掺Zn—InP的热处理

InP 单晶衬底已广泛用于制备长波长光纤通信的激光器和探测器。除了一般的 n 型衬底材料以外,p 型材料的使用也受到重视并获得成功。因为锌在 InP 中具有杂质效应,所以掺锌生长 p-InP 还能获得低位错或     

InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究

本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为 4× 10 - 4量级 ,典型的InP发射区掺杂浓度 ( 4× 10 1 7cm- 3)时 ,电子迁移率为 80 0cm2 ·V- 1 ·s- 1 ,具有较好的电学特性 ,可以满足器件制作的要求。     

水平区熔法掺铁半绝缘磷化铟单晶

为提供外延生长用半绝缘衬底,以鉴定外延片质量和制作微波器件,已用水平区熔法在石英管中生长掺铁半绝缘磷化铟单晶。这也是我国首次试制成的掺铁半绝缘磷化铟单晶。     

P型GaSb单晶研制

GaSb单晶是制备光电器件的重要衬底材料。GaSb价带自旋轨道的分裂可以得到使空穴离化系数增大的能级,明显改善了波长大于1.3μm的APD的信噪比。其它如AlGaSb APD、GaAlAsSb LED与LD、AlSb/GaSb超晶格、高度电子器件InAs/GaSb超晶格、低阈值HET、FET、HBT等器件也采用GaSb为衬底。此外,GaSb单     

无孪生磷化铟晶体生长

在高压液封切克劳斯基(LEC)方法生长InP晶体过程中,孪晶出现是一个比较突出的问题。但是选择合理的热场、注意液封剂B_2 O_3脱水条件、使用化学配比的InP多晶料,在<111>P面生长方向的情况下,可重现地制备无孪生磷化铟晶体。而且引晶后,晶体放肩斜度与生长轴夹角达25°左右时仍可得完整锭单晶。若上述条件均能同时满足,生长参数相对稳定,则在拉制直径为25—30毫米、重160克左右的晶体时,单晶出现几率大于70％。并用相应的条件生长了直径为35—38毫米、重300—320克的单晶。 上述掺杂晶体代表性电学性质为:掺Sn-InP N_D-N_A=2.5×10~(18)/厘米~3,μ_(300)=1.74×10~3厘米~2/伏·秒。掺Fe-InP p=9×10~7欧姆·厘米。以掺Sn—InP为衬底,制作了双异质结GaInAsP/InP红外发光二极管,初步结果为:当工作电流为100毫安时,输出功率可达0.6毫瓦以上,发射波峰为1.26微米。并对磷化铟单晶进行了光致发光及位错测试。     

磷化铟:工艺现状和应用前景(上)

一、前言 GaAs和InP的电子迁移率比硅大,禁带宽度比硅宽,有可能成为比Ge,Si更优越的半导体材料。1963年,继GaAs之后发现了InP的激光作用;同年,在InP和GaAs上都观察到微波振荡,即耿氏效应。但是,由于材料制备工艺困难,InP器件没有进一步得到发展,与此相反,GaAs激光二极管和耿氏二极管却取得了惊人的发展,使GaAs成为占第三位的半导体材料。高压液封直拉工艺和气相、液相外延工艺的发展,使高质量InP晶体的供应成为可能,给深入研究InP材料的性质创造了条件。1970年,Hilsum等首次提出InP导带中的     

液封法拉制砷化镓单晶的纵向均匀性研究

本文导出了有关液封法拉制砷化镓单晶的分配—分凝方程,并讨论了提高GaAS单晶的纵向均匀性的有效途径。一、前目目口目前由于砷化稼及有关化合物的发光、激光,微波器件迅速发展,对GaAs衬底材料质量提出了越     

高反压硅晶体管的优质材料——NTD硅单晶

借助于热中子辐照,使Si~(30)激活产生P_(31),从而取得掺杂元素分布极为均匀,并能实现准确掺杂的硅单晶。这类单晶有效地用于功率器件领域。本文介绍这类材料的制备,辐照损伤消除,晶体性能及用于制备高反压晶体管的情况。所制备的单晶断面电阻率不均匀度≤5％,寿命达200～500μs,用该类材料制备的DF-104高反压硅晶体管最高耐压达2300V,比用常规掺杂法单晶制备的管子耐压高200～400V。     

GaAs晶体中的环形缺陷

一、引言近年来,在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体器件领域中,高速集成电路、双异质结半导体激光器、光集成器件等,在微波、光通讯和第五代电子计算机等方面,都起到相当重要的作用,受到人们的高度重视。发展这些器件,无疑要有较完备的外延生长工艺,能生长出均匀的优质外延层,甚至能精确控制生长出几百埃的均匀多层结构,而且还要有完整的单晶衬底材料。这是制备优质的外延层,从而得出高性能、长寿命半导体器件的     

上海微系统所发现锗基石墨烯取向生长物理机制

正中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室S0I材料与器件课题组在锗基石墨烯的取向生长机制方面取得进展。研究人员发现衬底表面原子台阶对于石墨烯取向生长的重要性,并且与华东师范大学合作借助于第一性原理DFT理论计算分析得到石墨烯单晶畴在(110)晶面的锗衬底上取     

我国科学家研究出一种分米级单晶薄膜的制备新方法

正为开辟硅基电子器件之外的新途径,基于量子材料的新器件研究成为前沿热点。作为量子材料的重要分支,二维量子材料厚度只有原子级且量子效应显著,大面积、高质量的二维单晶制备是实现二维器件规模化应用的核心关键,然而晶格的非中心反演对称性给二维单晶生长带来了极大挑战。在量子调控与量子信息重点专项资助下,北京     

水平磁场中GaSb单晶的生长

GaSb 单晶是制备三、四元含锑化合物、Ⅲ-Ⅴ族合金及超晶格等材料的重要衬底材料。用 GaSb 单晶为衬底研制的 GaAs/GaSb 迭层太阳能电池转换效率超过30%,是目前转换效率最高的太阳能电池。在磁场下生长硅和Ⅲ-Ⅴ族化合物半     

磷化铟:工艺现状和应用前景(下)

四、磷化铟在微波领域的应用前景 1970年,英国皇家雷达研究所Hilsum在理论上预言,InP是具有三能谷跃迁机构的材料,作为转移电子振荡器和放大器,预期可获得比GaAs器件更高的性能。之后,曾引起了一场关于InP电子转移机构究竟是三能谷还是二能谷的争论。最近一系列的研究表明,不论它是三能谷还是二能谷电子转移机构,InP转移电子器件比类似的GaAs器件具有更多的优越性:     

氢化物气相外延氮化镓衬底的制备研究

目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等.各种技术包括缓冲层、外延横向生长技术、悬挂外延技术等是目前最重要的制备氮化镓技术.氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方法之一.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了氮化镓体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延原理,分析了HVPE制备自支撑(FS)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展.     

n型〈100〉掺硫GaP单晶研制

近年来,国内对发光二极管(LED)的需求量越来越大,并由单一的红、绿色向多色化发展。本文报道了黄、橙、红色LED用n型GaP单晶衬底的生长工艺及产品用作衬底和芯片的使用情况。 (一)单晶制备 单晶生长在MSR6R高压单晶炉内进行,石墨电阻加热。99.9999％的高纯镓及高纯磷先期在高压合成炉内制成GaP多晶。     

水平区熔法掺碲n型磷化铟单晶

磷化铟是微波通讯向毫米波段发展的新型化合物半导体材料,磷化铟双异质结激光器是目前光纤维通讯极有希望的光源。为供有关单位用于外延生长作衬底片子,以制作体效应器件,已     

用水平布里兹曼法生长GaSb单晶

GaSb是制作光电器件的重要衬底材料。在GaSb上外延生长三元或四元锑化物（如 AlGaSb、InGaAsSb或AlGaAsSb等）,其外延层晶格匹配良好,制成激光器介质损耗小、失散小、功率大,能很好地与氟化物玻璃光纤相匹配,可用于长距离光纤通讯。因此,GaSb是发展新一代光纤通讯与高速电子器件的基础材料。目前,生长GaSb单晶多用双坩埚法、氢气还原法与LEC法等直拉工艺。采用这些工艺易于获得大型锭条,但因GaSb熔点低、过冷度大且极易氧化,不易提高产品质量,产品位错密度通常在10~3～10~4cm~(-2)范围内。为此人们尝试以水平法生长GaSb单晶。     

国内MOCVD化合物半导体材料的新进展

金属有机气相沉积法(MOCVD)已受到国内外普遍重视,MOCVD技术所用的关键原材料也已研制成功。近年来,国内采用MOCVD技术在GaAs衬底上已生长出GaAlAs、HgCdTe、ZnSe等异质结材料,以InP、CaF_2作衬底,也生长了某些半导体薄膜材料。     

半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究

砷化镓(GaAs)为第二代半导体材料，GaAs衬底质量直接影响器件性能。利用JEM-2002透射电子显微镜(TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪(EDXA)，对半绝缘砷化镓(SI-GaAa)单晶中微缺陷进行了研究。发现SI-GaAa单晶中的微缺陷包含有富镓沉淀、富砷沉淀、砷沉淀、GaAa多晶颗粒和小位错回线等。还分析了微缺陷的形成机制。     

轧制烧结法制取铜合金基体-金刚石薄刀片

本文介绍了电子工业中广泛采用的切割半导体晶片和基片的金刚石薄刀片的基本特点和技术要求;概述了粉末冶金法制取铜合金基体-金刚石薄刀片的基体材料、工艺流程和几个关键工序。对刀片的主要技术参数测定和切割试验分析表明,铜合金基体-金刚石薄刀片完全符合使用技术要求。