角型隔离开关触头接触程度对其导通特性的影响

为了研究角型隔离开关触头在不同插接情况下的导通特性,对操动机构的调整标准进行指导,文中利用线性回归、汤逊理论等建立了隔离断口电场击穿模型,并结合Ansys有限元方法计算了隔离断口在不同插入深度下的电场强度,分析了隔离开关在此情况下的导通特性。最后,根据隔离开关操动机构原理,提出了机构的调整建议。研究结果表明:在设计插入深度为32 mm的情况下,动触头插入深度b0≥23 mm时,触头可正常导通;当8 mm≤b0≤22 mm时为电弧导通,对触头电寿命危害极大;当b08 mm时为断路状态。因此,合闸时机构的调整误差应欠位在4.5 mm以内。     

固态平板Blumlein线中的GaAs光导开关导通电阻实验

为了研制紧凑型脉冲功率系统,开展了基于固态Blumlein线的GaAs光导开关(PCSS)导通电阻的初步研究实验。结合2mm厚固态平板Blumlein线,利用高功率脉冲激光二极管触发GaAs光导开关,在脉冲偏置电压下,GaAs光导开关非线性导通,经Blumlein线输出22.3 kV高压脉冲至负载,满足紧凑型脉冲功率系统的设计要求。通过偏置电压、输出电压以及Blumlein线阻抗估算光导开关的导通电阻约4.1Ω。另外,研究了GaAs光导开关非线性导通模式下的导通电阻与偏置电压和激光能量的关系。     

简介单相并联逆变器主电路的工作原理

能将直流变换为交流电的过程称为逆变。在图1所示晶闸管逆变器电路中,当V1触发导通时,电流流过变压器AO的绕组,在绕组AB的两端感应出极性为“A正B负”、大小等于2倍ud的电压来,此电压充到电容C上。如果这时触发V2,使之导通,C上电压就经V2加到V1上,由于C上电压比Ud高且极性相反,于是V1关断。由于V2导通,     

电子节能灯的原理与维修

电子节能灯具有功耗低,省电,功率因数大于85％,启动电压低(125 V),无噪声等优点,受到人们的青睐。该文笔者着重探讨其工作原理、故障维修。一、工作原理电子节能灯的原理如图1所示。上部分为主电路,下部分为过压、过流保护电路。电源经整流、滤波,经R1向C2充电,当充电达到VD6的导通电压时,VD6触发导通,加到V2管基极,导致V2导通,V1也同时导通(或截止).此时应该有高频电流通过N3、N4、C4     

康佳“C”系列新型彩电简解与检修(中)——兼答2002年4期问题例5

VD997为18V稳压管,在正常工作状态下,该保护电路均处于截止状态,当因某种原因导致各种输出电压升高(超值高出额定值的15％～20％)时,原15.5V输出电压将会超过18V,此时VD997反向击穿,使V474饱和导通,其集电极呈现低电平,使V904(C1815)基极处于低电平而截止,这便相当于遥控开机信号被短路到地,V903饱和导通,N902(“光耦器”)     

TCL王牌液晶彩电PWL42C电源板工作原理及维修(三)

10.欠压保护电路(见图10)正常工作时,ZD8和Q10饱和导通,Q10的集电极电压较低,不足以使Q12导通,此时ON/OFF通过R58、R42、R59使Q13导通,主电源正常工作;当24V、18V、12V某一路欠压时,Q10关断,其集电极电压上升至5V,     

两款电话防窃报警器

由正常的48V跌落至10V左右,此电压不足以使15V的DW_1击穿导通,于是T_1便由原来的导通转为截止,遂引起T_2、T_3导通,报警片KD-9561得电,其输出信号经T_4(直接焊在报警片上)放大后,又经R_6、LED反馈至线路、发出的报警声使窃机     

解读长虹NC—3/NC—2机芯开关电源电路及检修技巧(下)

(4)+B(+115V)负载过流保护电路:主要由R470(过流检测电阻)、VQ470、VD475、VD471(可控硅)、VQ838、VQ836等元器件组成(见图3所示)。当+B(115V)负载过流时,在过载检测电阻R470上的压阵增加→VQ470(PNP管)饱和导通→VD475(稳压二极管)齐纳击穿→可控硅VD471触发导通→+5V电压经R892、R476分压使VQ838导通→VQ836(PNP管)截止→无+5V电压输出→VQ831和VQ834均截止,控制电路分三路:一路VQ831截止→VQ842截止→VQ841导通→VQ828导通→NQ826(光电耦合器)导通     

平面圆盘型激光触发真空开关触发机制研究

高压强流脉冲开关是脉冲功率技术的重要控制单元,触发真空开关(Triggered Vacuum Switch,TVS)具有通流容量大,介质恢复速度快、欠压比小等特点,但它存在导通时延长、抖动大、容易误触发等问题。设计了长间隙激光触发真空开关(Laser Triggered Vacuum Switch,LTVS),LTVS的导通机制涉及激光烧蚀,激光照射目标材料,参与导电的物质有原子、离子、自由电子和微粒。当LTVS间隙距离为12 mm、耐受电压为30 k V时,为保证LTVS可靠导通,使用激光能量为50 m J,激光波长为1 064 nm,距离阴极端面为0 mm时,LTVS的导通时延为1μs,抖动时延为50 ns,由于激光的能量稳定,保证了LTVS的抖动时延小。使用激光触发的方式,可以缩短导通时延,隔离电磁干扰,消除开关的误触发现象。     

直流断路器用4.5kV/10kA IGCT特性研究

集成门极换流晶闸管(IGCT)由于电压等级高、关断电流能力大、通态损耗低,在直流断路器(DCCB)领域应用倍受关注。基于4英寸4.5 kV/4 kA IGCT技术基础,通过优化N-基区掺杂浓度、阳极掺杂分布及阴极梳条排布,研制出6英寸4.5 kV/10 kA IGCT。测试结果显示该器件具有良好的高温阻断能力,在高温125℃下8 kA时导通压降典型值为1.6 V,在DCCB应用拓扑回路中其关断电流能力可达到12 kA,且关断电流拖尾期间没有电压振荡现象。     

基于恒定导通时间的V~2控制方法研究

恒定导通时间控制的Buck电路瞬态响应速度快,控制电路简单,但其电压调整率差,影响了其在电压调整模块(VRM)中的应用.为了提高其电压调整率,本文首先分析了基于恒定导通时间控制的Buck电路电压调整率差的原因,提出并分析了基于恒定导通时间的V2控制,通过仿真和实验对比了这两种控制方法,结果证明了基于恒定导通时间的V2控制方法具有快速的瞬态响应,而且提高了电压调整率,与恒定导通时间控制相比更适合应用在电压调整模块中.     

900 V/10 A Si基AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研制

制作了不同阳极尺寸和阴阳极间距900 V/10 A硅(Si)基AlGaN/GaN二极管,研究了不同阴阳极间距对二极管正向导通和反向关断特性的影响。不同规格的二极管其开启电压均为0.7 V@1 mA/mm,其中正向导通电流最大为13.8 A@1.5 V,反向击穿电压均为900 V@10μA/mm。同时设计制作了小尺寸AlGaN/GaN二极管,通过测试发现小尺寸二极管的比导通电阻要优于大尺寸二极管,主要原因为大尺寸二极管上的金属布线引入了一部分附加电阻。     

无刷直流电动机的设计(19)

9．2．1“一相导通星形三相三状态”非桥式线路 （1）导通状态分析 导通顺序：所谓导通顺序是指电枢绕组各相通电的规律和与方式，在所分析的电动机中，导通顺序为U→V→W。电枢磁势相量图如图46所示。     

新型电源厚膜块KA5Q0765RT构成的开关电源的分析与检修(下)

<正>3.待机过程正常开机工作时,超级芯片N201(TMPA8853)(64)脚(P ON/OFF)输出高电平(3V)→控制管V556导通→V598(PNP管)因b极低电平而导通→对外输出B2(25V)电压。与此同时,控制管V599(PNP管)也因VD599导     

基于遗传算法的SiC MOSFET导通电阻模型

提出了一种简洁、新颖的SiC MOSFET器件导通电阻模型,该模型采用遗传算法对其不同温度下的导通电阻进行准确描述。相比于传统的导通电阻建模方案,采用进化算法可以准确地得到MOSFET导通电阻与结温之间的关系。并探究了不同种群规模、交叉率和变异率对算法的影响。为了验证模型的准确性,采用一款自主封装的1 200 V/90 A SiC MOSFET模块去验证模型的静态特性,并与传统导通电阻建模方案进行对比,其最大误差为4.1%。     

Vishay Siliconix的新款8VP沟道TrenchFET 功率MOSFET创业内最低导通电阻纪录

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，发布占位面积为1．6×1．6mm、高度小于0．8mm的新款8VP沟道TrenchFET 功率MOSFET SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一肖旨在1．2V下导通的此类器件。新款SiB437EDKT可用做智能手机、MP3播放器、便携式多媒体播放器、数码相机、电子书和平板电脑等手持设备中的负载开关。     

爱立信388/398不开机故障及检修

不开机是爱立信388/398系列手机易出现的故障,其开机电路如图1所示。接上电源,按开机键,开机二极管V702导通,电子开关V700④脚为低电平,V700导通,①脚输出电压SWDC送电源集成电路31084T、31085的③脚。稳压管V450、V451和V452输出3.75V电源供给射频电路。V760、V770和V780输     

厂家(专家)指点——关于《“行变”的检查、判断、代换及长虹“行变”型号总汇》

1. 蓝背景控制信号由TDA8362(14)脚提供,该脚电压在有信号时,输出高电平5 V;无信号时,输出低电平0.7 V。当有信号时,TDA8362(14)脚的5 V电压使三极管VB03饱和导通,集电极输出低电平0 V,从而使二极管VB01截止,不影响TDA8362(18)脚的输出。当无信号时,(14)脚输出的电压不能使三极管VB03导通,那么,该三极管集电极的高电压使二极管VB01导通,使TDA8362(18)脚的相对电位提高(2.3V左右,     

简介单相并联逆变器主电路的工作原理

能将直流变换为交流电的过程称为逆变。在图1所示晶闸管逆变器电路中,当V1触发导通时,电流流过变压器AO的绕组,在绕组AB的两端感应出极性为"A正B负"、大小等于2倍Ud的电压来,此电压充到电容C上。如果这时触发V2,使之导通,C上电压就经V2加到V1     

康佳TDA9383超级芯片彩电电源电路解析(下)

(2)从TDA16846③脚输入的电压还和内部的过零检测器相连,在开关管导通时,③脚的外接电容C919上充有上正、下负的电荷,当V901由导通转向截止时,开关电压器T901的輱訛輥～輲輥訛绕组将产生一个反向电动势,叠加在C919的充电电荷上,产生一