IR推出新型MOSFET器件

     

IR新型HEXFET MOSFET芯片组

国际整流器公司(IR)近日推出两款新型30VHEXFET功率MOSFET,可将30V45A两相同步降压转换器MOSFET解决方案的轻负载效率提升2%,用于驱动笔记本电脑及其他高性能计算应用中的Intel和AMD新型处理器。这两款新型无铅器件分别是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF,通过优化传导、开关和体二极管     

IR新型DirectFET MOSFET转换器芯片组

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出新款20V DirectFETMOSFET同步降压转换器芯片组———IRF6610和IRF6636。据称这款小型罐式DirectFET MOSFET对性能相当于一对SO-8MOSFET,但体积却减小了40%,特别适合对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点(Point-of-l     

IR推出新型HEXFET功率MOSFET

ＩＲ公司的新型１００ＶＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴＩＲＦＢ４７１０及ＩＲＦＳ４７１０增强了４８Ｖ输入、半桥或全桥拓扑技术的功率密度 ,可用于通信设备所需的高性能直流 -直流转换器。ＩＲＦＢ４７１０采用ＴＯ -２２０封装 ,额定电流可达７５Ａ ,使用该器件可使设计人员只用较少的器件即可获得所需的额定电流 ,从而减少设备的体积、重量和电源成本。ＩＲＦＢ４７１０及ＩＲＦＳ４７１０型ＭＯＳＦＥＴ的导通电阻（ＲＤＳ（ｏｎ））比以往器件低４０ % ,因此其效率更高和操作温度更低。在３５０Ｗ功率时 ,使用４个ＩＲＦＢ４７１０可…     

IR推出三款新型25V DirectFET MOSFET

Altera公司开始发售Stratix Ⅱ GX系列的EP2SGX130器件，该器件是业界容量最大的带有嵌入式收发器的FPGA。EP2SGX130的等价逻辑单元（LE）数量超过132000个，为设计人员提供了丰富的逻辑资源，帮助他们实现多种协议或者非常复杂的知识产权。设计人员可以采用单个器件．非常经济的满足多种市场和客户的需求。此外．EP2SGX130器件具有20个功能完善的多吉比特收发器．使其成为PCIExpress桥接和多端口线路卡应用的理想选择。     

IR展示超小型DirectFET MOSFET

功率半导体公司——国际整流器公司(IR)9月推出了超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻 (RDS(on))为8.5mW,IRF6618同步MOSFET的典型通态电阻则为1.7mW,两者均采用IR的DirectFET封装。IRF6608的体积较标准SO-8封装小一半,它是首项采用崭新双面冷却、表面贴装式DirectFET“S”封装的HEXFET MOSFET。器件仅高0.7mm,远小于SO-8封装的1.75mm。与市场上的同类控制MOSFET产品相比,IRF6…     

IR推出全新基准MOSFET

IR推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。     

IR推出采用新型WideLead封装的车用MOSFET系列

可减少50%引线电阻,同时提高30%电流 国际整流器公司（IR）推出采用新型WideLead TO-262封装的车用MOSFET系列,与传统的TO-262封装相比,可减少50%引线电阻,并提高30%电流。     

IR推出用于DC-DC降压转换器的新型DirectFET MOSFET芯片组

国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)近日推出新型的DirectFETMOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于下一代采用Intel和AMD处理器的高端台式电脑和服务器,以及先进的电信和数据通信系统等高频率、大电流的DC-DC转换器应用。例如,电流为130A的五相转换器如果采用最新的IRF6619和IRF6633芯片组,可在一个紧凑的面积上实现85%的效率。IR中国及香港销售总监严国富指出:“IRF6619和IRF6633芯片组能在处理器电源系统的每相位中取代4个标准的D-PakMOSFET,可以减少一半的元件数量,并为每个相位减少一半以上的占板空间…     

IR推出多用途80V MOSFET

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出 IRF1312型 HEXFET功率MOSFET,额定电压达 80 V,可用作隔离式直流 -直流转换器中的原边和副边 MOSFET,专攻网络通信及数据通信系统领域。作为原边 MOSFET时 ,IRF1312能用于高达 6 0 V最大输入电压 ,因此最适用于 36 V至 6 0 V及 4 8V稳压输入母线隔离式直流 -直流转换器应用中的半桥或全桥结构。与同类 75 V MOSFET相比 ,其 80 V额定电压提供额外 6 %的防护带 ,使设计更加坚固耐用。作为副边 MOSFET时 ,IRF1312能在 12 V应用中提供比标准 75 V M…     

IR发布AC-DC同步整流MOSFET

国际整流器公司(IR)日前发布了了一系列针对AC-DC同步整流和ORing电路的新型75V和100V HEXFET MOSFET。这款新推出的MOSFET具有极低的导通电阻．对便携式／LCD适配器和服务器AC-DCSMPS等应用来说．有助于提升效率和功率密度。新组件适用于很多不同AC-DC拓扑技术的次级部份，包括回扫、半桥、全桥和正向转换器。     

IR新型40V同步整流MOSFET 优化电信和数据通讯应用

电源管理供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)宣布推出IRF7842 40V N沟道HEXFET功率MOSFET,优化了电信系统中的隔离式直流-直流转换器。 IRF7842的额定电压为40V,若用于电信及数据系统的副边同步整流电路,则有助于增强系统的可靠性。这些系统的输入电压范围较宽,一般在36V到75V     

高压高速功率MOSFET驱动器IR2110

ＩＲ公司推出的ＭＯＳＦＥＴ和ＩＧＢＴ驱动ＩＲ２１１０，功耗低，浮置电源采用自举电路输入与ＣＭＯＳ兼容，具有滞后电压锁定。本文较详细地介绍了该器件的内部结构，管脚功能，该器件可用于开关电源，电机驱动，电子镇流器和充电器中，本文还给出了几种实用电路。     

IR StrongIRFET MOSFET新增60 V器件

正全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。全新60 V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻(RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管,以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪     

IR推出超小型优化DirectFET MOSFET芯片组

功率半导体厂商国际整流器公司(IR)日前推出超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的VRM10.x大电流同步降压转换器。 最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻(R_(DS(on)))为8.5毫欧,IRF6618同步MOS-FET的典型通态电阻则为1.7毫欧,两者均采用IR的DirectFET封装。