载波不锈钢钝化膜稳定性的研究

在直流电位的基础上中一个方波电位对不锈钢电极进行钝化，通过改变方波脉冲宽度，幅值，阴阳极脉冲比等参数，用阳极极化曲线，电位衰减曲线，阴极还原曲线对钝化膜性质进行评价，选出最佳钝化条件。     

铜及其合金表面透明钝化膜的研究

铜及其合金以其优良的电性能和美丽的外观而被广泛应用于电工行业和其他装饰工艺性行业中,但空气中的Ｏ２、ＣＯ２、Ｈ２Ｓ、ＳＯ２易与铜反应使其表面变成深色或黑色,影响其外观与导电性能,因而必须进行表面处理。金属铜表面抗变色处理目前主要采用铬酸盐钝化、有机胺...     

聚四氟乙烯拉伸微孔膜的制备

通过挤出、压延和拉伸工艺制备了聚四氟乙烯微孔膜。SEM分析表明,膜具有小岛状结点和与拉伸方向平行的微细纤维组成的结构。实验结果表明,树脂的性质、拉伸温度、拉伸速率以及拉伸方式是影响微孔膜结构的关键工艺因素。另外探讨了微孔膜形成机理,认为纤维是从带状结晶的树脂颗粒中被拉出的,而结点是未被拉伸的树脂聚集在一起形成的。     

镀锡钢板表面钝化膜的形成机制

未来,重铬酸盐阴极电解钝化仍有一定的应用市场,对其成膜机理的深入了解,有助于从另一方面推动无铬钝化技术的发展。对镀锡钢板进行了重铬酸盐钝化,从理论上分析了其电化学钝化与化学钝化成膜的过程及膜的组成差异;采用电量法与光电子能谱(XPS)法测定了镀锡钢板钝化前后表面的组成,验证了理论分析的结果;通过对不同钝化条件下得到的镀锡钢板表面的Sn3d和Cr2p峰的拟合,分析了钝化电量与电位对电化学和化学钝化过程的影响。结果表明:镀锡钢板表面重铬酸盐阴极电解钝化过程中电化学和化学2种钝化同时存在,膜的构成物分别为Cr(OH)3,Cr2O3。     

聚四氟乙烯平板膜的亲水改性研究

提出一种亲水材料为“藤”、聚四氟乙烯(PTFE)平板膜中的原纤为“树”的“藤缠树”物理亲水改性方法.采用聚苯乙烯磺酸钠(PSS)为亲水剂,亲水性聚乙烯醇(PVA)为粘合剂,戊二醛(GA)为交联剂,对PTFE平板膜进行亲水改性,考察了亲水改性对平板膜结构和性能的影响.研究表明,扫描电镜(SEM)显示出PTFE膜中的原纤变粗,亲水材料包覆在原纤上;随着PVA和PSS浓度的增加,膜孔径、孔隙率和表面接触角均减小,纯水通量先增加后减小;改性PTFE平板膜的亲水持久性较好,对水晶碾磨废水的浊度去除率达99.84％,亲水改性有效抑制了蛋白质的吸附污染.     

不锈钢载波钝化着色膜性质的研究

提出了一种新的不锈钢着色方法－－载波钝化着色，即在无铬的硫酸溶液中用载波钝化的电电方法得到各种色彩的不锈钢表面，同时研究了载波钝化着色膜的性质，研究结果表明，不锈钢 色彩是由于膜的干涉所致，膜层结构呈微晶－－非晶过渡态，而且膜层的导电性具有整流性。     

锌镍合金钝化膜的性能

研究了锌镍合金钝化液组成及钝化处理工艺,通过对钝化液成分进行分析和钝化工艺的试验研究,采用能谱分析法和弱极化电流密度腐蚀试验方法对锌镍合金钝化膜性能进行了检测。试验结果表明：本钝化液配方在pH值1．00－1．45、钝化温度35－55℃、钝化液Zn^2 ≤1.5g／L条件下,镍含量为6％－17％的锌镍合金镀层可以获得优良的Zn-Ni-Cr钝化膜,钝化的锌镍合金镀层耐腐蚀性能是电镀锌层、热镀锌层的4倍以上。     

PTFE多孔膜和典型薄膜驻极体电荷贮存寿命的比较研究

利用等温表面电位衰减和开路热刺激放电电流谱的测量等方法。系统地研究了经单向拉伸而形成孔径为１～５ｕｍ,孔度为５０％的聚四氟乙烯多孔膜的空间电荷贮存稳定性,并与在同等实验条件下的高ｃｌａｒＰＣＴＦＥ和ＫａｐｔｏｎＰＩ这４种典型驻极体材料的电荷贮存寿命进行了对比研究。结果显示,ＰＴＦＥ多孔膜较ＰＴＦＥ和ＦＥＰ等驻极体材料有更优异的负电荷贮存稳定性,其常温负电荷的电荷贮存寿命可达１０＾３ａ以上。     

一种增强镀锌黑色钝化膜附着力的改良工艺

度针对镀锌层黑色钝化膜干燥之前柔软易脱落等问题，提出了一种基于硫酸盐－磷酸盐型的银盐黑色钝化工艺，采用单因素试验对黑色钝化溶液组成，操作条件进行了优化，并用SEM、NSS等方法评价了黑色钝化膜的性能，研究结果表明，改良后的黑色钝化工艺完全能够满足镀锌件（特别是滚镀件）黑色钝化的实际生产需要。     

并三苯场效应晶体管的研制

采用有机半导体材料并三苯作为有源层,环氧树脂作为绝缘介质,通过旋涂和真空掩蔽蒸发的方法,成功研制出了倒转结构的有机场效应晶体管.经测试器件的电子迁移率为5.76×10-2cm2/V·s,跨导为0.96μS.显示出该器件具有良好的输出特性曲线.     

高精度预测SOC的混合电动车电池管理系统的研究

研制了新型的电动汽车蓄电池组管理系统,该系统在提高采集监测电流、电压、温度等信号精度的基础上,采用了放电率、温度、自放电及容量老化等补偿的安时积分模型的估计,并考虑了自调整,从而可以以较高的精度预测电动汽车的电池荷电状态(SOC).     

一种在硅材料表面组装金纳米颗粒的新方法

以氯金酸、L-半胱氨酸为反应试剂,利用内电流和金硫自组装效应,在硅材料表面组装了较为均一的金纳米颗粒,并利用荧光分析与硅纳米线场效应晶体管对该方法进行了相关验证.结果表明:经氢氟酸处理后的硅材料,在氯金酸和L_半胱氨酸混合溶液中反应3 min可在硅表面得到较为均匀、稳定的金纳米颗粒层,其中,氯金酸浓度为0.5mmol/L,氯金酸和L-半耽氨酸浓度比为3∶1.荧光分析表明该方法组装的金颗粒表面已氨基功能化,使得金纳米颗粒修饰的硅材料在应用于生物检测时可直接醛基化修饰蛋白,简化了实验操作,同时,该方法可以在硅纳米线场效应晶体管中特异性组装金纳米颗粒,有力地支持了相关器件在疾病检测方面的应用.     

一种在硅材料表面组装金纳米颗粒的新方法

以氯金酸、L-半胱氨酸为反应试剂,利用内电流和金硫自组装效应,在硅材料表面组装了较为均一的金纳米颗粒,并利用荧光分析与硅纳米线场效应晶体管对该方法进行了相关验证。结果表明:经氢氟酸处理后的硅材料,在氯金酸和L-半胱氨酸混合溶液中反应3min可在硅表面得到较为均匀、稳定的金纳米颗粒层,其中,氯金酸浓度为0.5mmol/L,氯金酸和L-半胱氨酸浓度比为3∶1。荧光分析表明该方法组装的金颗粒表面已氨基功能化,使得金纳米颗粒修饰的硅材料在应用于生物检测时可直接醛基化修饰蛋白,简化了实验操作。同时,该方法可以在硅纳米线场效应晶体管中特异性组装金纳米颗粒,有力地支持了相关器件在疾病检测方面的应用。     

Organic field effect transistors with ferroelectric hysteresis

The ferroelectric copolymer Poly(vinylidene fluoride trifluoroethylene) is used as insulating material for capacitor structures and organic field effect transistors. For capacitors, we find the typical hysteresis in the capacitance-voltage characteristic upon increasing the voltage scan window. A writing process with adequate electric fields causes shifts in the flatband voltage. Based on these results, we fabricate organic transistors with regioregular poly(3-hexylthiophene) as organic semiconductor. The transistors are constructed in bottom gate architecture with thin layers (100 nm) of spincoated copolymer as gate insulation. The drain source current of the transistor is reversible affected by the polarized gate, which gives opportunities for fabrication of organic nonvolatile memory elements.     

Transient charge accumulation in pentacene field effect transistor with silver electrode

Time-resolved microscopic optical second harmonic generation (TRM-SHG) imaging was employed to study a transient charge accumulation in top-contact pentacene field effect transistor (FET) with Ag electrodes. It was demonstrated that the SHG signal at the edge of the Ag electrode decayed but remained in a steady state depending on biasing condition. An electric field formed in pentacene layer below Ag electrode activates the SHG, indicating the insufficient accumulation of injected carriers in the FET channel. By using the TRM-SHG technique transient change of the carrier density in the OFET is obtained.