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用平行板电极装置研究四甲基硅的多光子电离施德恒(空军第一航空学院基础部,信阳464000)本文检测了Si(CH3)4在410-371nm内的MPI光谱及若干波长点处的激光光强指数,检测并计算了硅原子4p3pJ3P23PJ,(J',J''=0,1,2)... 相似文献
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本文介绍了用于测量a-Si:H隙态密度的空间电荷限制电流(SCLC)法,并报道了采用此方法对PECVD方法制备的a—Si:H材料隙态密度的测量结果。对n+a—Si:H/a—Si1H/n+a—Si:H结构的样品,测量得到费米能级上0.16eV间的欧态密度分布为1015~1018(cm-3eV-1)。 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
从文献中摘出了6H碳化硅(6H~SiC)的重要材料参数并应用到2-D器件模拟程序PISCES和BREAKDOWN及1-D程序OSSI中。6H-SiCp-n结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达1000K温度下应用的可能性。6H-SiC1200Vp-n ̄(-)-n ̄(+)二极管与相应硅(Si)二极管的比较说明6H-SiC二极管开关性能较高,同时由于6H-SiC p-n结内建电压较高,其正向功率损耗比Si略高。这种缺点可用6H-SiC肖特基二极管克服。Si、3C-SiC和6H-SiC垂直功率MOSFET的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下,这种SiCMOSFET的开态电阻低于0.1Ωcm ̄2,可在高达5000V阻塞能力下工作,而SiMOSFET则限于500V以下。这一点通过用PISCES计算6H-SiC1200VMOS-FET的特性得以验证。在低于200V的电压区,由于硅的迁移率较高且阈值电压较低,故性能更优良。在上述的6H-SiCMOSFET的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约4×10 ̄6V/cm的电场。为了研究SiC器件的高频性能,提出了6H-SiC发射极的异质双极晶体管? 相似文献
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本讨论了用MIQ-156四极SIMS仪器对AlxGa1-xAs中Si进行定量分析的实验方法,考察了测量结果的重复性及x变化时SiRSF的变化规律,在IMS-4fSIMS仪器上进行了对比测试,用Cs^+源对^29Si的原子检测了限达到了4×10^15cm^-3。 相似文献
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复合物p—C6H4F2...NH3(ND3)外部振动的共振双光子电离光谱 总被引:1,自引:0,他引:1
利用共振光电离技术和飞行时间质谱技术,观察到了复合物p-C6H4F2...NH3(ND3)的共振双光子电离光谱。光谱分析表明,复合物分子间的伸 振动频率为86.4cm^-1;由复合物光解离机理以及伸缩模的失谐参数与键有的关系。获得了复合物电子激发态S1和基态S0的键能信息。Abinitio计算表明,p-C6H4F2...NH3(ND)复合物的几何结构是:NH3分子中的N原子位于垂直p-C6H4F2 相似文献
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纳米硅二极管的电输运特性 总被引:4,自引:0,他引:4
用PECVD法在Si衬底上沉积了纳米硅(nc-Si:H)薄膜,其室温暗电导可达10^3-10^-1Ω^-1cm^-1,高于本征单晶硅的电导,将其制成遂道二极管,其I-V曲线在77K呈现出量子台阶,对这一新颖物理现象进行了定性解释。 相似文献
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本文主要介绍1um双阱双层金属布线硅栅CMOS专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术,对多种材料如LPCVD、Si3N4、PECVESi3N4、热SiO2、PEVEDSiO2、PSG、BPSG、多晶硅和Al-Si(1.0%)-Cu(0.5%)合金等进行高选择比的,各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸(CD)总损失<0.08um的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀 相似文献
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直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构 总被引:2,自引:1,他引:1
以微波激励氙(Xe) 发射的真空紫外光(VUV) 作光源,乙炔(C2H2) 作反应气体,采用直接光化学汽相淀积(CVD) 工艺,在硅(Si) 、钼( Mo) 及玻璃衬底上,120 ℃的低温下进行了类金刚石碳(DLC) 膜的试生长。用X 射线光电子能谱(XPS) 、扫描电子显微镜(SEM) 等手段进行了初期成膜结构的测试分析。测试结果表明,在所有三种衬底上均能淀积生成DLC 膜。其中C1s 态原子的含量在69 .98 % ~74 .60 % 之间,相应的键合能为285 .0 ~285 .6 eV。淀积膜是以SP2 键结构为主的DLC膜。实验结果也表明,氧在成膜过程中是影响最大的因素。 相似文献
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355nm激光作用下Si(CH3)4分子的MPI质谱研究 总被引:3,自引:1,他引:3
在 35 5nm的激光作用下 ,利用扩散分子束技术和四极质谱装置相结合研究了气相Si(CH3 ) 4分子多光子电离 (MPI)质谱分布。测量了Si(CH3 ) + 4,Si(CH3 ) + 3 ,Si(CH3 ) + 2 ,Si(CH3 ) + 及Si+ 离子的激光光强指数 ,检测了这 5种碎片离子的信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系。据此 ,讨论了该分子MPI过程可能经历的通道 ,得到了Si+ 主要来自于母体分子的多光子解离—硅原子的电离 ,Si(CH3 ) + n(n =1,2 ,3)主要来自于中性碎片Si(CH3 ) n(n =1,2 ,3)的自电离 ,Si(CH3 ) + 4来自于母体分子的 (3+1)电离的结论 相似文献
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本文在443nm,478nm和532nm处,获得了不同激光强度下丙胺分子多光子电离飞行时间-质谱。 相似文献
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在532nm激光作用下n—C4H9I的多光子离解过程质谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了碘代正丁烷分子在532nm激光作用下的多光子电离(MPI)质谱(MS)研究结果。(1)碎片离子主要由离子离解阶梯模式产生;波长不仅影响碘代正丁烷分子碎片离子产生模式,同时还影响其碎片离子的碎裂程度。(2)激光强度一般只影响分子离子及碎片离子的碎裂程度。 相似文献
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CH3I在532nm及455.5nm激光作用下多光子电离研究 总被引:5,自引:2,他引:3
本文利用飞行时间质谱仪研究了532nm和455.5nm激光作用下CH3I分子的多光子电离解离(MPID)。在532nm激光作用下,CH3I分子由双光子激发到A带的A2态,它的MPID属母体离子阶梯模式;在455.5nm激光作用下,CH3I分子由双光子激发到A带的3E态,它的MPID属中性碎片光电离模式。 相似文献
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用多光子电离技术结合飞行时间质谱仪对氨/醇混合团簇进行了研究。在脉冲激光波长为355nm条件下观测到团簇离子。主要的电离产物为质子化的(ROH)n(NH3)mH+(n=1~6,m=0~4)混合团簇离子,且各个序列的离子强度随m的增大而减小。经分析,氨与醇混合团簇电离后团簇离子发生内部质子化转移反应是形成质子化团簇离子的主要原因。比较分析质谱图可知,当团簇离子比较小的时候二元团簇解离以失去醇类分子为主,随着团簇离子的增大,解离由失去醇分子为主逐渐变为失去氨分子为主。 相似文献