CdTe：Sm晶体的红外光谱

对掺Sm的CdTe(CdTe:Sm)晶体的红外光谱(400～5000cm~(-1))研究表明其中存在Sm~(2+)和Sm~(3+)两种价态的Sm离子,Sm~(2+)处于晶体的间隙位置,周围为非立方对称的晶体场;Sm~(3+)可以取代Cd原子而位于晶格格点处(C中心),也可以处于晶格间隙位置依其次近邻是否存在Cd空位而分别构成A中心和B中心。B中心和C中心均处于立方对称的晶体场中,经退火(Cd气氛,～600°)A中心消失。     

Na_5Sm(WO_4)_4发光晶体的生长及光谱特性

本文报道了用助熔剂缓冷法生长新型发光晶体Na_6Sm(WO_4)_4,计算了它的晶格常数,测定了它的红外光谱、吸收光谱、荧光光谱和激发光谱,并确定了晶体中Sm~(3+)离子的能级.研究表明,该晶体是有前途的激光晶体.     

Ni~(2+):BeAl_2O_4激光晶体的红外荧光光谱及能级热移位特性的研究

文献[1]报道了Ni~(2+):BeAl_2O_4晶体的晶场能级与Ni~(2+)离子在晶体中择位与电荷补偿机理的研究结果,指出该晶体的红外荧光来源于处于具有C_2对称畸变的八面体格值上的Ni~(2+)离子~3T_(2g)→~3A_(2g)跃迁发光.但未能考虑谱宽、能级位置与低对称劈裂对于发光的影响.为了研究用Ni~(2+):BeAl_2O_4晶体制成激光器的工作稳定性与调谐功能等工作特性的需要,进一步研究温度对于该晶体发光特性的影响是十分必要的,     

YAG∶Er~(3+),Ce~(3+)激光晶体的光谱特性

本文采用在YAG晶体中共掺铒铈离子,利用Ce~(3+)离子具有f—d宽带吸收跃迁,提高Er~(3+)离子对泵浦能量的吸收,以降低YAG:Er,Ce晶体的激光阈值。并测定了晶体在室温下的吸收光谱和荧光光谱。讨论了YAG:Er~(3+),Ce~(3+)晶体的光谱特性。用Judd—Ofelt理论计算了晶体中Er~(3+)离子振子强度,并与单掺铒离子YAG:Er~(3+)晶体中的数值进行了比较。     

SrFCl：Sm^2＋中的Sm^3＋在光谱烧孔中的行为

本文研究了77K时SrFCl:Sm~(2+)在光谱烧孔过程中Sm~(2+)和Sm~(3+)的再分布,得出烧孔的最大总面积受材料中Sm~(3+)数量的限制,孔的最大总面积与Sm~(2+)非均匀线型内积分面积比等于材料中Sm~(3+)与Sm~(2+)含量比。     

Sm3+对SrWO4:Dy3+,Eu3+白色荧光粉发光性能的影响研究

利用共沉淀法合成了以Sm~(3+)为敏化离子,Dy~(3+),Eu~(3+)为激活离子共掺杂SrWO_4荧光粉,通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪、荧光分析仪对荧光粉的形貌、物相结构及发光性能进行了表征及分析。结果表明,在394 nm波长激发下,Sm~(3+)浓度为1.5 mmol/L时SrWO_4荧光粉发光性能最好,样品色坐标为(0.338,0.342),接近标准白光色坐标(0.33,0.33)。因此,通过调控敏化离子Sm~(3+)浓度可以实现SrWO_4荧光粉色坐标的红移,在暖白光LED材料的应用研究上具有一定的意义。     

Ho~(3+)离子在高场电致发光薄膜中发光特性的研究

我们已经系统地研究了Ho~(3+)离子在高场电致发光薄膜(ACELTF)中的发光特性,结果如下: 1.在高场ACELTF中Ho~(3+)离子的发光是由于在高场下加速的过热电子直接碰撞而激发的。 2.在ZnS:HoF_3和ZnS:Ho两种样品中,Ho~(3+)的发光特性(如发光光谱,激发态的寿     

ZnS∶Mn~(2 ),Sm~(3 )中Mn~(2 )中心高激发态与Sm~(3 )中心的相互作用

用Ar~ 离子激光器的4880线和He-Ne激光器的6328线同时激发ZnS:Mn~(2 ),Sm~(3 )粉末材料时,我们发现Sm~(3 )中心的发光强度比只用4880线激发明显增长。增长的程度随6328线功率的增加而变强。若用短于4880的激光线(如4658,4727)与6328线同时激发ZnS:Mn~(2 ),Sm~(3 ),Sm~(3 )中心发光强度I_(Sm)明显增长,Mn~(2 )中心发光强度I_(Mn)则稍有下降,当增大     

YGG:Cr~(3+)晶体的光谱特性研究

本文通过实验研究了YGG:Cr~(3+)晶体的光谱特性。报道了室温下的吸收谱;10K、133K、300K的荧光谱;以及荧光寿命,无辐射跃迁几率,辐射量子效率与温度之间的依赖关系。从吸收谱及荧光谱中确定在C_(31)(S_6)低对称场微扰下,Cr~(3+)离子在基质YGG中2T_1能级分裂的子能级及基态~4A_2←→~2E零声子跃迁R线的位置。     

Y_3Al_5O_(12)晶体的色心

本文系研究用各种不同稀土元素激活的300°K下γ-射线照射的Y_3Al_5O_(12)晶体的吸收光谱和热发光曲线。Pr~(3+)和Tb~(3+)在300～500毫微米区使被照晶体的吸收急剧增大,这与γ-照射时形成TR~(4+)离子有关。铕和镜在照射时还原成Eu~(2+)和Yb~(2+),其它的稀土元素300°K下未形成稳定的二价离子。含Ce,Pr,Tb或Eu的γ-射线照射的Y_3Al_5O_(12)晶体,加热时发生的复合过程伴随有热荧光,光谱的特点是三价激活剂的;而未形成稳定二价离子(Dy,Sm)的激活剂不产生热荧光,这就可以认为,TR~(3+)离子由于在其内电子和空穴复合的结果直接产生激励。     

激光微区发射光谱分析法测定硫氧化钇钐中的钐

本文以激光微区发射光谱分析仪和CCD光学多道分析仪组成分析系统,通过对样品多次采集和用数理统计法对数据进行处理,以SmII443.434nm为分析线,测定了Y2O2S:Sm3+长余辉材料中Sm的含量。分析结果表明:分析谱线相对强度RSD为5.01%,定量分析相对标准偏差RSD为8.96%,分析结果的平均值为2.018%;与制备前材料的百分含量比较,采用共沉淀法制备Y2O2S:Sm3+长余辉材料中Sm百分含量明显增大。     

Sm~(3+)掺杂Co_(0．6)Zn_(0．4)Ni_(0．8)Fe_(1．2)O_4红外辐射陶瓷材料的研究

用常规固相合成法成功地制备出Sm3 掺杂Co0.6Zn0.4Ni0.8Fe1.2O4红外辐射陶瓷材料,并通过XRD、FT-IR和IRE-2型红外发射率测量仪测试了材料的微观结构,分析了材料的结构特征与红外辐射性能的关系,发现Sm3 的掺杂导致Sm3 以一定的配位形式进入Co0.6Zn0.4Ni0.8Fe1.2O4体系中,并形成了有限置换型固溶体结构.数据分析可知,Sm3 掺杂浓度对材料的红外辐射性能存在一定的影响,样品Sm0.1在全波段的积分发射率为0.74,而在>8μm波段的平均发射率最高值可达0.94.     

Sm~(3+)掺杂对MnZn铁氧体显微结构及性能的影响

采用传统固相法,制备了Sm3+掺杂的MnZn铁氧体。借助XRD、SEM和Agilent 8722 ET网络分析仪等表征手段,研究了微量Sm3+掺杂对其显微结构及电磁性能的影响。结果表明,当n(Sm3+)为0.03mol,其晶格常数a增加到0.84491nm。当n(Sm3+)为0.03mol,MnZn铁氧体的复介电常数和复磁导率显著提高,ε″和μ″损耗峰值分别提高到2.15和5.52。     

Nd3+:Gd3Ga5O12单晶的能级和晶体场计算

测试了Nd3+:GGG单晶在可见和近红外波段的吸收光谱,并分析指认了它的实验能级,通过从头计算的DV-Xa方法计算得到了它的晶体场参数和旋轨耦合参数。用Nd3+:GGG在77K和300K的156个、88个实验能级,拟合了它的自由离子参数和晶体场参数,均方根误差（即拟合精度）σ分别为15.79和 11.48 cm-1。结果表明晶体场参数的拟合结果和从头计算值符合的很好。最后比较了拟合得到的Nd3+:GGG和已报道Nd3+:YAG 的自由离子参数和晶体场参数。     

Nd_2O_3和Sm_2O_3掺杂钛酸锌介电陶瓷的结构与性能

为了改善ZnTiO3介电陶瓷的性能,研究了Nd2O3和Sm2O3掺杂对ZnTiO3陶瓷结构与介电性能的影响,借助TEM型同轴谐振器测量陶瓷的微波介电性能。研究表明,掺杂Sm2O3形成新相Sm2Ti2O7,少量Sm2O3掺杂能有效抑制ZnTiO3分解;掺杂Nd2O3形成新相Nd2Ti2O7和Nd4Ti9O24;Nd2O3和Sm2O3掺杂均能提高谐振器的无载Q值,且Nd2O3的掺杂效果优于Sm2O3:Nd2O3掺杂能使陶瓷的τf从正值向负值变化,通过调整Nd2O3掺杂量(质量分数5%～10%),可获得τf近零、无载Q值大于260的陶瓷组成,可用于制备分米波段的滤波器。     

掺杂Sm2O3对BZT20介质瓷性能的影响

以碳酸钡、二氧化锆和二氧化钛等为原料,Sm2O3为掺杂剂,制得了Ba(Zr0.2Ti0.8)O3系介质瓷,并研究了其性能,用扫描电镜对试样微观形貌进行了观察.结果表明,当x(Sm2O3)＜0.2%时,Sm3+进入晶格A位后,随掺杂量的增加,Sm3+倾向于进入晶格B位.Sm2O3的掺杂量对试样介电常数和损耗有显著影响,x(Sm2O3)=0.2%时,试样介电常数最高(约为5 600);随Sm2O3掺杂量继续增加,试样介电损耗得到明显改善,最低降至0.002 1.     

掺杂Lu_2O_3对Ba_4Sm_(9.33)Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷性能的影响

以Ba4Sm9.33Ti18O54微波介质陶瓷为基础,掺杂Lu2O3进行改性,形成固溶式为Ba4(Sm1–yLuy)9.33Ti18O54的结构。结果表明,掺杂Lu2O3能很好地把Ba4Sm9.33Ti18O54微波介质陶瓷的烧结温度降至1 260℃,当y=0.05时Ba4Sm9.33Ti18O54为类钨青铜结构,能得到介电性能较佳的微波介质陶瓷:4.33GHz时εr约为76,Q.f约为2532,τf为–42×10–6/℃;y<0.5时生成了类钨青铜结构晶相,y≥0.5主晶相变成烧绿石相,不具备介电性。     

掺杂Sm_2O_3对BaSrTiO_3介电陶瓷性能的影响

以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Sm2O3为掺杂剂,制备了BaSrTiO3系介质陶瓷。利用SEM等仪器研究了陶瓷试样的微观形貌和介电性能。结果表明:当Sm2O3掺杂量低于0.10%摩尔分数时,Sm3+进入晶格A位;但随着Sm2O3掺杂量的增加,Sm3+越来越倾向于进入晶格B位。在Sm2O3掺杂量为摩尔分数0.10%时,BaSrTiO3陶瓷的相对介电常数达到最高值4800;随着Sm2O3掺杂量继续增加,陶瓷的介电损耗逐渐降低,最低降至0.0070。     

Improved luminescent properties of SrZn2(PO4)2:Sm3+ doped with Li+, Na+ and K+ ions

SrZn2(PO4)2:Sm3+ phosphor was synthesized by a high temperature solid-state reaction in atmosphere. SrZn2(PO4)2:Sm3+ phosphor is efficiently excited by ultraviolet (UV) and blue light, and the emission peaks are assigned to the transitions of 4G5/2-6H5/2 (563 nm), 4G5/2-6H7/2 (597 nm and 605 nm) and 4G5/2-6H9/2 (644 nm and 653 nm). The emission intensities of SrZn2(PO4)2:Sm3+ are influenced by Sm3+ concentration, and the concentration quenching effect of SrZn2(PO4)2:Sm3+ is also observed. When doping A+ (A=Li, Na and K) ions, the emission intensity of SrZn2(PO4)2:Sm3+ can be obviously enhanced. The Commission Internationale de l'Eclairage (CIE) color coordinates of SrZn2(PO4)2:Sm3+ locate in the orange-red region. The results indicate that the phosphor has a potential application in white light emitting diodes (LEDs).