热循环能力的大突破——适用于汽车工业的无焊接压接式模块

当一些电力电子产品供应商仍在改进标准模块中的焊接连接时，无焊接压接触点技术因其高功率循环能力已成为最顶级的电力电子模块解决方案。     

北京瑞田达技贸有限责任公司

产品名称 可控硅模块 特点 芯片与底板电气绝缘 国际标准封装 全压接结构或氮气保护焊接结构，优良的温度特性和功率循环能力     

功率模块的封装和“一体化”封装——针对可再生能源和电动交通工具

如今的风力发电和电动汽车市场需要具有高功率密度的功率模块、高可靠性以及高的机械、热和电气强度。无焊接压接技术最符合这些要求。下一步,键合线将被弹性金属薄片取代,以克服目前在功率循环疲劳方面的限制。通过将这些技术用于功率模块和这些模块的一体化封装以及通过机械一体化设计嵌入式系统能够实现功率密度方面的卓越性能。     

具备更强机械性能的高功率IGBT模块——采用最新3．3kV IGBT3芯片技术

本文介绍了新一代IHM．B具备更强机械性能的高功率IGBT模块，其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHMB模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3．3kV IGBT3芯片，在保持机械兼容性的同时，极大地提高了器件的热效率和电气效率。本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究。     

焊接晶闸管模块的新装配工艺

今天，市场发展的趋势要求系统的高可靠性，这些趋势正是焊接双极模块发展的背后动力。现在这些模块有了一个全新的设计结构，焊层更少，采用了角型栅极可控硅以及升级了的弹簧压接技术，从而提高可靠性并降低了热电阻，结果是输出电流增大了10％以上。     

具备更强机械性能的高功率IGBT模块——采用最新3．3kVIGBT3芯片技术

本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHM.B模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械兼容性的同时,极大地提高了器件的热效率和电气效率。本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究。     

72．6GW的风力发电市场中有31GW是由智能功率模块驱动的热循环能力提高了5倍

纽伦堡，2007年10月——对于发展迅猛的风力发电市场，赛米控可以提供SKiiPa模块，该模块是一个集成了冷却系统、栅极驱动器、电流传感器及保护功能智能功率模块（IPM）。具有专利的SKiiPa压接技术确保了它具有高负载和温度循环能力。对于兆瓦级的功率系统，该IGBT子系统是目前市场上最具有竞争力的IPM。[编者按]     

100％无焊接IGBT模块

1引言减少二氧化碳的排放和可持续性发展一一这些是我们这个时代的流行语。为了不辜负这些今天和明天的流行语，需要先进的电控驱动技术涉足新的领域。其中一个最大且最具挑战性的领域是汽车产业．现有的功率模块无法满足该行业的严格要求，这就是为什么它们不能服务市场的原因。为了面对这项挑战，赛米控开发了SKiM（赛米控集成模块）～适用于汽车工业的IGBT模块。     

强大的团队受益于紧凑型可控硅模块的可靠耐用的软起动器

在软起动装置中，半导体必须经受很大的温度波动，这就是为什么必须要有良好的负载循环能力。使用赛米控专门开发的可控硅模块，可以开发出满足这种要求的、性价比很高的、超紧凑的软起动器。西门子自动化与驱动分部（A＆D）选择半导体制造商赛米控为其新一代软起动器Sirius开发合适的可控硅模块。开发的结果是反并联可控硅模块SEMiSTART：由于采用了双面芯片冷却，该模块热阻只有常规模块的一半，并且结构非常紧凑。良好的冷却性能意味着该模块能在短时间内承受更大的过载电流。此外，新模块采用压接技术，从而保证了高度的可靠性。     

IGBT模块压接技术研究

介绍了IGBT模块压接技术的关键技术与难题,提出了IGBT模块压接设计方法,包括功率集成、系统集成、新型功率互连及低阻散热设计。     

电力半导体模块

本文着重介绍了模块与分立器件的主要区别以及普通的焊接式模块、压接式模块、陶瓷基板式模块的特点及节能作用。认为应用电力半导体模块是电子技术的发展趋势。     

功率模块可靠性

本文叙述了功率模块可靠性的基本概念，介绍了功率模块的可靠性设计，总结了焊接式和压接式功率模块常见的失常模式和失效机理。     

100%无焊接IGBT模块——专为汽车工业而设计

减少二氧化碳的排放和可持续性发展——这些是我们这个时代的流行语。为了不辜负这些今天和明天的流行语,需要先进的电控驱动技术涉足新的领域。其中一个最大且最具挑战性的领域是汽车产业.现有的功率模块无法满足该行业的严格要求,这就是为什么它们不能服务市场的原因。为了面对这项挑战,赛米控开发了SKiM（赛米控集成模块）,适用于汽车工业的IGBT模块。[编者按]     

电力半导体功率模块焊接工艺的探讨

本文介绍了一种新的电力半导体功率模块的焊接，它有效地解决了功率模块焊接过程中产生的“孔洞”和“氧化”问题。     

电力电子系统集成化的前景概述（下）

在电力电子模块装配中采用的绝大多数电力半导体芯片都具有内在的垂直结构，其中金属化的输入／输出电极（垫片）安置在芯片的两侧。通常，栅极和源极（或射极）垫片带着薄膜金属铝（Al）端子放置在顶部表面以利超声联结。漏极（或集电极）是做在芯片底部的沉积金属化层（大多数情况下为银或金），它是准备焊接到基础衬底上去的。这种垂直结构使人可以构成一种分层型三维多芯片模块（Multichip—module，简称MCM）结构。图4（a）表示按这种方法设计的电力电子模块的剖面图。它包括三个层次：     

基于新型GaN高功率器件的功率模块设计

设计和实现一种基于新型氮化镓高功率器件的功率模块,该模块发挥了GaN器件高峰值功率、高功率密度的优势,提高了高功率发射系统的可靠性、设备工程化程度及设备集成度,降低了设备成本,为超高峰值功率发射系统研制打下了坚实基础,为其他类似产品的研制提供了重要的技术参考。     

新型无焊料高可靠性功率模块

前 言:设计了一个功率循环寿命比现有结构增长20 倍以上的功率模块。绑定线、芯片连接处和基板焊点的恶化是影响功率循环寿命的主要因素。基于实验和分析结果,我们设计了一种无焊料结构来实现高可靠性功率模块的目的。这种无焊料结构使用一体化基板,其直接粘接底板和绝缘基板而不使用焊料。从分析发现,这种新结构除了能实现模块的高可靠性,还能因为低热阻减少Tjmax 和ΔTj。分析表明,3.3kV LV100 封装使用这些技术和铜绑定线,其功率循环寿命是现有结构的56 倍。     

紧凑型SEMiX IGBT模块系列又添新成员

电流达到200A，采用经过验证的无焊压接技术用于PCB装配和电缆连接。     

电力半导体模块及其工艺技术

回顾了电力半导体模块发展里程，指出了电力半导体模块今后发展的方向，描述了我国研制成功并已生产的智能晶闸管模块的特点及其应用领域。介绍了IGBT模块的结构和工艺技术，提出了设计IGBT模块各部件时应注意的问题和工艺技术特点。     

河北华整实业有限公司

产品名称：焊接式模块结构件．压接式模块结构件 河北华整实业有限公司是集科研开发、生产经营、技术服务为一体的高新技术企业。是目前国内电力电子器件模块结构件的最大生产厂家。公司始建于一九八九年,现有员工186人,占地面积2万平方米,总资产8200万元,主要生产50-1200A功率新型电子原件IGBT模块结构件。MJ-门极装置体,电力电子器件用高压绝缘套体,热管散热器等产品,年生产能力达200万套。