纳电子器件

随着电子器件的小型化 ,器件的尺寸已经到了介观尺寸 ,传统的器件日益接近其物理机理的禁区 ,一些新的介观器件随之出现。本文根据介观系统的新特点 ,介绍了几种典型的纳电子器件 ,并简单地介绍了量子干涉器件、共振隧穿器件、单电荷转移器件 ,量子点元胞自动机的工作机理和各自所体现的介观效应     

纳电子器件

随着电子器件的小型化，器件的尺寸已经到了介观尺寸，传统的器件日益接近其物理机理的禁区，一些新的介观器件随之出现。本文根据介观系统的新特点，介绍了几种典型的纳电子器件，并简单地介绍了量子干涉器件、共振隧穿器件、单电荷转移器件，量子点元胞自动机的工作机理和各自所体现的介观效应。     

纳米电子器件

概述了用于超高密度集成电子计算机的纳米尺寸电子开关器件的研究进展。讨论了场效应晶体管的两类替代物：（１）量子效应的单电子固态器件；（２）分子电子器件。提出了每一类器件的分类方法，描述了其在工作原理并对各种器件进行了比较。     

纳电子器件的少电子输运性质及应用

在介绍纳电子器件基本输运理论基础上,着重分析量子点结构器件模型,讨论了量子点上能级分立和电子填充的各种情况,以及电子自旋的影响,特别强调了纳米限制系统中局域态电子和非局域态电子相互作用特征。综述了目前纳电子器件的研究进展及其应用。     

纳电子器件谐振隧道二极管的研制

采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管(RTD),有相当好的I-V特性.对于5μm×5μm的RTD器件,在室温条件下,测得其峰谷比最大可到7.6∶1,最高振荡频率大于26GHz.     

纳电子器件谐振隧道二极管的研制

采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管(RTD),有相当好的I-V特性.对于5μm×5μm的RTD器件,在室温条件下,测得其峰谷比最大可到7.6∶1,最高振荡频率大于26GHz.     

纳米电子器件

概述了用于超高密度集成电子计算机的纳米尺寸电子开关器件的研究进展。讨论了场效应晶体管的两类替代物： （１） 量子效应和单电子固态器件, （２） 分子电子器件。提出了每一类器件的分类方法, 描述了其工作原理并对各种器件进行了比较     

纳电子器件的少电子输运性质及应用

在纳电子器件运输工程中,需要将纳电子器件的少电子输运性质进行有效的分析,以此充分发挥出纳电子器件的少电子所蕴藏的巨大作用。另外,也要加强纳电子器件少电子的应用,促进我国纳电子器件的发展。     

单电子器件

单电子器件作为新一代器件──量子效应器件中的重要一类，其研究工作已愈来愈被人们重视。本文对这一工作进行了较全面的回顾，同时也讨论了库仑抑制等基本效应，这是此类器件的设计基础。分析了制备单电子器件的关键技术，并简要介绍了器件的潜在应用前景及目前的研制动态。     

微纳加工技术的优势及其在电子器件领域中的应用研究

微纳加工技术在集成电路技术的应用中占据着重要的地位,为了满足相关工业领域的要求,需要寻找出新透镜、短光源、高精度的加工技术,而微纳加工技术就是其中的首选.本文主要针对微纳加工技术在微纳电子器件领域的应用进行分析.     

纳米电子／光电子器件概述

概述纳米电子／光电子器件的类型，提出发展纳米电子／光电子器件的几点建议。     

半导体量子电子和光电子器件分析

文章主要阐述了半导体异质结构电子的量子特性,对半导体量子电子和光电子器件进行科学的分析,其中,对电子波输运状况、库仑阻塞效应等作出了一定分析基础上,介绍了几种较为新颖的、具有代表性的量子电子器件和量子光电子器件的物理模型,并对半导体量子电子和光电子器件运行的基本原理作出了科学的理解。     

半导体器件的发展与固态纳米电子器件研究现状

简要回顾了半导体电子器件由真空电子管到固体晶体管,直至纳米电子器件的发展历程。分别比较了不同的半导体电子器件的材料、理论和所采用的制备技术。在此基础上综述了当前较热门的纳米电子学和固态纳米电子器件,并由纳米器件的分类简单介绍了当前固态纳米电子器件的三个部分,即量子点、谐振隧穿器件和单电子晶体管。最后对半导体器件的发展提出了展望。     

从微电子到纳电子

从器件优值(功耗-延时积)出发，在介绍了微电子和纳电子技术发展现况的同时，讨论了从微电子到纳电子的演变本质；同时指出，信息处理系统在SOC(片上系统)发展过程中变革的必然性，最后对纳电子学与微电子学内涵的主要差别进行了预测。     

有互感的介观电感电容耦合电路的量子效应

利用正则变换和幺正变换的方法研究了有互感的介观电感电容耦合电路的量子效应，并把介观电感电容耦合电路和另外几种耦合电路进行了比较。发现在耦合电容存在的有互感的电路中，通过调节互感耦合系数来控制电路的量子涨落和压缩效应是很方便的。电路中电荷和电流的不确定关系与正则变换参数ψ和不确定关系参数ξ有关。当ξ→1或ψ→nπ／2(n=0，1，2，…)时，电荷和电流的不确定关系接近最小值h／2。     

新一代电力电子器件——IGBT

电力电子器件既是电力电子技术的基础，也是电力电子技术发展的强大动力，电力电子技术的每一次飞跃都是以新型功率器件的出现为契机的，ＩＧＢＴ是在功率ＭＯＳＦＥＴ工艺基础上发展起来的产物，它是兼有ＭＯＳＦＥＴ的高输入阻抗，高于关速度和ＧＴＲ大电流密度特性优点的混合器件，在大，中功率应用场合已经逐步取代传统的ＧＴＲ，ＧＴＯ器件，它和ＭＯＳＦＥＴ，ＭＣＴ一起，成为现代电力电子技术中最具有活力的功率开关器件，本     

有限温度下介观LC电路中的量子涨落

在有限温度下,介观电路系统实际上并不处在一个确定的量子状态,而是处在混合态.利用量子正则系综理论研究了介观LC电路在混合态下电荷和电流的量子涨落.结果表明,有限温度下介观LC电路中的量子涨落不仅与电路器件参数有关,而且与温度也有关.温度越高,电路中的量子涨落越大.该方法较热场动力学(TFD)方法更易于理解和应用.由于实际的介观电路总是处在有限温度下,所以其结论对控制介观电路中的量子涨落有一定的实际意义.     

从微电子到纳电子

从器件优值(功耗-延时积)出发,在介绍了微电子和纳电子技术发展现况的同时,讨论了从微电子到纳电子的演变本质;同时指出,信息处理系统在SOC(片上系统)发展过程中变革的必然性.最后对纳电子学与微电子学内涵的主要差别进行了预测.     

量子电子器件及其应用

随着半导体芯片的特征尺寸从微米量级向纳米量级挺进,半导体的量子效应现象显现。文章阐述了半导体器件中的量子尺寸效应、隧道效应、干涉效应等量子效应的种类以及利用这些量子效应制作的量子点器件、谐振隧穿器件和单电子器件三大种类量子电子器件。介绍了各类量子电子器件的原理以及它们具有超高速、超高频、高集成度、低功耗和高特征温度等优越特性,并着重介绍了各类量子电子器件的制造方法。在此基础上,指出了量子电子器件的应用及发展前景。