β氧化铝中杂质的EPMA研究

用ＥＰＭＡ－ＥＤＳ组合仪,对β”氧化铝中的三种典型杂质进行了形貌观察和成分分析,并用电子束诱导离子迁移法,研究了杂质区及正常区的离子电导差异,讨论了不同杂质的特点及对β”氧化铝作用中的危害。     

β″氧化铝中杂质的EPMA研究

用EPMAEDS组合仪,对β″氧化铝中的三种典型杂质进行了形貌观察和成分分析,并用电子束诱导离子迁移法,研究了杂质区及正常区的离子电导差异,讨论了不同杂质的特点及对β″氧化铝作用中的危害。     

超增益器件制造中的基区杂质分布

适当控制基区的杂质分布,可以获得性能优越的超增益器件。我们据此进行批量生产的超增益器件,在I_C=10μA,V_(CB)=6V条件下,NPN型的h_(PE)可大于2000,BV_(CEO)可大于30V;PNP型的h_(FE)可大于800,BV_(CEO)可大于20V。器件的I_(CEO)可低于10pA。若与氮化硅-高温氮氢烘焙工艺相结合,将为高可靠、高精度线性集成电路提供工艺基础。     

硅中金杂质分布的测量

<正> 本文利用电容瞬态法,测量了扩金工艺制备的二极管中金杂质的分布.由泊松方程已知,从电容瞬态法得到的△C可表示为:     

SPM测出太阳能电池的杂质分布

光伏产业正在持续努力利用聚合体制作太阳能电池,因为聚合体不仅能够在室温下和普通环境条件中进行加工,而且可以应用比硅加工相对便宜的加工工艺,如各种印刷技术。不过,要尽可能获得最大的效率,仅获得化学品和这些不同材料的化学组分是不够的,在应用这些材料制作电池前,还应尽可能多地理解它们的微结构。     

用扫描电子显微镜感生的β-电导率来观察耿二极管的杂质分布

利用由电子束感生的电导率(β-电导率)所得到的信号观察了沿耿二极管中电流方向上净施主杂质浓度的一维分布。已被证明,所产生的电压信号是能够清楚地显示出耿二极管有源层中各种形式的掺杂分布。考察了电压信号的特性与二极管特性之间的关系,并确认了二极管的退化是由不对称的杂质分布所引起。     

Si-Si直接键合的杂质分布

在Si-Si直接键合过程中,界面处存在一层很薄的厚度恒定的本征SiO2.Si对SiO2中的杂质的抽取效应,导致了杂质在界面处的浓度大大降低,根据改进了的杂质在Si-Si直接键合片中分布模型,推导出了杂质分布的表达式,在理论上和实验上都对该式进行了验证.杂质通过SiO2再向Si中扩散的杂质总量与Si-Si扩散相比大大减少,使所形成的p-n+结的结深减小.     

半导体杂质分布曲线的直接描绘

测量在半导体表面形成的肖特基势垒的C～V关系,并对测量结果进行模拟运算,最后用X-Y记录仪描绘杂质分布曲线.与另一独立的测量方法对比,达到相当好的符合,证实了所得分布曲线的可靠性.文中给出一些典型的结果.并简要地指出存在的问题.     

Si-Si直接键合的杂质分布

在Si-Si直接键合过程中,界面处存在一层很薄的厚度恒定的本征SiO2.Si对SiO2中的杂质的抽取效应,导致了杂质在界面处的浓度大大降低,根据改进了的杂质在Si-Si直接键合片中分布模型,推导出了杂质分布的表达式,在理论上和实验上都对该式进行了验证.杂质通过SiO2再向Si中扩散的杂质总量与Si-Si扩散相比大大减少,使所形成的p-n 结的结深减小.     

薄膜内杂质分布的分形特征

薄膜中总会存在一些杂质或者缺陷,杂质和缺陷密度的有限性导致了薄膜破坏的概率性。提出了不同尺寸杂质和缺陷分布的分形特征,分析了薄膜破坏概率与辐照激光功率密度的关系,计算结果与实验结果吻合得很好。得到了一种确定薄膜中最具危害性杂质的热学特性及分布密度的方法。同时提出了杂质的敏感尺寸范围(SSR)的概念,由此得到材料激光损伤阈值的新的确定表达式,该表达式反映的损伤阈值与激光脉宽的关系更加符合实验结果。     

外延阻挡杂质带探测器的抗反射

传统外延阻挡杂质带探测器由于其材料物性和特殊的结构设计存在很强的反射,这些能量损失非常不利于器件的探测性能.报道了一种类光栅双层超构表面微结构阵列,并将此人工微结构引入到外延阻挡杂质带红外探测器以抑制对入射光的反射.实验结果显示,具有超构表面微结构阵列的器件在波长30μm处反射率低于3％,在25.3～32.2μm波段范...     

锑化铟单晶杂质分布均匀性的研究

本文介绍通过生长锑化铟单晶的试验,得出在[111]方向生长时,改变生长条件可提高其径向不均匀度(最佳为59～88％)。而要进一步提高,则须改变生长方向,如在[112]、[113]、[115]和[001]方向生长时,由于(111)小平面移至截面边沿的很窄区域内,从而可大大改善横截面不均匀度(20～39％)和径向不均匀度(8～27％)。     

半导体材料中任意深度的杂质分布

由英邮电部研究分部(PORD)研制的电化学技术可连续自动地描绘出半导体材料中载流子浓度的分布,而深度不受限制。为了进行这些测量由 PORD 设计的设备(控制单元,电化学池和光源)观已有产品并出售。     

杂质分布的红外光谱椭偏分析方法

在半导体工艺中,掺杂杂质类型、浓度及结深的改变都会引起不同频率的红外光谱,介绍了一种通过红外椭偏仪测量浅结杂质分布的方法。利用Drude方程将Si中不同掺杂与其引起的光学常量的变化对应起来,通过红外椭偏分量Ψ和Δ的测量及模型拟合来测定半导体中载流子的浓度分布。并建立高斯渐变层模型,即将离子注入退火后的非均匀掺杂层分成n小层,各层载流子浓度之间符合高斯分布,且每一层载流子浓度可以用Drude方程来描述。测量采用了可变角度的红外光谱椭偏仪,该测量方法具有非接触性、非破坏性的优点,测量快捷方便。     

钠硫电池用β″--氧化铝陶瓷的研制

β″-Al2O3陶瓷在钠硫电池中,兼具固体电解质和隔膜功能,其电阻对钠硫电池的性能影响很大。以氧化铝室的异丙醇悬浊液为电泳液,添加不同量的17-99号PVA作为成膜助剂,在30 V的电压条件下电泳沉积4 min,在1 580℃下烧结10 min制得β″-Al2O3陶瓷。结果表明PVA用量(质量分数)为0.3%时制得的β″-Al2O3结构紧密、电导率最优。     

磷予淀积中杂质分布的工艺控制

本文通过磷表面浓度,磷结深度和磷源与磷分布之间联系的建立,揭示在磷扩的工艺控制中扩散温度、扩散时间、通源量和气氛等工艺因素对杂质分布的作用。     

多次扩散后杂质分布的简单表达式

在现代半导体工艺中有多次不同温度的扩散过程。文章分析了经历这些扩散过程后的杂质分布并且给出了一个简单的表达式。文章指出多次扩散后的杂质分布可以用一个有效扩散长度来表征并且给出了有效扩散长度和各次扩散过程的扩散长度的关系。表达式的结果同工艺仿真软件SUPREM 4符合的很好。文章还给出了如何应用表达式的例子。     

新型外延材料与器件的杂质分布测绘仪

杂质分布分析是研究半导体材料与器件的一个重要环节。本文介绍了一种精确而易于使用的联机测量仪器,用这种仪器能够测量完成器件(即使已封装)或材料切片的杂质分布,掺杂浓度分布(N对w)直接描绘在X—Y记录仪上。对于一给定器件仪器不需改变标准即可测量到三个数量级的掺杂浓度变化。这种仪器工作的物理原理简单,但电子装置复杂。仪器的关键部分是工作在1兆的精密自动电容测量网络。在二极管上同时加以扫描直流偏压与可控交流“抖动”信号,即在电容测量网络产生分别正比于C与dc/dv的直流和交流输出信号。这些