微量Ce对亚快速凝固Al-Zn-Mg-Cu合金组织与性能的影响

通过DSC,XRD,SEM,EDS,静拉伸实验等材料分析方法研究了Ce对亚快速凝固方式铸造Al-Zn-Mg-Cu合金显微组织与力学性能的影响,探求合理的均匀化热处理工艺。结果表明,添加Ce能减小合金枝晶间距,细化晶粒,消除分散缩孔,起到细晶和净化的作用。添加Ce使合金低熔点共晶相的初熔温度降低3℃,相同均匀化条件下微量Ce能促进低熔点共晶相溶入基体,改善合金的均匀化效果。合金A的均匀化温度应低于480℃,合金B的均匀化温度应低于470℃,添加Ce降低了合金的均匀化温度,提高均匀化效率。添加Ce还大幅度提高了合金抗拉强度。     

稀土Ce改性Mg-Zn合金的制备及性能研究

以Mg-Zn合金为基体,添加不同量含量的稀土元素Ce,通过铸造法制备了稀土Ce改性的Mg-Zn合金。采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、电子万能试验机等研究了稀土元素Ce掺入量对铸造Mg-Zn合金晶体结构、微观形貌和力学性能的影响,以期制备具有较高综合性能的稀土镁合金。结果表明,稀土Ce元素添加到Mg-Zn合金后形成了Al₄Ce,提高了Mg-Zn合金的结晶性,使合金的晶粒平均尺寸得到了细化,断裂行为呈现出韧性断裂,当稀土Ce掺杂量为0.8%(质量分数)时,Mg-Zn合金断口的韧窝数量分布最多,晶粒尺寸最小约为3.8～4.2μm;掺入稀土Ce元素后,显著提高了Mg-Zn合金的硬度、拉伸强度和断裂延伸率,当稀土Ce掺杂量为0.8%(质量分数)时,Mg-Zn合金的拉伸强度和断裂延伸率达到了最大值,分别为192.5 MPa和8.5%,此时Mg-Zn合金的硬度也基本达到了稳定值52.8 HB。综合分析可知,稀土Ce元素的最佳掺杂量为0.8%(质量分数)。     

AZ系列镁合金热模拟挤压组织均匀性研究

将AZ10,AZ31,AZ61,AZ91镁合金在Gleeble1500D热模拟试验机上进行热模拟挤压实验,并对挤压制品的组织均匀性及其影响因素进行分析。结果表明:合金含量、均匀化预处理与否及挤压比是挤压制品组织均匀性最重要的影响因素。挤压前经均匀化预处理比未经均匀化预处理的镁合金挤压组织更均匀,但晶粒更大,并且未经均匀化预处理的镁合金挤压组织具有未发生再结晶的岛状组织。合金元素含量越高的镁合金挤压组织越不均匀,但晶粒越细小。随着挤压比的增大,组织趋于均匀。     

挤压态定向凝固镁合金组织及力学性能

采用自行设计制造的定向凝固设备,制备了大直径镁合金铸锭,并采用金相显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和室温力学性能测试等手段,研究了合金元素、挤压温度和挤压比对挤压态定向凝固镁合金金相组织和力学性能的影响。研究结果表明:对于Mg-Al系二元合金,随着Al元素在0.2%～1%的范围内增加,挤压态定向凝固镁合金的强度和延伸率都逐渐增大,但Al元素的增加也导致了组织均匀化程度的降低。较低的挤压温度和较高的挤压比有利于定向凝固AZ31获得较均匀的再结晶晶粒和第二相,因此当挤压温度为623K,挤压比为80时,挤压态定向凝固AZ31合金的屈服强度、抗拉强度和延伸率分别为255MPa、312MPa和18%,具有较优良的综合室温力学性能。     

Ce的添加对SnAgCu系钎料组织和性能的影响

通过向Sn-0.3Ag-0.7Cu系无铅焊料中添加微量稀土Ce,研究不同稀土含量对Sn-0.3Ag-0.7Cu合金的熔化温度和润湿性的影响,同时利用扫描电子显微镜(SEM)对焊料的显微组织进行了分析.实验结果表明,添加Ce对焊料的熔化温度影响不大,但对合金的润湿性和微观组织影响较大.当ω(Ce)=0.10%时,焊料合金的综合性能较好.     

挤压GW102镁合金组织和力学性能

研究了Mg-9.8Gd-1.6Y-0.02Zn-0.5Zr(GW102)镁合金挤压棒材的显微组织和不同方向的拉伸性能。结果表明,经520℃均匀化处理的GW102镁合金的组织主要由过饱和镁固溶体、少量凝固期间析出的颗粒相Mg5(Y0.6Gd0.4)和非平衡相Mg3(Gd0.5,Y0.5)组成。挤压变形并在200℃时效热处理60 h后,从过饱和固溶体中弥散析出大量针片状β″相和β′相。该镁合金经过挤压变形后具有明显的各向异性,垂直挤压方向合金的抗拉强度显著低于挤压方向的抗拉强度和延伸率。GW102合金的强化,其主要原因是长周期结构相(LPSO)与位错的相互作用和晶界上无沉淀析出带的影响。     

稀土Ce和Nd对AZ31镁合金耐蚀性能的影响

采用盐雾腐蚀和动电位扫描研究了稀土元素Ce、Nd对AZ31镁合金耐腐蚀性能的影响.采用数码相机、金相显微镜和扫描电镜观察及定量金相分析系统测量分析了样品的腐蚀程度,并采用恒电位仪测量了动电位扫描极化曲线.结果表明,盐雾腐蚀试验中,合金试样腐蚀面积百分数随时间延长呈直线上升,添加稀土Ce和Nd后腐蚀速率降低50%以上.在电化学试验中.添加稀土后合金腐蚀电流密度降低了1/3～1/2.稀土可以起到提高α(Mg)固溶体耐蚀性能的作用,还可以形成含稀土的第二相并使AZ31合金中的β(Mg17Al12)相均匀分布,发挥其阻碍腐蚀的作用,从而最终提高AZ31镁合金的耐蚀性能.     

稀土元素对原位合成TiB_2/Al复合材料组织和性能的影响

采用原位合成法研究稀土元素Ce,Sc,Er对TiB_2/Al复合材料TiB_2颗粒和基体组织的影响,并对复合材料的拉伸性能进行分析。结果表明,稀土元素的添加显著改善了复合材料的组织和性能。添加0.3%(质量分数)Sc和Er的复合材料的TiB_2颗粒分布相对均匀,稀土元素Er对基体合金的组织细化效果最显著,其次是Sc。添加稀土Sc和Er元素的复合材料拉伸强度较好,分别提高了32%和31%,添加稀土Er元素的复合材料伸长率最佳,提高了85%,因此,其拉伸性能也最佳。添加稀土元素Sc和Er后,复合材料的断裂形式为微孔聚集型的韧性断裂。稀土元素对复合材料的作用机理表现在两方面:一是稀土元素的添加改善了复合材料的润湿性,并抑制了TiB_2颗粒的团聚;另一方面,稀土元素的添加使得基体合金组织细化,从而提高了复合材料的拉伸强度。     

单一稀土Ce和混合稀土RE对Sn-Zn-Cu系无铅焊锡合金性能的影响

主要研究了单一稀土Ce和混合稀土RE对Sn-Zn-Cu系无铅焊锡合金性能的影响.试验结果表明:混合稀土RE比单一稀土Ce对钎料合金的熔点影响要小;混合稀土RE比单一稀土Ce更有利于改善钎料合金的润湿性能;混合稀土添加量为0.05%时,Sn-8Zn-2Cu-0.05RE试样合金的剪切应力最大,塑性变形最好.总之,从改善钎料合金的综合性能来看,混合稀土对钎料合金的性能有很大的提高,且添加混合稀土含量不超过0.05%.     

Nd对AZ91镁合金显微组织和耐腐蚀性能的影响

用金相显微镜、扫描电镜和静态质量损失法对AZ91-xNd镁合金(x=1.1%,1.4%,1.9%)的微观组织和腐蚀性能进行表征,研究了Nd对AZ9l镁合金显微组织和耐腐蚀性能的影响.结果表明:稀土Nd的添加明显细化了合金的组织,使半连续网状β(Mgl7Al12)相变为细小的长条状,且分布更加均匀.在合金中还生成了颗粒状...     

Na0．5Bi0．5TiO3-K0．5Bi0．5TiO3无陶瓷的制备与性能铅压电

采用传统的干压成型法制备了Na0．5Bi0．5TiO3-K0．5Bi0．5TiO3无铅压电陶瓷，研究了不同K0.5Bi0.5TiO3含量对Na0．5Bi0．5TiO3-K0．5Bi0．5TiO3陶瓷的微观结构与电性能的影响规律。结果表明，Na0．5Bi0．5TiO3-K0．5Bi0．5TiO3无铅压电陶瓷随K0.5Bi0.5TiO3含量增加，晶格常数增大，密度减小，晶粒尺寸减小，压电常数先增大后减小，介电常数增大，介电损耗增加，机械品质因数下降，而居里温度不断升高，在200℃附近存在由铁电相向反铁电相转变的一个相变点，组分为0．84 Na0．5Bi0．5TiO3-K0．5Bi0．5TiO3的陶瓷位于准同型相界附近，具有最佳的压电性能。     

La0.67 Ca0.33 MnO3和La0.67 Ba0.33 MnO3中Dy的置换作用

在La0.67Ca0.33MnO3和La0.67Ba0.33MnO3中用Dy对La进行了置换研究。结果发现，随掺Dy量的增加，两类材料的居里温度和金属-绝缘体相变温度单调下降，峰值电阻率单调增加。在Ca系样品中，掺入13％的Dy后，在5T的磁场下，最大磁电阻比达到7900％。在Ba系样品中．掺Dy对磁电阻的影响要小得多。掺Dy对材料性质的影响可以用晶格效应来解释，但晶格效应产生的作用与碱土离子的品种有明显关系。     

The pluses and minuses of R0.

The concept of the basic reproduction number (R0) occupies a central place in epidemic theory. The value of R0 determines the proportion of the population that becomes infected over the course of a (modelled) epidemic. In many models, (i) an endemic infection can persist only if R0>1, (ii) the value of R0 provides a direct measure of the control effort required to eliminate the infection, and (iii) pathogens evolve to maximize their value of R0. These three statements are not universally true. In this paper, some exceptions to them are discussed, based on the extensions of the SIR model.     

Interface diffusion characteristics of Al-2 at.%Nd/n + a-Si:H and Al-2 at.%Nd/n + poly-Si bilayers

In order to use Al-2 at.%Nd as the source-drain electrode of hydrogenated amorphous silicon thin film transistors (a-Si:H TFTs) without diffusion barrier, the diffusion characteristics of Al-2 at.%Nd into phosphorus-doped (n+) a-Si:H were studied, and diffusion between Al-2 at.%Nd and phosphorous-doped poly-Si (n + poly-Si) was also investigated for comparison. The electric resistance variation of Al-2 at.%Nd, n + a-Si:H, and n + poly-Si was measured by four-point probe method at every annealing step, and each surface was inspected by optical microscope. Auger Electron Spectroscopy and X-ray Photoelectron Spectroscopy were used to analyze atomic diffusion progress with the variation of annealing temperature. Through these analyses, we ascertain that the Nd element of Al-2 at.%Nd hinders the diffusion between Al and Si, and n + a-Si:H is stable up to 300 °C and n + poly-Si is stable up to 400 °C against the diffusion of Al-2 at.%Nd. Thus Al-2 at.%Nd can be utilized as the source-drain electrode of a-Si:H TFTs below 300 °C and poly-Si TFTs below 400 °C without diffusion barrier.     

适于PMOSFET的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2的生长

通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构.采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料.经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45nm;Si1-xGex薄膜中Ge组分x=0.188,厚度为37.8nm,与设计值较接近;穿透位错主要由侧壁界面产生,集中在窗口边缘,密度为(0.3～1.2)×10.cm-2;在表面未发现十字交叉网格,且Si0.8Ge0.2衍射峰两侧干涉条纹清晰,说明Si0.8Ge0.2与Si缓冲层界面失配位错已被有效抑制.测试分析结果表明,生长的局部双轴压应变SiGe材料质量较高,可用于高性能SiGe PMOSFET的制备与工艺参考.     

Bi2O3掺量对Li0.45Ni0.2Ti0.1Fe2.25O4铁氧体显微结构及磁性能的影响

采用氧化物法陶瓷工艺,在缺铁配方的基础上,制备不同Bi2O3掺量的Li0.45Ni0.2Ti0.1Fe2.25-δO4(δ=0.06)铁氧体样品。结果表明,添加Bi2O3没有在锂铁氧体中形成杂相,烧结后陶瓷样品物相组成单一,结晶状况良好;适量的Bi2O3能有效改善材料微观形貌,促进锂铁氧体的烧结致密化,有助于提高材料的饱和磁化强度4πMs和剩磁比R,降低矫顽力Hc。Bi2O3掺量为1.5%(质量分数)的样品具有较好的综合性能,表观密度d为4.72g/cm3,饱和磁化强度4πMs为2.3T,剩磁比R为0.853,矫顽力Hc为2.3×102 A/m。     

锂离子电池用正极材料LixCo0.8N0.2O2

在控制结晶工艺合成LixCo0.8Ni0.2O2的基础上制备了锂离子电池正极材料LixCo0.8Ni0.2O2。能量散射谱分析结果表明活性材料中Co、Ni元素分布均匀。由于在控制结晶合成的前驱体Co0.8Ni0.2（OH）2中,Co、Ni均匀分布在M（OH）2中的M层,因此可以避免形成一般固溶体发生扩散性重组所需长时间的煅烧过程。扫描电子显微镜分析了表微观形貌的变化。X米衍射分析表明LixCo0.8Ni0.2O2为单一相的α-NaFeO2层状结构,不存在其它杂相;晶胞参数a和c随x变化经历了由小到大再变小的;c/a则经历了一个由大到小再变大的过程。     

Nao．5 Bio．5 TiO3 -Ko．5 Bi0．5 TiO3系铁电体的相变研究

研究了(Na1-xKx)0.5 Bi0．5 TiO3体系x分别为0、0．08、0．16和0．20时陶瓷不同频率下的介电温谱，发现材料为弛豫型铁电体，材料的介电谱在室温到500℃的温度范围内存在一个介电常数-温度“台阶”，一个介电常数-温度峰和一个介电损耗一温度峰，通过分析陶瓷不同温度下的电滞回线验证陶瓷在升温过程中产生了铁电-反铁电-顺电相变，采用铁电体成分起伏理论和内电场理论解释了这类弛豫型铁电体相变的原因。     

Magneto-transport Properties and Thermally Activated Flux Flow in Ba(Fe 0 . 9 1 Co 0 . 0 9 ) 2 As 2 Superconductor

Thermally assisted flux flow (TAFF) based on magneto-resistivity and ac susceptibility measurements is studied in a Ba(Fe_0.91Co_0.09)₂As₂(T _c=25.3 K) sample in magnetic fields up to 18 T. In addition to the upper critical field μ ₀ H _c2 and the coherence length ξ(0), the flux flow activation energy U(T,H) has also been determined. The resistive transition width is proportional to μ ₀ H, in contrast to Tinkham’s theoretical prediction. By applying Fisher’s model, the glass melting transition temperature T _g, which occurs in the upper TAFF state and not in the zero resistivity vortex solid regime, is calculated. The onset of TAFF temperature and the crossover temperature T _x from TAFF to flux flow are determined. By contrasting the ac susceptibility data with the resistivity data, considerable flux penetration appears even in the zero resistivity state, in addition to ac losses. The H-T phase diagram is drawn and shows weak pinning regime as the field approaches μ ₀ H _c2, and the strength of the weak pinning decreases to 0 with increasing magnetic field from 0 to 18 T.