直拉法生长的硅单晶中碳氧平衡

硅中碳和氧是重要的非金属杂质,它们对硅单晶的性质有着重要影响。硅中碳、氧浓度关系引起了国内外的重视。本文利用已有的研究成果,从物理化学的角度,进一步提出了硅中碳氧平衡模型,用实验证实了这一平衡的存在,并为降低和控制硅中碳、氧含量进行了实验研究。     

直拉法生长锗单晶的水平放肩工艺实践

详细介绍了水平放肩工艺措施的技术特点，及其在锗单晶生产中的应用效果。并与常规的慢拉放肩工艺进行了比较。     

直拉法生长钇系超导单晶

日本超导技术实验室用 CZ 法成功地制备了一只钇系超导单晶,此单晶为5mm 见方的四角形晶体。生长用熔体配料为5%钇、30%钡及65%铜,以钐为籽晶进行提拉生长。生长温度970℃,拉速0.2～0.5mm/h,转速10～20rpm。经25h 生长,制成了5mm 见方、4mm     

直拉法生长单晶中的微分凝行为

为深入研究晶体生长的微分凝行为与热场及生长参数对它的影响,本工作采用了生长界面线的方法,在普通单晶炉内,坩埚外面放置同心的热管、用B_2O_3覆盖、红外屏蔽、零重力下生长锗单晶,对掺杂分布和生长参数的关系进行了分析。不论采用什么方法改善直拉法生长单晶的质量,只要使晶体生长界面处的热紊流尽量减小,则可获得高质量的晶体。     

Φ200 mm硅单晶的生长工艺特点

在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。     

生长大直径区熔硅单晶的工艺

本文所提供的资料是关于如何解决在一个大气压的氩气氛下浮区生长80毫米直径单晶的问题。成功地生长直径80毫米硅单晶很大程度取决于经矿处理(整形)的多晶棒料的直径、籽晶晶向、熔区长度、转速、移动速度,拉完单晶长度以及晶体支承机构等因素。调节好这些参数可获得最佳的生长条件。早期在控制74毫米或更大直径晶体时曾碰到下面的问题:需提供更大的功率以便熔化直径较大的硅棒,为了提高有效功率必须进一步改变线圈的几何形状;以及用生长小直径用的拉速在熔硅时可能会发生凝固或溢出。     

Φ20mm硅单晶的生长工艺特点

在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚泊选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转瘃规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。     

直拉法生长单晶硅熔体流动实验模拟（下）

六、热对流及其与强迫对流的作用 (一)埚壁加热引起的热对流 ω_s=ω_c=0时,仅加热埚壁和冷却圆盘,液体产生自然对流环流。埚壁附近液体受热上浮,中心处圆盘下液体下沉。如图11所示。热对流强度由格拉晓夫数决定。     

直拉法生长单晶硅熔体流动实验模拟（上）

本文从相似理论出发,导出了实验模拟直拉法生长单晶硅(CZ-Si)熔体流动状态所需满足的相似条件,并以此为根据,对CZ-Si熔体流动状态进行了实验模拟。恒温液体中的液流以液体柱的存在为特征;非恒温液体中液流是轴对称的。运用旋流理论对恒温液体中液柱的形成及其运用规律进行了理论分析。本文还研究了圆盘转速和坩埚转速对某些重要区域温度分布及其稳定性的影响。     

Φ105 mm区熔硅单晶的生长工艺研究

介绍了FZ硅单晶的熔区悬浮原理 ,说明了生产Φ10 5mmFZ硅单晶所用多晶原材料的技术标准 ,通过对不同形式的加热线圈进行分析 ,指出了较理想的加热线圈 ,讨论了反射器和改进后的晶体夹持装置的具体应用。对Φ10 5mmFZ硅单晶的关键生长工艺进行了描述     

大直径区熔硅单晶生长工艺的初步探讨

一、前言大直径区熔硅单晶是制备高压大功率半导体器件,诸如可控硅、整流器等必不可少的主要原材料。近年来,3英寸、4英寸的大直径区熔硅单晶也开始用于制备大规模和超大规模集成电路,所以国外对此类产品     

直拉硅单晶生长中氧的分布与控制

硅中的间隙氧对于器件有着有害和有益的作用。因此,控制硅中氧的掺入和改进氧浓度轴向和径向分布是十分重要的。本文评述了硅中氧的掺人机理,描述了硅中氧的轴向和径向分布及氧条纹,给出了几种改进硅单晶生长中氧浓度分布的方法。     

水平磁场下18英寸直拉硅单晶生长工艺的三维数值模拟

利用计算机模拟仿真技术对适用于生长18英寸直拉单晶硅的40英寸热场在水平磁场下的生长工艺进行三维模拟仿真计算,重点分析了不同强度水平磁场作用下熔体和晶体中的温度场分布、熔体中流场的变化及其对晶体生长固/液界面形状的影响及其变化规律,并进一步研究了不同水平磁场强度对熔体和晶体中氧杂质含量分布影响。数值模拟计算结果表明:由于外加水平磁场的引入,熔体的流动呈现完全的三维、非对称特点,从而导致熔体内的温度场、氧杂质的分布呈现明显的三维非对称特性;水平磁场强烈影响固/液生长界面下熔体的流动特性,从而显著影响熔体的固/液生长界面形状及氧杂质传输过程。     

纯氩气氛下生长直径70毫米区熔硅单晶的工艺

本文概述了拉制大直径区熔硅单晶的试验工作,着重介绍硅单晶的生长设备、氩气净化、加热线圈、操作参数、等诸方面的工艺技术条件。     

GH901合金采用电渣重熔工艺时Ti含量的控制研究

主要讨论了GH901合金采用电渣重熔工艺时，不同Ti含量的母材在电渣重熔过程中经过脱氧荆添加量的调整冶炼出合格的电渣锭，进而得出该合金采用电渣重熔工艺时根据母材Ti含量的不同，添加合理的脱氧剂量。     

溶剂萃取工厂采用联合混合澄清器与采用常规混合澄清器时的费用比较

戴维 马吉(Davy Mckee)公司研制成功了一种液液萃取器——联合混合澄清器(CMS),并已投入工业生产,该设备已用于从含低浓度铀的稀硫酸浸出液中回收铀。 CMS与常规混合澄清器比较,除操作简便外,还可减少投资费。 典型的南非铀溶剂萃取工厂提供了采用这两种设备的投资费用资料。该厂每小时处理250米~3U_5O_8浓度低于0.200克/升的溶液。     

CZ法硅单晶生长中(dT/dx)_(S-L)与热系统结构的关系

实验测量了用CZ法生长硅单晶时(dT/dx)_(s-L)与热系统结构的关系。△T-x曲线呈非线性。指出了曲线斜率发生较大变化的a点的位置在硅单晶生长中的重要意义。为硅单晶生产中设计热场提供了依据。     

采用LD-RH-CC工艺生产低碳铝镇静钢技术开发与实践

莱钢炼钢厂为了提高LD-RH-CC工艺生产低碳铝镇静钢技术水平,通过开发全工序低硫冶炼控制技术,构建RH环流模型,开发新型炉渣改质剂,开发连铸机无氧化全保护浇注工艺技术,提高了钢水洁净度,实现了LD-RH-CC工艺稳定控制。其中RH精炼炉终点硫的质量分数控制在0.006%,连铸机浇注炉数达到10炉以上,钢中氮、氧的质量分数达到0.02%以内,稳步推进RH精炼炉冶炼低碳铝镇静钢工艺技术发展。     

采用OHTP生产低成本X80管线钢工艺研究与实践

 钢铁市场进入微利时代,提高企业竞争优势的出路在于科技创新、优化工艺,实现低成本生产品种钢战略。针对上述问题,邯钢结合炼钢和轧钢技术装备能力,采用了低碳、高铌以及较低的Cu、Ni、Mo成分设计,采用优化的HTP(OHTP)工艺生产出大厚壁、低成本的X80高级别管线钢。检测结果表明,采用OHTP工艺生产的X80管线钢显微组织、力学性能、－15℃落锤性能均符合国家标准和用户的要求。同时,采用OHTP轧制工艺生产的X80管线钢具有优良的低温韧性,完全满足西气东输二线项目对大壁厚X80管线钢热轧钢板的技术要求。