝石和SiC衬底的很好的替代品。准氧化锌衬底具有下述特点：面积大、导热性好、导电性好（导电衬底）、成本低、用于生产垂直结构LED时，不需要剥离生长衬底。导电和绝缘准氧化锌衬底的结构如下：导电或绝缘氧化锌层分别层叠在导电或绝缘硅晶片上；中间媒介层层叠在氧化锌层和硅晶片之间。     

硅衬底结构LED芯片阵列封装热可靠性分析

LED阵列封装是高密度电子封装的解决方案之一,LED的光集成度得到提高,总体输入功率提高,但同时其发热量大,封装结构如果不合理,那么在温度载荷下各层材料热膨胀系数的差异将会导致显著的热失配现象,从而将会大大缩短LED的寿命。为此,兼顾散热和封装的可靠性设计与表面贴装式将芯片直接焊接在铝基板上不同的是采用硅衬底过渡,同时在硅衬底上布置电路这一结构。这种结构的优点是可以通过硅衬底的过渡来降低热失配对封装结构的影响,同时硅衬底作为电路层则省去了器件引脚。通过对4×4的LED芯片阵列结构进行有限元模拟,分析了温度对带有硅衬底的LED芯片阵列封装可靠性影响,同时对硅衬底进行分析和总结。     

SiC/GaN功率半导体领域面临测试新挑战

正目前功率半导体厂商开始由硅转向替代材料,更具体地说是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。业界采用在硅衬底和氮化铝缓冲层之上生长GaN的技术来降低成本。这使得设备厂商可以利用现有硅制程技术在衬底上生长PN结。GaN定价也从原先10-15倍于传统硅下降到更容易接受的水平。     

上海硅酸盐所在SiC-LED研究中取得突破性进展

正中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关,在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术,如SiC单晶底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展,研制出了多种结构的SiC-LED,并封装成了灯具,完全打通了SiC-LED技术路线,为SiC-LED技术在半导体照明产业领域的推广打下了基础。半导体照明是一种基于LED的新型光源的固态照明,衬底材料是半导体照明产业技术发展的基础,不同的衬底材料决定了LED外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术因此衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线目     

富士通半导体推出耐压150V的GaN功率器件产品

富士通半导体(上海)有限公司宣布,推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A,该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开(Normally-off),相比于同等耐压规格的硅功率器件,品质因数(FOM)可降低近一半。基于富士通半导体的GaN功率器件,用户可以设计出体积更小,效率更高的电源组件,可     

TEL演示模仿人耳的声音传感器

根据日本经济新闻报导，近期，京都的紫明半导体在硅底板开发出氮化镓（GaN）LED芯片。其中，蓝光LED输出功率最大达10毫瓦，与普及型蓝光LED芯片的功率几乎相同。该公司表示，比起在蓝宝石底板上制作的蓝光LED芯片，制造成本不到一半。据介绍，之所以能够降低制造成本，是因为与蓝宝石底板相比，硅底板的价格仅为约1／10，另外硅底板比蓝宝石底板柔软，更易于加工。新产品的发光波长为450纳米。芯片尺寸为0．3毫米见方。     

蓝光ZnO LED

日本坂口电热公司开发了蓝光ZnOLED生产设备。目前，蓝光LED一般采用昂贵的蓝宝石衬底和氮化镓材料。利用此设备可采用便宜的氧化锌材料，激光照射加热情况下在基板上送入锌化合物气体和氮气而沉积薄膜，均匀的薄膜面积达到5cm（2in），制造成本大大降低。     

基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术

介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据。Si衬底LED芯片制备采用上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺,封装采用仿流明大功率封装,封装后白光LED光通量达80 lm,光效达70 lm/W,产品已达商品化。与蓝宝石和SiC衬底技术路线相比,Si衬底LED芯片具有原创技术产权,可销往任何国家而不受国际专利的限制。产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高,具有单引线垂直结构,器件封装工艺简单,而且生产效率高,成本低廉。其应用前景广阔,是值得大力发展的一门新技术。     

InGaN-on-Si长波LED设备首次被证实

位于美国亚利桑那州凤凰城的玫瑰街实验室是一家产品和服务供应商,为私人所有,服务于可再生能源和半导体市场。它宣称第一个证实了基于硅片可以生产长波LED设备,其相比于传统蓝宝石或碳化硅衬底具有很大的成本优势。与紫外线和蓝光LED相比,由于量子效率的下降,制造绿光LED以及长波