Direct parameter-extraction method for HBT small-signal model

An accurate and broadband method for the direct extraction of heterojunction bipolar transistor (HBT) small-signal model parameters is presented in this paper. This method differs from previous ones by extracting the equivalent-circuit parameters without using special test structures or global numerical optimization techniques. The main advantage of this method is that a unique and physically meaningful set of intrinsic parameters is extracted from the measured S-parameters for the whole frequency range of operation. The extraction procedure uses a set of closed-form expressions derived without any approximation. An equivalent circuit for the HBT under a forward-bias condition is proposed for extraction of access resistances and parasitic inductances. An experimental validation on a GaInP/GaAs HBT device with a 2×25 μm emitter was carried out, and excellent results were obtained up to 30 GHz. The calculated data-fitting residual error for three different bias points over 1-30 GHz was less then 2%     

SiGe HBT器件的研究设计

研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT,并对SiGe HBT设计进行了研究分析。给出了双极晶体管的结构和关键工艺参数,并进行了流片测试,结果表明,在室温下电流增益β大于1500,最大达到3000,Vceo为5V,厄利电压VA大于10V,βVA乘积达到15000以上。这种器件对多晶Si发射极As杂质浓度分布十分敏感。     

SiGe HBT MEXTRAM模型参数的直接提取

提出了一种锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)MEXTRAM集约模型参数的直接提取方法。该方法通过有效地区分各种器件物理效应对器件性能的影响,无需电路仿真器,就能够提取器件的模型参数,简便实用。通过提取实验制备的SiGe HBT器件的整套MEXTRAM模型参数,仿真曲线与测试数据吻合良好,证实了该方法的精确性和有效性。     

机载天线电磁兼容技术分析

随着机载天线的广泛应用,电磁兼容问题的分析非常重要。针对机载天线的特点,首先对机载天线电磁兼容的核心问题和主要解决途径进行了简要介绍,论述了机载天线隔离度的定义及计算方法,对常用的有限元法、物理光学、几何光学和几何绕射理论等天线电磁兼容技术分析方法进行了比较,最后结合飞机系统的具体情况提出采用混合方法分析机载天线电磁兼容技术问题。     

SiGe BiCMOS工艺中HBT的关键制造工艺研究

研究了0.18μm SiGe BiCMOS中的核心器件SiGe HBT的关键制造工艺,包括集电极的形成、SiGe基区的淀积、发射极窗口的形成、发射极多晶的淀积、深孔刻蚀等,指出了这些制造工艺的难点和问题,提出了解决办法,并报导了解决相关难题的实验结果。     

SiGeHBT的二维数值模拟分析设计

采用适合于亚微米器件模拟的流体动力学模型 (HDM) ,对 Si Ge HBT的亚微米器件模拟软件进行了设计。在 SMDS1.0模拟软件 [1]的基础之上 ,软件的设计仍采用面向对象技术 ,因而该软件仍将保持良好的可扩展性等特点 ,并可简单扩展应用于其他亚微米器件的模拟     

电磁环境中电子器件的失效分析

以现在应用较广泛的电子器件-MOS器件在电磁环境中的失效建模为例,针对MOS器件受到电磁脉冲和周期脉冲的冲击后,所表现出来的失效特征,得出它符合基于随机过程的退化失效模型所描述的结论.根据结论和两种电应力的特点,分别提出基于随机过程的失效建模和动态应力-强度干涉建模.通过模型的建立和分析,初步制定出电子器件失效的试验方案.     

用于SiGe HBT器件的UHV/CVDn-型硅外延研究

利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,在掺As n+型Si衬底上生长了掺P n-型Si外延层.用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和PH3气体流量下生长的Si外延层的过渡区厚度.结果表明,生长温度对n+-Si衬底的As外扩有明显影响,在700℃下生长的Si外延层的过渡区厚度为0.16μm,而在500℃下仅为0.06μm,且杂质分布非常陡峭.X射线双晶衍射分析表明在700℃下生长的Si外延层的质量很高.制作的锗硅异质结晶体管(SiGe HBT)的击穿特性很硬,击穿电压为14.5V,在 V CB =14.0V下的漏电流仅为0.3μA;输出特性很好,在 V CE =5V, I C=3mA时的放大倍数为60.     

用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn~-型硅外延研究

利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,在掺Asn+型Si衬底上生长了掺Pn-型Si外延层.用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和PH3气体流量下生长的Si外延层的过渡区厚度.结果表明,生长温度对n+-Si衬底的As外扩有明显影响,在700℃下生长的Si外延层的过渡区厚度为0.16μm,而在500℃下仅为0.06μm,且杂质分布非常陡峭.X射线双晶衍射分析表明在700℃下生长的Si外延层的质量很高.制作的锗硅异质结晶体管(SiGeHBT)的击穿特性很硬,击穿电压为14.5V,在VCB=14.0V下的漏电流仅为0.3μA;输出特性很好,在VCE=5V,IC=3mA时的放大倍数为60     

硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展

综述了硅直接键合（SDB）技术在绝缘栅双极晶体管（IGBT）、静电感应晶闸管（SITH）及MOS控制可关断晶闸管（MTO）等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管（IGCT）和集成门极双晶体管（IGDT）的设想,并给出了相应的工艺方案。     

100mm InGaP/GaAs HBT及相关电路关键工艺

对100mm In0.49Ga0.51P/GaAs HBT器件及相关电路制备中的In0.49Ga0.51P腐蚀问题、聚酰亚胺平面化、空气桥等几项关键工艺进行了研究，解决了器件及电路制备过程中出现的难题，尤其是用很简单的方法解决了In0.49Ga0.51P腐蚀过程中经常出现的腐蚀“岛”问题，并且成功地制作出所设计的器件及电路．     

100mm InGaP/GaAs HBT及相关电路关键工艺

对100mm In0.49Ga0.51P/GaAs HBT器件及相关电路制备中的In0.49Ga0.51P腐蚀问题、聚酰亚胺平面化、空气桥等几项关键工艺进行了研究,解决了器件及电路制备过程中出现的难题,尤其是用很简单的方法解决了In0.49-Ga0.51P腐蚀过程中经常出现的腐蚀"岛"问题,并且成功地制作出所设计的器件及电路.     

超结MOSFET功率器件的终端技术分析

为了改善超结MOSFET功率器件的终端击穿特性,提出了一种平面结终端技术,应用柱坐标下的泊松方程证明了这种技术的可行性。提出了超结功率器件终端技术的工艺实现方法并分析了终端结构的电压特性,使用这种超结终端技术仿真得到了一个600V的Coolmos。利用2维仿真软件Medici讨论了终端p柱的数量和宽度因素对击穿电压和表面电场的影响。结果发现,采用变间距的超结结构本身就可以很好地实现超结MOSFET功率器件的终端。     

CRT电磁泄漏机理分析与接收装置的设计

分析了CRT电磁泄露的机理,研究了电子加速场和CRT辐射源在信息泄露中的特点,并在此基础上,设计了一种接收装置,使微弱、高频电磁信号重现成为可能.该装置采用Upe1658的前置放大和东芝的TA7680中放集成电路,结构简单、合理并达到了设计要求.     

A Source-Model Technique for the Analysis of Transient Electromagnetic Scattering by a Periodic Array of Cylinders

The source-model technique is applied to the solution of the problem of electromagnetic scattering by a periodic array of perfectly conducting cylinders illuminated by a transient plane wave. Special attention is given to the non-causality problem arising in the case of oblique incidence. This problem is alleviated by utilizing a transformation specifically tailored to the source-model formulation in a manner that significantly reduces the number of unknown future values that are required at each time step. Using this transformation, together with a band-limited extrapolator, it is possible to obtain a relatively stable solution that provides a satisfactory degree of accuracy for a wide range of incidence angles. To exemplify the use of this technique, we apply it to the case of circular cylinders.     

引信电磁保险机构降低功耗影响因素分析

针对引信电磁保险机构功耗较高,在引信应用中受到限制的问题,通过对电磁保险机构降低功耗影响因素分析,得出电磁保险机构功耗对工作性能的影响规律：降低工作电压、减小线圈线径、弹簧的预抗力、弹簧刚度或增加线圈匝数有利于降低功耗,但会使电磁保险机构工作性能下降。仿真研究表明：功耗减小45%,电磁保险机构响应时间增加49%。     

电子冷却装置中电磁屏蔽材料的应用

基于电子冷却装置的工作原理,总结了电子冷却装置常规电磁材料的选用和设计,并根据电子冷却设备使用特点及电磁环境的要求,介绍了屏蔽衬垫的应用方法和通风口屏蔽设计.     

透过专利分析看电子设备冷却技术发展概况

目前电子设备中各种电子元件功率密度迅速增加,导致温度快速上升,故障数大大增加,使得冷却技术成为影响电子设备的发展的要素.通过对国内外电子设备冷却技术领域的专利文献进行分析,给出该领域申请量分布趋势,列出主要申请人的申请量分布图,分析现阶段电子设备冷却技术的发展概况,并为国内企业发展给出建议.     

单片微波集成电路的快速电磁仿真技术

本文概述了单片微波集成电路(MMIC)电磁仿真的基本原理,提出了电路特性参量的直接摘取法,研究了两项矩阵降阶技术,从而建立了一套省时、实用的MMIC快速电磁仿真技术。两个仿真实例证明了该技术的有效性,仿真速度约可提高一个数量级。     

与HBT工艺兼容的新型负阻器件的研制与分析

在HBT工艺基础上,通过对器件结构的特殊设计,研制出了一类新型三端负阻器件,其恒压控制型负阻的PVCR大于800,并伴有恒流控制型负阻。通过atlas器件模拟软件进行模拟后对其物理机制进行了解释。该器件既能保持HBT高频、高速的特点,又具有负阻、双稳、自锁等特性,同时与普通台面HBT工艺兼容,易于集成,是一种具有研究和应用价值的新型负阻器件。