LSI/VLSI中缺陷、杂质与器件性能的关系

结合器件工艺的失效分析,评述了硅中缺陷和氧、碳、金属杂质与器件性能、器件工艺之间的相互关系。指出:杂质和缺陷对器件的性能、成品率和可靠性有严重的影响,尤其经金属杂质缀饰的缺陷对器件的危害更大。对硅中某些杂质和缺陷的最新研究进展作了介绍。     

氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过鉴定

8月 2 9日 ,氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过了中国科学院计划局和基础局在物理所主持召开的成果鉴定会。鉴定委员会一致认为 ,中科院物理所与上海蓝宝光电材料有限公司联合开发的蓝光发光二极管解决了从外延材料到器件工艺的关键技术 ,已申请并被受理了 4项发明专利 ,产品已得到了市场的认可 ,其器件性能达到国际先进水平。这项技术的发展对推动我国蓝光LED产业化的实施有重要意义。氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过鉴定     

TeO2声光晶体及其声光器件的研究进展

随着激光技术的快速发展,声光器件在激光领域的应用逐步延伸,特别是在信号处理、时频转换等领域具有重要且不可替代的应用场景。TeO2声光晶体因其优异的声光特性,常被作为声光器件的核心元件。本文首先概述了声光衍射的基本概念及声光作用原理,包括拉曼-奈斯（Raman-Nath）衍射和布拉格（Bragg）衍射,其次介绍TeO2晶体结构、晶体生长工艺、缺陷分析及性能测试,然后介绍声光器件结构组成、核心元件制备工艺及目前典型的商业化声光器件产品,最后展望了TeO2声光晶体及其声光器件的应用前景。     

掺Cr-Te半绝缘(SI)GaAs 的某种特性

一引言离子注入工艺具有成本低,制作的器件参数重复性好,均匀性好等优点,已被应用于器件制作工艺中,并成为制备高频高速集成电路的基础。国外,GaAs FET生产中     

AlAs／GaAs双势垒量子共振隧穿二极管

以ＭｏｃｖＤ材料试制了ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双势垒量子共振隧穿二极管，其室温伏安特性为非线性。讨论了材料质量、器件结构、制作工艺等对器件性能的影响。首次报道了有ＡＶ＿（０．１４）Ｇａ＿（０．８６）Ａｓ垫的双势垒结构器件性能，有垫器件性能较无垫常规器件改进很大。     

ITO导电薄膜的用途和制备方法

本文综述了ITO薄膜的应用领域和制备工艺。ITO薄膜主要用于光电器件中,例如用于液晶显示(LCD)。制造ITO薄膜的工艺方法很多,本文综述了磁控溅射法、CVD法、喷雾热分解法和溶胶—凝胶法4种制膜工艺。     

高纯度砷、锑中微量硫的测定

近十年来,随着半导体工艺的发展,以Ⅲ—Ⅴ族化合物为材料的半导体器件的种类与品种日益增多,实践证明器件的迁移率、电阻率受到所含杂质的影响,尤其是受含微量硫危害更大。器件的性能不仅与其工艺条件有关,很大程度还取决于基础材料如高纯     

我国半导体发光器件拥有了“中国心”

国家重大科技项目“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”的鉴定验收 ,近日在山东省济南市顺利通过。这标志着我国半导体发光器件拥有了自己的“中国芯” ,打破了半导体外延材料与管芯技术被欧美发达国家和地区垄断的局面。使我国具备大批量提供各类高亮度发光二极管、激光二极管外延材料及管芯产品的生产能力。“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”是我国光电子产业化前期关键技术开发项目 ,目前 ,这一项目已形成了一定生产规模 ,可年产各类高亮度及超高亮度发光二极管、激光二极管外延片 4万片 ,管芯 2亿粒。该项目整体设计合理 ,在产业化…     

基于ZERBST方法的少子寿命测量的数值仿真验证

针对半导体器件及其工艺制造中所需要测量的载流子寿命进行研究,利用MEDICI二维器件仿真软件对测量少子寿命的金属绝缘层半导体(metal insulator semiconductor,MIS)结构的恢复特性进行了仿真,并通过ZERBST 法得出了器件的少子寿命,其结果与预设的参数相差不大,达到了验证的预定目的.该仿真验证对半导体器件制造中实际的少子寿命的测量具有一定的实践指导作用.     

MOS硅外延技术

本文综述了MOS外延技术的发展、外延MOS结构的优越性及MOS器件对外延技术的要求。重点叙述了MOS外延工艺及其与内吸除技术的结合。     

φ75mm直拉硅单晶的控氧工艺

一、前言 一般地说,氧是半导体材料硅中含量最多的杂质,其含量可达10~(18)cm~(-3)数量级。硅中的氧兼有优缺点。优点为“吸除效应”和“钉扎效应”;缺点是单晶的电阻率和寿命会受影响,易出现诱生缺陷,晶片可能变形。优点对器件工艺有利,缺点对器件工艺有害,使晶片质量变坏。 众所周知,不同器件要求不同的氧含量:p型(100),[O]=1.0～1.3×10~(18)cm~(-3),用于MOS;n型(100),[O]=1.3     

硅外延及其应用

介绍了硅外延生长技术,综述了应用于硅外延的分子束外延（MBE）、化学气相沉积（CVD）、液相沉积（LPE）三种工艺,并介绍了Si基外延材料器件的应用。     

MCZ硅单晶

MCZ硅单晶即磁场直拉硅单晶,于1980年由日本索尼公司首先拉制成功,至今已五年多,在这段时间里,无论对磁场直拉工艺的研究,还是对该材料在应用领域的研究都取得了很大进展。当器件集成度进入兆位时代后,为提高器件性能和合格率,对硅单晶的质量要求就更加严格,由于MCZ硅的优越性非常突出,     

红外吸收法测定硅中碳含量

一、引言在生长单晶硅的工艺过程中,碳以取代杂质的形式进入晶格,其浓度取决于工艺,其行为严重地影响器件性能。在大规模集成电路的性能分析中也发现由于碳的存在会引起严重的漏电流。碳在硅中的危害性现已引起了普遍重视,因此测量杂质碳的含量对改进工艺,提高单晶硅的质量是不可缺少的。     

钨粉和钼粉在火焰喷涂喷焊中的应用

<正> 金属材料品种繁多,性能各异,用途各有不同。人们总是想用最小的代价,换取最大的价值。钨、铝是贵重金属,一般小型钨、钼器件不得不用整体材料制做,然而大型钨、钼器件用整体材料制做是非常不经济的。自从热喷涂喷焊工艺问世后,钨、钼的热喷涂喷焊工艺也提到议事日程上来了。用     

功率器件用中子嬗变掺杂CZ—Si的退火

介绍了用于功率器件的 NTD CZ-Si 原始晶体导电类型和电阻率测量精度对 NTD CZ-Si 目标电阻率准确性和均匀性的影响,提出了原始 CZ-Si 热处理的方法及中照后的 NTD CZ-Si 的退火工艺。     

对“OS”法检测<111>硅单晶中旋涡缺陷的进一步探讨

在模拟器件工艺用“OS”法检测CZ硅单晶中旋涡缺陷时,常有雾状缺陷的干扰。本文对雾状缺陷的分布形态及产生原因作了初步研究。为了消除这种干扰,提出了硅片经1100℃水汽氧化,HF去氧化层后,进行加热择优腐蚀的工艺。认为深腐蚀检测旋涡更为合理。     

MOCVD生长GaAlAs／GaAs HBT材料的研究

研究了ＭＯＣＶＤ法ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制，得出了ＧａＡｌＡｓ发射极的ＰＬ性质和多层材料的纵向浓度分布是ＨＢＴ材料的质量表征的结论，采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改善了材料质量，达到良好的器件特性。     

北科、西安交大、北航合作获得超高热导率的铝基复合材料北大核心

随着信息产业的不断发展与芯片制程工艺的不断进步,微电子器件逐渐小型化、集成化和高功率化,散热问题成为制约微电子器件进一步发展的瓶颈。传统的电子封装材料由于较低的热导率(小于300 W/(m·K))已经不能满足高功率电子器件的散热需求,急需开发新一代具有高热导率和低热膨胀系数的电子封装材料。     

硅的直接热生长氮化膜及其应用

本文阐述了超薄热生长氮化硅膜的工艺和在一些器件中作为半绝缘的隧道薄膜的优点,研究了氨气中硅直接热氮化膜的性质,并用该氮化膜制成了金属-半绝缘膜-N-P~+结构的快速开关。