共查询到19条相似文献,搜索用时 108 毫秒
1.
传统引线键合装备,分为球焊设备和楔焊设备,两者使用不同的换能器,不同种类劈刀,不同的焊接形式。通过对两种设备原理以及市场需求分析,设计一种球-楔焊一体机,满足球焊和楔焊两种焊接形式,有利于引线键合技术发展。 相似文献
2.
3.
4.
林刚强 《电子工业专用设备》2008,37(7)
阐述了铜丝替代金丝的理论可行性与在实际应用中所需注意的要点,如防氧化装置、防弹坑键合参数、铜丝劈刀的参数要点等,最后对铜丝球焊的可靠性及几种重要的失效模式进行了探讨分析。 相似文献
5.
利用F&K光电位移测量系统分别检测两种类型劈刀在换能器中的安装高度变化时其头部的振幅变化。通过对实验数据(振幅、超声功率、频率)分析,为设备和工艺调试提供理论支撑。 相似文献
6.
针对键合过程中焊球球径过大进行原因分析,即键合工艺参数不当和劈刀型号不对等。经过实验验证,劈刀端内部斜面角度过大造成上述问题,解决该问题的方法是选择劈刀端内部斜面角度为90°的劈刀。这种劈刀可以满足小焊球及细间距的键合需求。 相似文献
7.
超声换能系统是引线键合设备的核心部件,对其工作特性的深入了解有助于理解引线键合过程.通过实验,观察分析了超声引线键合过程中不同劈刀安装长度对换能系统电流、电压及功率的影响,发现电流及功率在不同劈刀安装长度时有较为明显的变化.并进一步采用小波分析方法展现了电流信号在时频域内变化的细节情况,为充分了解换能系统电学特性提供了可靠依据和新的方法. 相似文献
8.
《电子工业专用设备》2017,(3)
通过采用F&K超声检测系统检测劈刀的安装方式对超声换能系统的性能影响,从最基本的实验数据(谐振频率,相位及阻抗)出发,分析劈刀引起换能系统的非线性特性,为设备工艺窗口参数调节提供理论基础。 相似文献
9.
10.
劈刀安装长度对引线键合强度影响的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在超声引线键合中引线键合质量受到多种因素的影响。该文通过实验,观察了超声引线键合过程中不同劈刀安装长度对引线键合质量形成的影响,同时对引线键合过程中换能系统电流、电压及功率进行了分析,发现不同劈刀安装长度会导致引线键合质量、电流及功率较为明显的变化。该实验的结果可为实际引线键合中劈刀安装长度的选择提供参考。 相似文献
11.
马增刚 《电子工业专用设备》2012,41(6):52-54
近年来玻璃结构电容式触摸屏广泛应用于各个领域,邦定工艺是玻璃结构电容式触摸屏生产制造过程中的关键工艺。介绍了玻璃结构电容式触摸屏的邦定工艺流程,并对常用的几类邦定设备进行了分析、比较。 相似文献
12.
为提高国产陶瓷外壳用于铝丝楔焊键合的可靠性和产品质量,利用Minitab统计软件对一种封装形式为CQFP84的国产陶瓷外壳用于铝丝楔焊键合的工艺参数进行试验设计,并对试验结果进行直观分析和方差分析。讨论过键合功率、键合压力、键合时间及超声功率缓慢上升时间(Ramp)对键合拉力的影响及其显著程度。试验研究表明第2段参数的键合压力、第2段参数的键合功率及第1段参数的Ramp对键合拉力值有显著影响,以键合拉力为参考指标,得到了较优的键合工艺参数,通过验证试验键合拉力相比工艺参数优化前有明显提高,分散度也有明显改善,达到了提高产品可靠性的目标。 相似文献
13.
在自动楔焊键合中,要提高键合引线的抗拉强度,最重要的一点就是要减小第一键合点跟部的损伤。文章简述了自动楔焊键合的工艺过程,分析了在自动楔焊过程中造成第一键合点跟部损伤的主要原因:劈刀本身结构会对键合引线造成一定的摩擦损伤,劈刀在键合第一点后垂直上升所产生的应力会对第一键合点根部造成损伤,键合引线在拉弧过程中也会造成键合引线摩擦受损,送线系统的张力也会对第一键合点根部造成一定的损伤。文中还讨论了如何尽量减小摩擦和应力对第一键合点跟部所造成的损伤。 相似文献
14.
研究了用Ag-Sn作为键合中间层的圆片健合。相对于成熟的Au-Sn键合系统(典型键合温度是280℃),该系统可以提供更低成本、更高键合后分离(De-Bonding)温度的圆片级键合方案。使用直径为100mm硅片,盖板硅片上溅射多层金属Ti/Ni/Sn/Au,利用Lift-off工艺来形成图形。基板硅片上溅射Ti/Ni/Au/Ag。硅片制备好后,将盖板和基板叠放在一起送入键合机进行键合。键合过程在N2气氛中进行,键合过程中不需要使用助焊剂。研究了不同键合参数,如键合压力、温度等对键合结果的影响。剪切强度测试表明样品的剪切强度平均在55.17MPa。TMA测试表明键合后分离温度可以控制在500℃左右。He泄漏测试证明封接的气密性极好。 相似文献
15.
铜丝键合工艺研究 总被引:2,自引:1,他引:1
键合铜丝作为微电子工业的新型研发材料,已经成功替代键合金丝应用于IC后道封装中。随着IC封装键合工艺技术及设备的改进,铜丝应用从低端产品如DIP、SOP向中高端QFP、QFN、多层线、小间距焊盘产品领域扩展。因封装制程对键合铜丝的性能要求逐步提高,促进了铜丝生产商对铜丝工艺性能向趋近于金丝工艺性能发展,成为替代金丝封装的新型材料。文章首先讲述了铜丝键合的优点,指出铜丝在键合工艺中制约制程的瓶颈因素有两个方面:一是铜丝储存条件对环境要求高,使用过程保护措施不当易氧化;二是铜丝材料特性选择、制具选择、设备键合参数设置不当在生产制造中易造成芯片焊盘铝挤出、破裂、弹坑等现象发生,最终导致产品电性能及可靠性问题而失效。文章通过对铜丝键合机理分析,提出解决、预防及管控措施,制定了具体的生产管控工艺方案,对实现铜丝键合工艺有很好的指导意义。 相似文献
16.
17.
王志诚 《电子工业专用设备》2012,41(6):49-51
随着全球液晶面板行业的复苏及迅猛发展,其专用设备已经突破日韩等国的技术封锁,并受到了各个液晶面板制造商的高度重视。介绍了中小尺寸邦定机的主要特点及技术指标,并研究分析了设备的机械结构以及影响其绑定效果的主要原因。 相似文献
18.
19.
Cylindrical microfabrication offers the opportunity to fabricate electrical or mechanical devices around the surfaces of cylinders. Standard processes developed for planar substrates such as silicon wafers must be adapted to curved surfaces. This paper focuses on lithography of and connections to cylinders. Results from lithographic testing includes dose exposure curves using laser and electron beam sources as well as the minimal effects of surface curvature on linewidth. Bonding included ultrasonic wedge bonding, silver epoxy, and solder paste. Electrical and mechanical characteristics of these bonding methods are presented. 相似文献