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莫托洛拉公司 ,东京电子等三家公司发表了可进行圆片级老化的先进新技术。靠着此技术而使最先进的半导体制作工艺中的测试工序简略化及复合化 ,其成本控制约为 15 % ,制作周期缩短约 2 5 %。此项新老化测试是采用“东京电子”的圆片探针技术 ,对作在圆片上的各芯片在进行 12 5~ 15 0℃之间温控的同时 ,可加电负荷。最初 ,此技术用于高性能器件中采用“凸焊点”方式用接触技术半导体制品 ,最终却几乎适于所有的半导体。此项新技术是 :将做好电路图形的圆片放置在高平坦度的热卡盘上 ,然后使数千引脚的接触用探头与圆片对位。实际的接触是借… 相似文献
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圆片级封装技术 总被引:1,自引:0,他引:1
童志义 《电子工业专用设备》2006,35(12):1-6
圆片级封装(Wafer-LevelPackaging,WLP)已成为先进封装技术的重要组成部分,圆片级封装能够为芯片封装带来批量加工的规模经济效益。在圆片规模上开始加工,结束于芯片规模的圆片级封装技术将在面型阵列倒装芯片的封装中得到日益广泛的应用。圆片级封装加工将成为业界前端和后端之间的高性能衔接桥梁。综述了圆片级封装的技术及其发展趋势。 相似文献
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介绍了圆片级可靠性技术产生的背景,对其特点和作用作了详细的论述。测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试,根据测试数据,对1.0μm工艺线单一失效机理的可靠性进行了评价,对不同测试结构的作用进行了说明。 相似文献
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ShellCase公司的圆片级封装技术工艺,采用商用半导体圆片加工设备,把芯片进行封装并包封到分离的腔体中后仍为圆片形式。圆片级芯片尺寸封装(WL-CSP)工艺是在固态芯片尺寸玻璃外壳中装入芯片。玻璃包封防止了硅片的外露,并确保了良好的机械性能及环境保护功能。凸点下面专用的聚合物顺从层提供了板级可靠性。把凸点置于单个接触焊盘上,并进行回流焊,圆片分离形成封装器件成品。WL-CSP封装完全符合JEDEC和SMT标准。这样的芯片规模封装(CSP),其测量厚度为300μm-700μm,这是各种尺寸敏感型电子产品使用的关键因素。 相似文献
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所谓圆片级封装,是指封装和测试是在未分离的圆片上进行的,并且能在世界范围内被投入生产,主要是建立在薄膜凸点和再分布技术的基础上。采用这些技术的低引线数的硅器件和无源射频集成元件在今天的手持式电信产品中正在兴起。要使这项极具希望的技术获得很好的应用,圆片级老化和测试是必需的。 相似文献
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圆片级封装(WLP)具有尺寸小、散热性能好、封测成本低等优点,广泛应用于便携式电子产品,其在跌落、碰撞等环境下的可靠性越来越受到重视。将WLP器件组装到PCB基板上,按照JEDEC电子产品板级跌落实验标准进行实验,研究了WLP元件引脚节距、焊球尺寸、PCB焊盘工艺等因素对样品可靠性的影响。对失效样品进行了切片制样,通过金相显微镜、能量色散X射线光谱(EDX)和扫描电子显微镜进行了分析,研究了WLP器件失效机理及其与器件焊球尺寸、节距之间的关系,讨论了底部填充料对WLP封装可靠性的改进作用。 相似文献
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对于3D互连、圆片级封装(WLP)和先进的MEMS器件的圆片键合,精密对准是一项关键技术,不同的MEMS,常常包含双面加工处理,而IC和CMOS制造业则只利用单面加工处理步骤,因此,圆片到圆片的对准必须使用设置在键合界面(也就是面对面)中的对准标记。论述了面对面对准方法的主要步骤,最新结果报导,用一种特殊开发的对准系统获得了≤1μm的对准精度。设备主要是为圆片对圆片的对准和键合而设计。 相似文献
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圆片级封装的一些基本原则 总被引:1,自引:0,他引:1
<正> 圆片级封装(WLP)技术正在流行,这主要是它可将封装尺寸减小至IC芯片大小,以及它可以圆片形式成批加工制作,使封装降低成本。WLP封装成本还会随芯片尺寸减小相应下降。此外,由于对电路封装、测试、分离和发运已知好电路可进行流水线作业和管理,从而进一步降低了封装总成本和缩短了周期 相似文献
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当减小芯片面积时,3-D封装能减轻互相连接所带来的延迟问题,根据集成电路是否已经进行了3-D互相的设计,描述了3种选择方法。 相似文献
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文章论述了超CSPTM圆片级封装技术工艺。在封装制造技术方面此CSP封装技术的优越性在于其使用了标准的IC工艺技术。这不仅便于圆片级芯片测试和老炼筛选,而且在圆片制造末端嵌入是理想的。同时,文章也论述了超CSP封装技术的电热性能特征。 相似文献