直流磁控溅射镀膜在玻璃涂层技术中的应用

本文在探讨镀膜玻璃一些基本问题的基础上,阐述了磁控溅射在玻璃涂层技术中的应用机理、靶的结构靶材的选取、提高膜层质量以及镀膜玻璃的应用及发展前景等问题。     

影响同轴磁控溅射镀膜性能的几个问题

7近几年来，镀膜玻璃在建筑行业以及装饰行业已经得到了广泛的应用。而磁控溅射镀膜因其具有高速、低温、低损伤等优点，已经成为真空镀膜技术的主要方式。适用于建筑玻璃镀膜的磁控溅射靶，就其形式有两种：平面靶和同轴圆柱形靶。本文就影响同轴圆柱型磁控溅射靶的溅射性能方面做以下探讨。1磁控溅射原理图1说明如下：电子在电场作用下，加速飞向基片的过程中与氢原子发生碰撞，电离出Ar“并产生电子。电子飞向基片，Ar“在电场作用下加速飞向阴极（溅射靶）并以高能量轰击靶面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉…     

磁控溅射镀膜技术的发展

磁控溅射由于其显著的优点应用日趋广泛,成为工业镀膜生产中最主要的技术之一,相应的溅射技术与也取得了进一步的发展.非平衡磁控溅射改善了沉积室内等离子体的分布,提高了膜层质量;中频和脉冲磁控溅射可有效避免反应溅射时的迟滞现象,消除靶中毒和打弧问题,提高制备化合物薄膜的稳定性和沉积速率;改进的磁控溅射靶的设计可获得较高的靶材利用率;高速溅射和自溅射为溅射镀膜技术开辟了新的应用领域.     

工艺参数对磁控溅射TiN膜成分影响的研究

在不同的工艺参数条件下,采用磁控溅射技术制备大量的ＴｉＮ膜样品。通过对实验结果的仔细分析,得出了膜层颜色与氩气分压无关,而与溅射功率和氮气分压的经值有关的结论,并得到了微观结构分析的证实。对磁控溅射法制备ＴｉＮ膜技术具有一定的参考价值。     

磁控溅射法沉积低辐射膜

本文讨论的低辐射薄膜是由金属氧化物／金属／金属氧化物所组成的薄膜系统，具有这种镀层的双层隔离玻璃窗，其ｋ值达到约１．８Ｗ／ｍ２·Ｋ，特别是银膜，在可见光范围内λ＝５５０ｎｍ透过率为７８％（单层玻璃），在λ＝８μｍ下所测得最大反射率不小于９５％，其相应的发射系数小于０．１。     

多层复合真空离子镀膜技术的新发展

本文回顾了多弧——磁控溅射多功能离子镀膜设备的结构和功能，并且对该设备在氮化钛掺金离子镀（IPG）方面的典型应用，做了较为详细的膜层性能分析。同时，本文了对近年来一种新型的多功能离子镀设备——复合式离子镀膜设备的结构及特点做了介绍，给出了该类型设备的典型应用场合，并且向读者介绍了使用该设备镀制的金属/金属陶瓷多层膜的优异性能。     

磁控溅射镀膜膜厚均匀性设计方法

镀膜工艺中的薄膜厚度均匀性问题是实际生产中十分关注的。本文在现有的理论基础之上,对溅射镀膜的综合设计方法进行了初步的建立和研究,系统的建立可以采用"整体到部分,再到整体"这一动态设计理念,不断完善设计方法,并将设计方法分为镀膜设备工程设计、镀膜工艺设计和计算机数值仿真三大部分。镀膜设备工程设计、镀膜工艺设计及二者的数值仿真这三者之间是相辅相成的,镀膜设备工程设计决定镀膜工艺过程的实现,镀膜工艺促进镀膜设备的升级,而高性能的计算机仿真设计给两者的设计提供了强有力的支持。     

离子镀膜中的弧电流对膜层质量的影响

论述了电弧电流对多弧离子镀膜层的硬度，厚度及其外观形貌的影响，并进一步阐述了电弧电流在实际应用中的作用，说明了镀制不同功能的膜层，应选择不同弧电流的重要性。     

离子镀膜技术的进展

本文概括地介绍了五十年来离子镀膜技术的发展概况,介绍了离子镀膜技术的意义、原理、特点、发展和应用范围。从D.M.Mattox发明离子镀膜技术以来的五十年中,离子镀膜技术适应高端产品加工和高新技术发展的要求,得到了飞速发展。各种激励气体放电过程技术,提高等离子体密度的措施层出不穷,满足各种需要的新的薄膜材料在各个应用领域得到了广泛的应用。对国防事业、宇航事业、高新技术产品和美化人民生活做出了突出贡献。我们期待离子镀膜技术继往开来,在新的五十年中再放光彩。     

离子刻蚀对磁控溅射氧化铝薄膜的影响

研究了PET薄膜表面经氩离子刻蚀后其物理性能的变化,经氩离子刻蚀后磁控溅射沉积Al2O3薄膜表面的测试结果表明:离子刻蚀使PET基体表面更加洁净;Al2O3与基体的结合强度增大;镀膜表面更加均匀;虽然对阻隔性的影响不大,但由于结合强度的增加,Al2O3膜在使用的过程中,膜层不易脱落,对保持阻隔性有一定的作用.     

工艺参数对磁控溅射TaOx薄膜离子导体性能的影响

采用射频反应磁控溅射工艺,以纯钽为靶材,在WO3/ITO/Glass基材上制备TaOx薄膜,研究氧含量、溅射功率等制备工艺参数对TaOx薄膜性能的影响.用三位电极法和透射光谱等方法检测薄膜的离子导电性能,结果表明:所得的TaOx薄膜主要为非晶态,在一定范围内,在较低的溅射功率和较低的氧含量实验条件下制备的TaOx薄膜具有较好的离子导电性能.     

磁控溅射镀膜技术在建材及民用工业中的应用

本文扼要阐述了磁控溅射镀膜技术在建材及民用工业中的应用前景及特点，所需设备类型及镀膜过程中应注意的若干问题，并对若干种镀膜玻璃的膜系及镀膜玻璃的性能要求与测试等问题进行了介绍。     

磁控溅射制备ZrN_x薄膜离子导体性能研究

采用射频反应磁控溅射工艺,以纯Zr为靶材,在WO3/ITO/Glass基片上采用不同工艺参数沉积ZrNx薄膜,用紫外-可见分光光度计、循环伏安法、X射线衍射仪、扫描电镜等研究了ZrNx薄膜的离子导电性能。研究结果表明,所制备的ZrNx薄膜为非晶态,ZrNx/WO3/ITO/Glass复合膜的光学调节范围最大达57%以上,在离子传导过程中表现出良好的离子导电性能。     

磁控溅射镀膜中工作气压对沉积速率的影响

沉积速率是磁控溅射镀膜技术中的一项重要指标,它由许多因素决定.为了定性地了解沉积速率与工作气压之间的关系,通过实验测定了不同工作气压下的沉积速率,发现存在一个最大值,并对应有一个最佳工作气压.运用气体放电理论对这一现象进行了分析.这个结论为提高薄膜制备效率指明了方向,并为进一步建立沉积速率与工作气压之间的数学模型打下了基础.     

工艺参数对磁控溅射TiN膜成分影响的研究

在不同的工艺参数条件下 ,采用磁控溅射技术制备了大量的TiN膜样品。通过对实验结果的仔细分析 ,得出了膜层颜色与氩气分压无关 ,而与溅射功率和氮气分压的比值有关的结论 ,并得到了微观结构分析的证实。对磁控溅射法制备TiN膜技术具有一定的参考价值     

离子镀膜用长寿命阴极电子枪

以硼化物为热电子发射体.在热阴极自持弧光放电状态工作的低电压大电流空心明极电子枪,在离子镀膜设备中用以熔化蒸发并电离膜材料。着重简述枪工作原理,对枪结构主要尺寸,气、电工作参数进行了设计.估算了枪效率。枪的结构简单,放电功率5～8kW.工作350h 后性能稳定。     

ITO靶材的直流磁控溅射镀膜工艺研究

对ITO靶材的直流磁控溅射工艺进行研究,通过正交试验方法确定制备ITO薄膜的最优工艺参数,并明确了溅射温度、氧氩比、溅射气压和溅射功率密度对ITO薄膜电阻率和可见光透过率的影响规律。最优工艺参数为溅射温度370℃,氧氩比0.5/40,溅射气压0.4 Pa,溅射功率密度0.17 W/cm~2。薄膜电阻率受各因素影响的主次顺序是:氧氩比溅射温度溅射气压溅射功率密度。薄膜可见光透过率受各因素影响的主次顺序为:溅射温度溅射气压氧氩比溅射功率密度。     

过滤式真空电弧离子镀膜技术及应用

介绍了一种新的镀膜技术—过滤式真空电弧离子镀膜技术。针对典型的过滤式真空电弧镀膜装置，描述了其结构组成，分析了它的工作原理。分析结果表明，该技术与传统真空电弧离子镀膜技术相比，可有效地消除宏观颗粒对镀层的污染，可广泛应用于制作各种微电子膜透明导电薄膜（ＩＴＯ）以及类金刚石（ＤＬＣ）薄膜。     

离子色谱法同时测定镀膜液中5种酸根离子和4种有机酸

建立一种同时测定镀膜液中常见酸根离子(如F-、Cl-、NO3-、SO42-、PO43-)和有机酸(如甲酸、乙酸、草酸、柠檬酸等)的离子色谱方法,用IonPac AS19阴离子交换柱为分离柱,以淋洗液自动发生装置产生KOH进行梯度淋洗。在优化的色谱条件下,即色谱柱温度为30℃,流速为1.00mL/min,采用电导检测器,在20min内能实现上述5种常见酸根离子和4种有机酸的分离和检测。用于标准样品检测时,其均呈现出良好的线性关系,相关系数在0.9992~0.9998之间。将该方法应用于3种不同镀膜液的测定,样品加标回收率在85.4%~112%之间。该方法简便快速,灵敏度高,准确性好,可广泛用于镀膜液中常见的酸根离子和有机酸的同时测定。     

不同磁场分布在磁控溅射制膜技术中的应用

介绍了用于制备薄膜材料的磁控溅射技术,总结了以改变磁场分布方式而得到的各类新型磁控溅射方式,如非平衡磁场(扩散性、内敛性、闭合场),扫描磁场,强度可变磁场,在基片、靶面或其他部位外加的磁场,高强度磁场等.