KNbO3：Fe环形腔被动相位共轭器

介绍有附加反射镜组成的KNbO_3:Fe环形腔自泵相位共轭器,实验演示了相位共轭光建立过程中各光束间的能量转移现象,并测得自泵相位共轭反射率R随入射角α、环形腔光束夹角2θ和入射光强I_4的依赖关系,在最佳条件α=23°和2θ=20°时,测得最大的相位共轭反射率R=36%。     

复合型砷化镓在10．6μm波长的非线性光学相位共轭特性

用简并四波混频的方法观察了复合型硒化镓的相位共轭效应。测得在10.6μm波长处它的最大共轭反射率Rc=5％,饱和光强Is=16×10~6W/cm~2,三阶极化率X~(3)=3.7×10~(-9)esu。三阶极化率和饱和光强的数值与James等人的价带跃迁理论计算结果相符。     

激光大气传输中的不完全相位共轭数值模拟

采用含时四维程序数值模拟了激光在湍流大气巾传输的不完全相位共轭。比较了不同孔径信标对探测光的反射率,考察了中弱湍流条件下采用不同孔径信标传输不同距离时硬孔的相位共轭保真度和反射率随湍流结构常数的变化规律,及强湍流条件下采用不同孔径信标时软孔的相位共轭保真度和反射率与高斯孔径的关系。结果显示：中、弱湍流条件下,直到3km传输距离,0．5m的接收孔径都足以提供点信标较为理想的相位共轭补偿,3km传输中等程度湍流下Cn^2=10^-15m^-,大信标有较为明显的优势,其保真度高于小信标．所需的系统放大倍率也远低于小信标;3km传输强湍流下Gn^2=10^-13m^-2/3,大信标的保真度反而低,而PCM孔径小时也能获得较高的保真度。     

KNbO_3:Fe在632.8nm处的自泵相位共轭

本文报道在He-Ne激光的632.8nm实现KNbO_3:Fe自泵相位共轭。虽然光折变材料的耦合系数随工作波长的增加而减少,但通过晶体材料的特殊切割,充分利用了最大电光系数:r_42=380pm/V和内表面的全反射,获得的自泵相位共轭反射率可达40％。     

泵浦光强变化诱导自泵浦BaTiO_3相位共轭非稳态振荡的研究

研究了泵浦光强及其入射角、入射位置满足相位共轭光稳态输出条件下.泵浦光强突变对相位共轭反射率稳定性的影响.实验结果表明在某些泵浦光强条件下.当相位共轭光强达饱和值后,泵浦光强的突变会导致相应共轭反射率的非稳态振荡.     

Bi：BGO单晶相位共轭效应的研究

本文采用提拉法生长BGO单晶和Bi:BGO单晶,测试晶体相位共轭反射率和响应时间,发现Bi:BGO晶体相位共轭反射率比BGO晶体提高了一倍。研究了Bi:BGO晶体相位共轭反射率与外电场的关系,以及Bi:BGO晶体的光折变机理。     

KNSBN掺Ce晶体环形腔自泵浦位相共轭

利用(KNa)_(0.1)(Sr_(0.75)Ba_(0.25))_(0.9)Nb_2O_6掺Ceα面斜切晶体实现了无外场、无外反射镜、无外加泵浦光束自泵浦连续波位相共轭,其相共轭反射率达25％,阈值功率小于0.03w/cm~2。并首次摸拟了其光折变耦合系数与晶体α面斜切角的关系。     

掺铑钛酸钡晶体中温度增强的光折变性质

掺铑钛酸钡晶体是一种近年来生长成功的光折变晶体。人们对它的光折变性质如二波耦合、相位共轭、光致吸收等都做过很多研究。但关于其光折变性质随温度的变化尚未见报导。本文中我们对物理所生长的掺铑钛酸钡晶体的光折变性质对温度的依赖性进行了研究，发现其二波耦会强度及其相位共轭反射率随温度的升高而增加。在二波耦合实验中，我们用He－Ne激光器作光源，为消除强的扇光而采用o光偏振，两束对称入射（晶体外夹角2θ=18°）。泵浦光强度为0．36W／cm2，泵浦光与信号光的强度比为为20，测得二波耦合强度随温度线性增加，当温度从20℃…     

亚毫微秒GaAlAs双异质结激光器

当双异质结连续激光器加上大于阈值的阶跃脉冲时,激光器的光脉冲前沿便产生张驰振荡,振荡频率f_r为:f_r=1/(2π)[1/τ_(ph)τ_s(I/I_(th)-1)-I~2/(4τ_s~2I_(th)~2)]~(1/2)式中I为注入激光器的峰值电流;I_(th)为阈值电流;τ_(ph)为光子寿命;τ_s为载流子自发复合寿命.当I/I_(th)=2,τ_s=2毫微秒,τ_(ph)=1.2微微秒时,f_r=4千兆周;当I/I_(th)更大时,f_r更高.我们用一个峰值电流     

具有非对称高斯反射率相位共轭光腔的基模

由高斯光束泵浦的四波混频相位共轭反射镜(PCM)具有横向高斯分布的反射率.这种分布是空间非对称的.本文给出这种PCM(包括自泵浦情况)的光束变换矩阵,把它用于自泵浦相位共轭光腔的分析;得出腔内振荡是椭圆高斯光束的结论.     

脉冲光入射时法布里-珀罗腔的透射特性

本文从理论与实验两方面讨论脉冲激光入射时法布里-珀罗（FP）腔的透射特性。结果表明：FP腔的输出波形分三个明显阶段：建立阶段、稳定阶段及衰荡阶段。建立阶段表示激光注入、稳定阶段表示腔内信号达到最大值、衰荡阶段则表示外部激光注入停止。衰荡阶段的衰荡时间与腔的振幅衰减系数有关。     

AlGaAsSb-InGaAsSb HPTs with high optical gain and wide dynamic range

Novel heterojunction phototransistors based on AlGaAsSb-InGaAsSb material systems are fabricated and their characteristics are demonstrated. Responsivity of a phototransistor is measured with applied bias voltage at four different wavelengths. The maximum responsivity around 1400 A/W and minimum noise equivalent power of 1.83/spl times/10/sup -14/ W/Hz/sup 1/2/ from this phototransistor with bias of 4.0 V at a wavelength of 2.05 /spl mu/m were measured at 20/spl deg/C and -20/spl deg/C, respectively. Noise equivalent power of the phototransistor is considerably lower compared with commercially available InGaAs p-i-n photodiodes. Collector current measurements with applied incident power are performed for two phototransistors. Currents of 400 nA at low intensity of 0.425 /spl mu/W/cm/sup 2/ and of 30 mA at high intensity of 100 mW/cm/sup 2/ are determined. Collector current increases nearly by five orders of magnitude between these two input intensities. High and constant optical gain of 500 in the 0.46-nW to 40-/spl mu/W input power range is achieved, which demonstrates high dynamic range for such devices at these power levels.     

远场非单一强度分布光的BaTiO3:Ce自泵浦相位共轭效应

在BaTiO3:Ce晶体上,用两He-Ne激光为模拟光源,进行远场自泵浦相位共轭.通过研究不同入射强度比的两种光产生的相位共轭光强变化,特别是它们各自建立相位共轭光栅的响应时间差别,发现非单一强度分布的远场光产生的相位共轭光在时序上能分离.依此特性,初步探索不配合目标的信标光成为点光源用于自适应光学系统的问题.     

Nd:YAG连续激光烧蚀碳纤维复合材料的过程观测

通过Nd:YAG激光辐照碳纤维/环氧树脂复合材料过程的高速摄像观测,得到了不同辐照功率密度下烧蚀过程中的主要现象.发现在低功率密度(50 W/cm2)下,主要是表面烧蚀机制,不会发生燃烧现象,在长时间辐照下,由于表层附近出现轻微的聚合物焦化分解,表面层出现粉末状和漂絮状的碳粉缓缓弥散空气中;在中等功率密度(300 W/cm2)下,体烧蚀机制占主要地位,内层分解气体喷出,在空气中点燃引起表面燃烧,主要燃烧表面聚合物;在高功率密度(4500 W/cm2)下是以表面烧蚀为主的质量迁移机制,在极短的时间(0.001 s)内表面层被破坏,瞬间燃烧,光斑中心出现喷射式的气化等离子体现象,并出现逐层烧蚀和各向异性热传导引起的烧蚀区形貌变形等现象.     

1.06 μm high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers

The high power and low internal loss 1.06 μm InGaAs/GaAsP quantum well lasers with asymmetric waveguide structure were designed and fabricated. For a 4000 μm cavity length and 100 μm stripe width device, the maximum output power and conversion efficiency of the device are 7.13 W and 56.4%, respectively. The cavity length dependence of the threshold current density and conversion efficiency have been investigated theoretically and experimentally; the laser diode with 4000 μm cavity length shows better characteristics than that with 3000 and 4500 μm cavity length:the threshold current density is 132.5 A/cm², the slope efficiency of 1.00 W/A and the junction temperature of 15.62 K were achieved.     

熔覆产生的蓝紫光与熔覆表面质量关系的研究

为了揭示熔覆时产生的蓝紫光信号与熔覆表面质量的关系,采用UV-420对熔覆产生的蓝紫光信号强度进行实时检测,取得了不同扫描速率与激光功率条件下,蓝紫光信号的强度值。经实验研究与理论分析可得,蓝紫光强度相对稳定在1.7μW/cm2～2.5μW/cm2时,熔覆表面质量相对比较好;同时证明了熔覆时的等离子体主要来源于熔覆粉末的气化击穿。结果表明,蓝紫光信号强度的大小,在一定程度上能够反映熔覆表面质量的好坏,且能够为熔覆的闭环反馈控制提供具有参考价值的相关参量。     

顺序放电高重复频率TEA CO2激光器

研制了一台高重复频率顺序放电TEA CO2激光器,由共用光学谐振腔的两节相同放电组件组成,单组件的有效增益体积为2.5 cm×2.5 cm×55 cm.激光器允许以不同的双脉冲时间间隔和不同的脉冲重复频率工作并产生高峰值功率输出双脉冲.当两组件以200 Hz重复频率同步放电时,激光器输出平均功率为1.1 kW;当两组件以400 Hz重复频率顺序放电时,输出平均功率为550 W,双脉冲时间间隔为2.5 ms.在同一脉冲重复频率下,激光器的平均输出功率随双脉冲间隔的增大而减小.实验还测量了不同双脉冲间隔下,激光器的输出双脉冲波形.     

钕玻璃非线性双光子吸收

利用锁模钕玻璃激光器的单个微微秒激光脉冲,研究了掺钕激光玻璃中钕离子的非线性双光子吸收。根据实验和理论计算给出了钕离子的双光子吸收截面σ=(6.16±1.1)×10~(-33)厘米~4/瓦,非线性吸收系数γ=(1.65±0.29)×10~(-12)厘米/瓦以及光强与透过率的函数关系曲线。双光子吸收限制了钕玻璃放大器的输出峰值强度。实验确定放大器的极限峰值强度为 I_(最大)=(4.15±0.73)×10~(10)瓦/厘米~2。     

光折变多重全息图分批热固定的光擦除特性

研究光折变多重全息图分批热固定方法．依据热固定的基本理论模型研究离子补偿后的全息电子光栅在分批记录和定影过程中的光擦除特点。引入批间光擦除时间常数对多重全息图分批热固定的批间擦除特性进行定量描述．给出了测量批间光擦除时间常数的实验方法．并测得实际品体的批间光擦除时间常数：研究结果表明，被记录光激发的已定影全息图的获陷电子对其离子光栅的屏蔽作用，使得多重全息光栅的各批间光擦除时间常数τF远大于每批内光栅间的擦除时间常数τE，实验结果与理论预期一致。证实了批间光擦除时间常数与批内光擦除时间常数的差异是采用分批存储热固定技术高效存储热固定高密度全息图的基本依据。     

Frequency modulation of three-terminal Gunn devices by optical means

The three-terminal Gunn device first reported by Petzinger et al. has been frequency modulated by shining light either on the n-type gallium arsenide or the p-n junction of the device. Different sensitivities are achieved in those two modes of operation. While the device was oscillating in the bias-circuit mode at about 500 MHz, frequency variations linearly dependent on the intensity of the light have been observed in both modes of operation. The maximum shifts about 2 percent of the oscillating frequency, has been measured at a light intensity of 25 mW/cm²and when light was directed only on the n-type gallium arsenide. Higher-frequency shifts have been observed in the nonlinear region. The device has demonstrated capability of detecting very short light pulses, ∼ 50 ns, generated by GaAs laser.