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本文提出了一种新型的毫米波Gunn振荡器。在设计上利用了无辐射介质波导和谐振帽振荡器的优点。实验结果表明,这是一种很有发展前途的毫米波源。 相似文献
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本文介绍了一种宽带机调Gunn振荡器。该振荡器结构简单可靠,单只振荡器就几乎可覆盖整个W波段,振荡器的最大输出功率可达25mw,在所有各频率点上的电调带宽约为450MHz。 相似文献
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徐金平 《红外与毫米波学报》1996,15(3):224-228
根据GaAsGunn器件的谐波大信号特性,应用描述函数法对毫米波二次谐波振荡器的电路特性进行了研究,分析了振荡频率和输出功率随器件大信号特性参数与外电路参数变化的规律,所得结论与实验结果一致。 相似文献
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本文提出了W波段Gunn管谐波型光控振荡器的设计方案。该方案在振荡器的基波腔内填充本征半导体Si片,并通过光纤将半导体激光器产生的光束耦合到Si片,以达到光对振荡器工作频率的控制。在实验中采用波长为0.863μm的激光照射Si片,取得了光控频率达7MHz的结果。 相似文献
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本文讨论了用于制成一毫米波腔体稳定砷化镓耿氏振荡器的设计方法,以获得有利降低相位噪声和提高频率的稳定度。 相似文献
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设计并讨论了一种新颖的完全基于CMOS静态逻辑反相器设计的数字控制振荡器DCO结构(Digitally-Controlled Oscillator),这种数字控制振荡器采用全数字电路构成,较之LC振荡器更加易于设计和制造,适合于高频高性能数字锁相环的应用。电路结构的仿真采用Spectre仿真器,基于STMicroelectronics CMOS 90nm工艺,在1.2V电源电压下实现了1GHz~6GHz的数控振荡频率变化范围,功耗为0.1mW~3mW,10MHz的频率偏移处的相位噪音约为-114dBc/Hz。 相似文献
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提出了一种新的两级环形振荡器结构,通过控制PMOS的衬底电压,来降低PMOS管的阈值电压,从而使新的环形振荡器可以在低电压下工作到很高的频率。仿真结果表明,在电源电压为1V,调节电压在0~1V范围内变化时,振荡器的频率为300MHz-4GHz。 相似文献
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利用负阻振荡的工作原理,使用ADS和HFSS仿真软件对K波段介质振荡器进行了仿真设计,加工并进行了测试,同时设计了一个双工器,使基波和谐波分别从两个端口输出。通过实测结果可以看出,双工器很好地起到了隔离作用。介绍了介质振荡器设计的重点,阐述了双工器的工作原理,分析了介质谐振器和微带线耦合的等效电路,最后给出了介质振荡器(DRO)的实测结果:在基波输出端口,输出功率为6.75 dBm,二次谐波抑制度为23 dBc,相位噪声为-96.28 dBc/Hz@100 kHz;在谐波输出端口,输出功率为1.86 dBm,基波抑制度为23 dBc,相位噪声为-87.65 dBc/Hz@100 kHz,达到很好的分离作用,达到预期效果。 相似文献
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《阴极杂志》1966年,第23卷,第四期刊登了一篇文章,叙述采用8600系列小型三极管的两个分布反馈带状线振荡器的设计。本文对带状线振荡器的设计和装配作进一步的研究,即高工作比运用时三极管的散热问题;振荡器负载与三极管的匹配问题,以提高板极效率;以及不采用夹具或其他固紧装置,对温度变化有很好的频率稳定度的装配技术。带状线振荡器的散热技术早期设计的带状线振荡器工作比限制在0.001以内,是因为所制成的固体介质振荡器中填充的是导热性差的浸渍有聚四氟乙烯的玻璃纤维板。三极管中产生热量的主要来源是打上阳极表面的电子的动能转变成的热量。这种 相似文献
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本文介绍一种采用线性微波CAD软件进行非线性微波电路(振荡器)设计的方法。结合实例,给出了一个2.0GHz微带线振荡器的设计过程。此方法可以推广到微带VCO和微带DRO的设计之中去。经验证,本方法在振荡器的设计中很有效。 相似文献
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Peter Sinclair 《今日电子》2006,(4):43-43,45
如果说电子系统的头脑是处理器,那么它的心脏就是能提供系统时序的频率控制器,这两者都是实现整体功能的重要部件。当前,市场对频率控制部门的要求基本上同对整个电子行业的相一致,即高性能、多功能、小型封装、低功耗、低价格和更短的设计周期。在快速的技术发展浪潮面前,领先的半导体公司所做出的努力自不必说,而时序振荡器及其他时序元件的设计和制造者也在力求能跟上这种趋势。 相似文献
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本文介绍一种采用线性微波CAD软件进行非线性微波电路(振荡器)设计的方法。结合实例,给出了一个2.0GHz微带线振荡器的设计过程。此方法可以推广到微带VCO和微带DRO的设计之中去。经验证明,本方法在振荡器的设计中很有效。 相似文献