对存储器和 LSI 电路时间测试的要求

本文的目的是说明对存储器和 MSI/LSI 器件时间测试的要求。这些器件即使通过了功能和参数二种测试,如果不满足某些适当的时间要求,那么它们实际上仍然得不到应用。在存储器中,包括芯片选择、读出访问和写入访问在内的访问时间的测量和数据、芯片选择、地址建立以及保持的时间关系一样部是非常重要的。MOS 器件也必须在最大的时间范围内满足给定的功能。为了提供某些有关的和基本的资料。先调查一下普通半导体存储器器件(RAM)以及它们的时间     

高速大容量固态存储器设计

为满足信息的高速大容量存储需求,提出基于闪存(FLASH)的固态存储器设计方法。介绍FLASH的结构、存储操作的实现方法和高速存储等相关技术。以通用串行总线和现场可编程门阵列(FPGA)可编程设计为基础,通过FPGA对多片FLASH的编程控制实现高速大容量存储。仿真结果证明,该方法能实现80 MB/s的数据记录速度和20 MB/s的数据回放速度,以及256 GB的存储容量。     

高速ECL分组存储器的设计

存储电路是数据采集系统中不可缺少的重要组成部分,存储速率直接制约采集速率的提高。文中给出一个以ＥＣＬ器件为主,采用分组存储技术设计的数据存储电路,其最大存储速率可达１００ＭＨｚ。     

高速双极型1K位随机存储器(RAM)

要提高数据处理机的处理能力,就要提高所用元件的性能。在最新的计算机中,中央处理器(CPU)中已使用亚毫微秒逻辑元件。但是为直接对应于从这样高速的CPU 中取数,不能说缓冲存储器原来的几十毫微秒的速度就够了。作者从上述背景提出研制取数时间小于10ns、每芯片1K 位的超高速大容量缓冲存储器用的器件。这次,完成了电路设计,试制了存储器。本文扼要地介绍了试制存储器的设计和特性1 研制的目标和存储器的组成图1为公开发表的,并具有代表性的MOS和双极半导体存储器的取数时间与功耗的关系。同时,也给出了要试制存储器的性能的目     

用双离子注入晶体管实现的双极高速低功耗电路

对于延迟时间为1毫微秒以下,并且具有低功耗的高速逻辑电路,在电路设计与工艺方面都要求取最佳的参数。虽然利用埃伯斯-莫尔(Ebers-Moll)模型或者其改进的模型可以计算电路参数,但是,为了得到可靠的结果,一般说来,晶体管实验数据还是需要的。因为这些数据都是直接和工艺流程以及晶体管的尺寸相关。对于快速逻辑电路而言,基极渡越时间短,低基极电阻以及结电容要小,都是十分重要的。高速晶体管射极掺砷较为合适。然而,发展成一种可行的扩散工艺是有困难的。离子注入技术提供了一种有效的克服工艺缺点的方法。文献[2]～[7]的许多作者建立了一种离子     

用层次化法设计LSI电路的CAD系统

一、概述 借助计算机辅助设计(CAD)系统进行大规模集成(LSI)电路的设计,可以获得满意效果,采用层次化法设计LSI电路可大大提高设计效率,利用具备层次化法的CAD系统,能够迅速地设计出数万个门的LSI电路。用层次化法设计电路时,可以使用层次描述语言描述各层次一级的设计内容,设计数据可存在数据库内。用于进行设计验证的各种模拟程序或芯片内的布部程序可按照数据库内的设计数据执行、同时,也可将还原上述程序的数据转换成所希望的形式。     

高速双极只读存贮器的设计考虑

本文描述一种完全用双极工艺制造的高速集成电路只读存贮器的设计发展和性能。讨论两种电路结构。第一种是以1024×1存贮器机构为基础的,第二种是第一种加上可变存贮器格式,三状态输出电路和芯片具有启动功能构成的。列举性能参数证实在已验证的集成电路工艺范围内,只读存贮器(ROM)具备在芯片上全译码,输入输出与标准集成逻辑电路(IC)相适应,1024位存贮器达到小于50毫微秒(ns)的取数时间。     

高速铁氧体存储器

引言数年来铁氧体磁心[1,2]已经成为计算机存储器的主要元件。目前,典型的计算机[3]大都有晶体管驱动的磁心存储器,它采用电流重合法[4],而工作周期为5—10微秒。虽然电流重合法存储器的工作周期可达2微秒,而速度更高的存储器就需耍采用所胡之部分翻棘方式才能达到。     

注入耦合存储器:一个高密度静态双极存储器

本文讨论一种新的静态双极存储器的设计,它在密度方面可以与动态场效应晶体管存储器相当,而在性能与功耗方面较优越。少数载流子直接注入的概念既适用于单元电流,又适用于耦合到读/写线。这就导致了器件非常高的集成度,在采用5μ线宽的标准埋层工艺和单层布线时,单元尺寸达3.1mil~2。根据一些包含小矩阵的研究性单片的试验完全证实了这种可能性。单元可在低于100nW 的非常低的直流维持功耗下工作。从模拟64×64位矩阵的测量中可以推算出,一块4K 位的硅片面积大约为160×150mil~2,取数时间大约50ns。采用介质隔离和自对准N~ 引线孔的新方法可得到5μ线宽的1.1mil~2的单元。     

机载高速电子存储器的研究和设计

随着航空电子技术的发展,大容量存储组件成为航空设备中必不可少的部分,固态存储器成为多种存储技术中的首选。本文将NAND闪存应用于航空存储组件的设计,对设计中的若干关键问题进行了探讨,通过采用高速串行通信技术,既可以提高存储组件的接口速率,又可以简化系统设计。同时在方案讨论的基础上论述了一个高速闪存存储组件的实现。     

低功耗集成注入逻辑双极型静态随机存储器的设计

对于主存储器的双极存储单元,如果要芯片具有高的集成度,必须满足这样一些要求,如,低的功耗、简单的结构和低的功耗-延迟乘积。本文讨论一种新的静态双极存储器。这种存储器的操作原理,与存储器单元的信息传递一样是基于中介绍的载流予注入的原理。单元的简单结构及其外围电路可以直接应用这个原理来得到。     

高速电路中抗干扰的设计

在二极管-晶体管逻辑电路中,干扰是一个严重的问题。本文提出一个设计所希望的抗干扰度的方法。     

高速铁氧体磁心存储器

本文介紹了一个高速随机取数铁氧体磁心存儲器,它是为未来較快速的計算机而設計的,也可用作脉冲分类装置及緩冲存儲器等。对于采用部分翻轉技术做成的和具有1024字(每字25位,每位用一个磁心)的存儲系統进行了模拟和测試。該系統采用了外徑为0.030吋的铁氧体磁心,周期約500毫微秒,取数时間約260毫微秒。与目前容量相当的存儲器相比較,在速度上提高了四倍左右。     

隧道二极管高速存储器

存储器的工作速度是决定计算机处理信息速度的重要因素之一。作者等计划在电气试验所正在研制的 MK-6型超高速计算机中采用隧道二极管高速存储器,现已试制成容量为17位×16字的存储器,它采用线选法,每个存储单元由一个电阻,一只隧道二极管和一只普通锗二极管组成。将其用在时钟频率为两相5兆周的小型实验样机中试验结果表明,读出时间可达100毫微秒,整个存储周期为200毫微秒。本文对其存储方式和试制装置及其实验结果作了介绍。     

隧道二极管高速存储器

数字计算机的速度始终受存储器的限制。近来,10兆赫逻辑电路相当普遍,但一兆赫的磁心存贮矩阵仍难于制成。因此,新设计的计算机都倾向于在主磁心存储器之外,装一个用二极管-电容、磁膜或多路偏置铁氧体磁心制成的小容量快速存储器。日本国家电气实验室正在研制的快速计算机 ETLMK-6也将采用一个这样的小型快速存储器,用来存储一段程序、中间数据和变址     

用低速存储器件实现高速存储的设计

本文介绍了一种用低速存储器件实现高速存储系统的设计思想和实现方法,并且讨论了总线分时复用的详细过程。     

双通道高速图像数据存储器的设计与实现

文章介绍了一种基于FPGA的双通道图像数据固态存储器,完成两路数字图像信号的高速采集和存储;以XILINX公司生产的Spartan-3系列XC3S200AN为中控逻辑单元,分别选用IDT公司生产的IDT72V285芯片作为高速缓存FIFO、三星公司生产的4G字节K9WBG08U1M型FLASH存储阵列作为存储模块芯片;系统自检时将远程数据回读使用,采用异步串行发送、LVDS差分驱动接口传输,图像尺寸为640×480,输入的图像数据码流为37MB/s,供电电压28V左右,每路图像数据存储容量不小于4096MB。本设计主要是将采集到的2路互相独立的数字视频信号,各自记录到不同的存储器模块中;Flash数据的擦除、写入及读取是按照交错式双平面的方式进行;固态存储器与地面监控读数装置之间的数字信号通过LVDS总线进行通讯,不仅节约了时间、确保数据完整准确写入,还提高了系统的可靠度。     

高速可变微程序存储器

本文介绍一种变压器耦合高速固定存储器(也称“只读”存储器)。信息存储在带印制导线的穿孔卡片上。孔是用一般的穿孔机穿的。存储信息的印制卡片的制作和修改都不难,而且可以迅速可靠实现。该存储器用在西门子4004处理机上。容量为1024字(或2048)×56位,工作周期为480ns原则上讲,这种存储器的工作速度还可以更高。研究表明,周期可以缩短到100ns,读出时间可降到65ns。     

HC02解码器LSI主控制电路

LSI主控制电路是HC02解码器电路中十分重要的部分。这部分电路产生的输出信号遍布在整个电路中。该电路主要完成如下功能:芯片总清;功能测试;芯片测试;低压报警的检测;功能数据/状态数据送HC01 CPU。本文对这部分电路作一些必要的分析。