真空微电子器件

最近两年里,微电子器件家族增添了一个新成员,它是半导体技术与真空技术相结合的产物,这就是真空微电子器件或真空半导体器件.由于它具有明显的优点和潜在的应用领域,特别是它采用类似于集成电路工艺就可以制造出来,引起了美国、法国和苏联等国家的注意,并且积极地进行着这种新型器件的研究.1986年12月美国宣布制成了第一支真空FET.     

微密封真空微电子二极管

本文介绍了一种微密封真空微电子二极管的工艺及实验结果。     

真空微电子器件发展现状及远景了望

本文论述了真空微电子器件的发展远景,并回答了为什么真空微电子器件在未来必将取代固体器件,以及目前它在工艺上和理论上存在些什么困难。     

真空微电子器件及其研究进展

由于真空微电子器件具有十分诱人的应用前景,近几年引起了人们的极大兴趣,成为电子器件发展的一个重要分支和前沿。本文叙述真空微电子器件的特点,原理、应用和最新研究成果。     

真空微电子平板摄像管10×10像素驱动电路的设计与制作

真空微电子平板摄像是一种全新的摄像理论,它采用碳纳米场发射阴极、栅极和阳极(收集极)三极管结构。介绍了真空微电子平板摄像管驱动电路的设计要求、设计思路和电路测试结果,实验中采用的栅极驱动对驱动电路(扫描电路)起到了关键作用。     

真空微电子技术的新进展

本文详实介绍了真空微电子技术最近几年的发展动向并对其在若干领域的应用前景作了分析与讨论.     

真空微电子毫米波器件

介绍了真空微电子分布放大器和真空微电子微波管两类器件，对其优点和问题进行了探讨，并就我国发展真空微电子毫米波器件提出了看法．     

真空微电子器件的物理考虑

本文阐述在真空三极管尺寸减小到目前固体微电子器件常用的微米与亚微米量级时应考虑的物理问题。对于超高速器件来说,已证实在0.5μm 电极间距问的真空渡越时间为最好的固体材料中的2/3～1/15。与固体器件相比,真空器件对辐射损伤更不敏感,但能在更高温度环境下工作。     

新型真空摄像器件及其应用

本文介绍近几年出现的真空摄像器件的结构和性能特点及其新应用。     

真空微电子器件的栅极制造技术

本文详细地介绍了真空微电子栅极工艺制造的自剥离与无版光刻技术，并用这两种方法分别制造出了符合要求的栅极结构．在现有的条件下进行了栅控场致发射特性的测试，并通过实验曲线计算出了栅控场致发射的三个参数．     

微波毫米波真空微电子器件研究进展

本文简介近２－３年来，基于阵列场发射（ＦＥＡ）电子源的微波毫米波真空微电子器件的研究进展情况。     

真空微电子器件的进展与问题

本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展，在介绍场发射阵列ＦＥＡ，场发射显示器ＦＥＤ，真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中，重点叙述了有关器件对ＦＥＡ的特殊要求，可能的解决办法和存在的问题，并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容和意义；最后提到了有效地发展我国真空微电子器件需重视的一个问题。     

真空摄像器件的发展现状及其应用

本文简要介绍了国内外近几年新研制、生产的高性能真空摄像器的结构和性能特点，应用领域和研究新动向，供应用研究工程师参考。     

真空微电子平板显示器工艺研究

本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱的制作和平板透明真空封装。     

集成真空微电子器件的研究及展望

概述了集成真空微电子器件的基本理论、特性、工艺制备及发展现状。现在集成真空场发射阵列的发射电流密度可做到1×10~3A/cm~2,单个锥尖跨导为5.0μS。对于锥尖密度为1×10~7锥尖/cm~2,总跨导可以达到50S/cm~2。一种新的采用真空微电子技术的微带放大器,在频率1THz 下能输出功率1～50W。指出真空微电子技术将是设计和制备新型亚微米器件的有效方法。