ZnO/MgO/环氧树脂基复合材料对LED出光效率的影响

影响LED出光效率的关键因素是芯片顶部的封装材料,芯片顶部封装要求材料具有高透光率、高折射率和高抗老化能力。对纳米MgO和纳米ZnO进行表面改性处理,并按一定的比例加入到环氧树脂中,制备出LED顶部封装材料,既提高了LED的出光效率又简化了封装工艺。结果表明,在纳米ZnO和纳米MgO的共同作用下,LED的出光效率相对于纯环氧封装提高了10.57%,相对于有机硅树脂双层结构封装提高了11.14%,同时提高了LED封装材料的光学稳定性。     

大功率LED封装材料的研究进展

环氧树脂封装材料由于存在诸多不足,长期以来仅限于小功率LED的封装,而大功率LED的封装只能依赖国外进口的有机硅封装材料.通过高折射率无机氧化物的改性作用而制备的纳米改性有机硅封装材料是近年发展的一类新型大功率LED封装材料,但其粒子的分散性、与基体的相容性以及封装后的稳定性等仍然是国内众多研究人员需要继续研究和探讨的关键问题.     

LED有机硅封装材料的研究进展

有机硅封装材料具有较好的绝缘性能、耐候性能、耐紫外线性能及较高的透光率和折射率等,其固化时应力较小,不易发生黄变,可有效延长LED的使用寿命,是较为理想的LED封装材料。综述了有机硅改性环氧树脂类封装材料和有机硅类封装材料的研究进展,并展望了其未来的研究方向。     

【INTER NEPCON】LED用封装材料纷纷展出

在“第11届半导体封装技术展”（1月20～22日与第39届INTER NEPCON JAPAN同时举行）上,松下电工、可乐丽以及京瓷化学等相继参考展出了LED用封装材料。LED市场由于LED照明产品和液晶面板背照灯等而迅速扩大。尤其在LED照明产品中,提高LED亮度已经成为技术开发的着力点之一。由此出现高散热性和高反射率的LED底板材料以及高投射率的封装材料等需求,材料厂商相继展出反应出加速应对的姿态。     

封装有机硅材料在LED电子器件中的应用进展

主要从有机硅改性环氧树脂材料、有机硅树脂封装材料和改性有机硅封装材料三个方面综述了近几年有机硅材料在LED封装中的应用及其进展.对LED电子器件的高透光率、高折光率、高导热率、耐黄变等方面与有机硅材料化学结构进行对比分析,总结其优缺点,提出有机硅材料在LED封装应用中出现了折射率低、粘度低等问题,解决这些问题可能是今后这一课题的研究重点.     

发光二极管用封装材料的研究进展

发光二极管(LED)能将电能高效转化为光能,在照明领域的应用得到了迅速发展,对LED封装材料的要求也越来越高。普通环氧树脂在耐紫外辐射、耐热老化性能方面的缺陷限制了其作为封装材料的发展;有机硅的"杂化分子"结构使材料有稳定的光学性能、可调的力学性能和优异的整体性能,因此有机硅材料在LED封装领域发展前景广阔,吸引了越来越多科研人员的关注。另外,为满足不断发展的LED封装的要求,需要对有机硅进行改性。     

高亮度LED灯具热界面材料制备及热模拟分析

利用具有优异导热性能的石墨烯制备了石墨烯／硅油热界面复合材料,研究了材料的相关性能,并将其用于高亮度LED路灯上的散热封装,在对其封装散热效果分析时发现,该热界面材料能有效地降低器件界面热阻,改善高亮度LED的散热问题;同时采用有限元模拟软件ANSYS对热界面材料的散热效果进行模拟,为改进LED封装技术提供了依据。     

大功率LED封装基板研究进展

随着大功率LED向高电流密度、高光通量发展,热流密度猛增使得LED散热问题日益严重。封装基板对LED的散热至关重要。在简介LED的封装结构及散热方式的基础上,分析总结了常见封装基板材料的性能参数,并对目前市场常见封装基板MCPCB、DBC、DAB、DPC、LTCC、HTCC、Al/SiC以及最近出现的新型材料基板的特征、制造工艺、应用等进行了综述。     

LED封装技术发展的研究与展望

<正>技术进步和市场需求是LED产业发展的2大动力。LED封装经历了各种封装形态的传统正装封装和有引线倒装封装发展历程。随着市场需求变化、LED芯片制备技术和LED封装技术的发展,LED封装将主要朝着高功率、多芯片集成化、高光效及高可靠性、小型化的方向发展。从中国LED封装发展历程上看,有传统正装封装用LED芯片、有引线覆晶(Flip-Chip)封装用LED芯片和无引线覆晶封装用LED芯片等几种结     

RGB全彩LED封装工艺常见异常状况的分析

随着科技的发展,LED产业取得了长足的进步,其应用领域和范围不断的扩大,同时对LED的封装技术也提出了更高的要求。本文从RGB全彩LED光源工艺入手,分别从固晶、焊线不良引起的电失效,点胶不良引起的光失效,以及由于材料热膨胀、湿气等引起的机械失效三方面,系统的介绍了RGB全彩LED封装生产过程中经常遇到的异常。     

固体白光照明和稀土发光材料

固体白光照明节能省电、无污染、长寿命,是替代白炽灯和荧光灯的新一代半导体光源.介绍了白光LED的产生、优点和研究现状,以及与之相匹配的稀土发光材料的研究动态,主要包括蓝光、紫外光和近紫外光转换型荧光粉,并介绍了新型单一相白光LED荧光粉和新型荧光体的发展状况,最后分析和评述了我国白光LED的差距和发展前景.     

LED照明产品设计研究

在现代照明领域, LED被称为第4代光源.由于LED技术特性和设计特点自成一格,具有鲜明特色和品质,因此被业内专家预测将是取代白炽灯、荧光灯等传统灯具的最具有竞争力的新型照明产品.对LED照明产品的设计研究,必将对灯具照明产品的可持续发展以及设计创新将产生积极影响和重要的应用推广价值.     

白色LED照明光源

报道了由黄、蓝二色发光二极管芯片组成的白色发光二极管的研制,结构和性能。     

Nanowire encapsulation with polymer for electrical isolation and enhanced optical properties

Light management and electrical isolation are essential for the majority of optoelectronic nanowire (NW) devices.Here,we present a cost-effective technique,based on vapor-phase deposition of parylene-C and subsequent annealing,that provides conformal encapsulation,anti-reflective coating,improved optical properties,and electrical insulation for GaAs nanowires.The process presented allows facile encapsulation and insulation that is suitable for any nanowire structure.In particular,the parylene-C encapsulation functions as an efficient antireflection coating for the nanowires,with reflectivity down to ＜1％ in the visible spectrum.Furthermore,the parylene-C coating increases photoluminescence intensity,suggesting improved light guiding to the NWs.Finally,based on this process,a NW LED was fabricated,which showed good diode performance and a clear electroluminescence signal.We believe the process can expand the fabrication possibilities and improve the performance of optoelectronic nanowire devices.     

LED背光源发展透视

液晶显示器（LCD）现在已经广泛应用于电视、计算机、手机、监控器等电器上，但液晶本身并不发光，因此需要背光照明。目前多数LCD采用冷阴极射线荧光灯（CCFL）作为背光源，但其亮度输出均匀度差，而且使用寿命不长；使用LED作为LCD的背光源，可以缩小LCD的体积，提高其可靠性和稳定性，并大大延长其使用寿命。本文详述LED作为LCD背光源的种种优缺点和发展趋势。     

LED封装基板研究新进展

基板散热是LED散热的最主要途径,其散热能力直接影响到LED器件的性能和可靠性。总结了LED封装基板材料的性能,综述了金属基板、陶瓷基板、硅基板和新型复合材料基板的研究进展,展望了功率型LED封装基板的应用和发展趋势。综合表明,MCPCB,DBC,DAB,DPC等基板各具优势,但DPC基板各种制备工艺参数合适,特别是铝碳化硅基板(Al/Si C)有着低原料成本、高导热、低密度和良好可塑性的显著优势,有望大面积推广应用。     

LED芯片钝化研究进展

综述了国内外在LED钝化材料、钝化工艺和钝化处理时LED性能的影响等方面的一些主要研究进展,指出了以蓝宝石为衬底CaN基LED钝化材料存在的问题和研究方向,特别强调以Si为衬底的LED钝化膜的研究趋势.现阶段的钝化材料主要有SiN_x、SiO_2、SiON_x等,常用的钝化方法有等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、磁控溅射和电子束蒸发等.对LED芯片的钝化处理可以降低LED器件的漏电流和提高其光输出功率,然而,这也会导致LED的P区载流子数量的下降和芯片表面应力的增加.     

The thermal stability performances of the color rendering index of white light emitting diodes with the red quantum dots encapsulation

Red phosphors are the traditional material used to improve the color rendering index (CRI) of white light emitting diode (WLEDs). In this paper, red quantum dots (QDs) were fabricated and coated on the blue LED chip to replace the red phosphors. By comparing the thermal performances of the CRI for the two WLEDs, we found that WLEDs with the encapsulation of yellow phosphors and red QDs exhibited higher CRI and lower sensitivity to temperature than those with the encapsulation of yellow and red phosphors. The CRI of WLEDs with yellow phosphors and red QDs was 90.9, and its range ability was only 0.3 when the environment temperature changed from 25 °C to 100 °C, while the CRI of WLEDs with yellow and red phosphors was as low as 81.8, and the change of CRI was 2.2 during the same temperature variation.