共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
文章介绍串行CMOS E^PROM 24CXX在IC卡中的应用,并以24C01为例对它们的读写操作和通信协议进行了重点阐述。 相似文献
2.
文章介绍串行CMOSE2PROM24CXX在IC卡中的应用,并以24C01为例对它们的读写操作和通信协议进行了重点阐述。 相似文献
3.
4.
消除E10交换机SMM站故障文件超量告警的方法天津市市内电话局申路在ALCATEL1000E10型OCB283交换机中,SMM站常出现“MAXTHERESHOLD-OFA”告警,由于SMM站是OCB283交换机的核心,所以我们对其出现的告警十分重视,... 相似文献
5.
6.
文章介绍了EEPROM存贮器卡、加密EEPROM存贮器卡、CPU卡、智能卡、IU卡发行机、IC卡读写机、IC卡可靠性、IC卡信息安全性的特点,决定因素及其设计。 相似文献
7.
8.
EMX-500交换机系统带数据丢失的原因分析江苏省徐州邮电局朱小枫EMX-500交换机的系统带最初是由MOTOROLA公司提供的,它共有3个组成部分,即PATCH,SYSGEN(SYSTENGENARATION)和空的CHANGEJOUNAL。前两部... 相似文献
9.
对用户交换机进行详细的话务统计和分析可以帮助提高用户交换机的维护质量 ,提高全网接通率。下面结合实际对S12用户交换机统计的方法进行比较。1一般统计(GENERALSTATICTIS)采用一般统计法对S12用户交换机进行统计 ,可分为两种方法。(1)对非商业性用户交换机群的一般统计(COUNTERSPERNONBUSINESSCOMMUNICATIONGROUPPABX)这种方法使用的计数器有 :1226:TERMATT-PBXG1228:TERMCONG -PBXG1240:TERM -OCC -PBXG12… 相似文献
10.
机顶盒智能卡技术 总被引:1,自引:1,他引:0
1 机顶盒智能卡结构智能卡是一个非常简单的计算机 ,它有一个 8bit的CPU、操作系统使用的小容量的RAM和ROM以及近 6 4kB的EEPROM。它没有连接键盘和监视器的接口 ,但有一个I/O串形接口。1.1 CPUCPU是智能卡的大脑 ,用于处理数学运算。现有的智能卡处理器的设计是基于 8个比特的结构。处理器的速度从 3~ 5MHz ,取决于具体的机顶盒应用软件的要求。许多智能卡提供商为了满足市场需求 ,开始生产处理速度大于 5MHz的处理器。1.2 随机存储器 (RAM)芯片包含 12 8字节和 2 5 6字节的RAM ,这个数字随着… 相似文献
11.
12.
用I^2C总线实现串行E^2PROM与单片机PIC16C54的接口设计及应用 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍的是串行E^2PROM与单片机PIC16C54的硬件连接,阐述了PIC16C54对24C02的读写程序,最后简述在报警系统中的应用。 相似文献
13.
单片机远程通讯类XMODEM协议及其实现 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了作者提出的适用于数据传递量不大的类XMODEM协议。针对数据量不大的特点。基于XMODEM协议的基本精神,类XMODEM协议既保证了数据传递的正确性,同时又使得实现方便。实际效果表明该协议能够满足应用要求。文章给出了基于MCS-51系列的单片机控制的实现程序。 相似文献
14.
采用SIMOX和BESOI材料制作了CMOS倒相器电路,在25 ̄200℃的不同温度下测量了PMOS和NMOS的亚阈特性曲线,实验结果显示,薄膜全耗尽IMOX器件的阈值电压和泄漏电流随温度的变化小于厚膜BESOI器件。 相似文献
15.
NEAX61-E的集中交换功能天津日电电子通信技术有限公司李素鹏NEAX61-E←ICTOGT→MDF普通用户CENTREX用户LC用户环路,用户线和电话机都一一对应。在用户侧不需用户交换机等其它设备。↑←↑MDF:主配线架OGT:出中继LC:用户线... 相似文献
16.
利用薄膜全耗尽CMOS/SOI工艺成功地研制了沟道长度为1.0μm的薄膜抗辐照SIMOXMOSFET、CMOS/SIMOX反相器和环振电路,N和PMOSFET在辐照剂量分别为3x105rad(Si)和7x105rad(Si)时的阈值电压漂移均小于1V,19级CMOS/SIMOX环振经过5x105rad(Si)剂量的电离辐照后仍能正常工作,其门延迟时间由辐照前的237ps变为328ps。 相似文献
17.
18.
兼容机486DX2特殊故障维修一例杭州电子工业学院(310037)徐志江关玉华一台CX486DX2-4兼容机,其配置为4M内存,256KBCACHEMEMORY(高速缓冲SPAM),80MHzCUP,宏基绿色节能母板,120M硬盘等,故障现象如下:1... 相似文献
19.
用薄膜SIMOX(SeparationbyIMplantationofOXygen)、厚膜BESOI(ffendingandEtch-backSiliconOnInsulator)和体硅材料制备了CMOS倒相器电路,并用60Coγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下,经不同剂量辐照后,分别测量了PMOS、NMOS的亚阈特性曲线,分析了引起MOSFET阈值电压漂移的两种因素(辐照诱生氧化层电荷和新生界面态电荷)。对NMOS/SIMOX,由于寄生背沟MOS结构的影响,经辐照后背沟漏电很快增大,经300Gy(Si)辐照后器件已失效。而厚膜BESOI器件由于顶层硅膜较厚,基本上没有背沟效应,其辐照特性优于体硅器件。最后讨论了提高薄膜SIMOX器件抗辐照性能的几种措施。 相似文献
20.
利用MODEM对电话网实现简单的集中维护天津日电电子通信工业有限公司TASC中心王美宜,卢凤瑜随着NEAX61程控交换机在国内一些地、县局的使用,在几个县局之间,或在地区局管辖的范围内建立OMC,实现集中维护管理是十分必要的。但建立正规的OMC又很不... 相似文献