高转换效率太阳电池

美国加利福尼亚州Varian Associates公司研制成转换效率高达28.1％单结砷化镓太阳电池。该电池是本公司86年完成转换效率26.3％单结型砷化镓电池的基础上开发的。砷化镓太阳电池的大小为5mm×5mm。可用于地面发电系统和搭载在人造卫星上作动力源。如果太阳电池的转换效率提高1％,则可增加人造卫星通讯频道数目,可减少100万美元的制作费用。目前,所用的硅太阳能电池,其转换效率仅为14％。     

高转换效率太阳电池

美国加利福尼亚州Varian Associates公司研制成转换效率高达28.1％单结砷化镓太阳电池。该电池是本公司1997年完成转换效率26.3％单结型砷化镓电池的基础上开发的。砷化镓太阳电池的大小为5mm×5mm。可用于地面发电系统和搭载在人造卫星上作动力源。如果太阳电池的转换效率提高1％,则可增加人造卫星通讯频道数目可减少100万美元的制作费用。目前,所用的     

Au/n-CdTe和Au/I/n-CdTe多晶薄膜太阳电池转换效率的计算

本文用晶界复合损失模型方法对两类CdTe多晶薄膜Schottky势垒太阳电池的光电流作了计算。用热电子发射理论的Schottky势垒二极管电流公式和Green的少数载流子隧道MIS二极管电流公式,分别计算了Au/n-CdTe和Au/I/n-CdTe两类太阳电池的转换效率随晶粒度和掺杂浓度的变化。     

多晶薄膜太阳电池的现状和发展

近几年来,薄膜太阳电池的研制取得了重大进展,除了无定形硅太阳电池外,各种多晶薄膜太阳电池的研究和生产也非常引人注目,它们将是无定形硅太阳电池的强有力的竞争者。和各种单晶半导体材料相比,多晶薄膜半导体材料具有很高的吸收系数,仅需很薄的基体就能制成性能良好的太阳电池,大大节省了材料     

高开路电压高转换效率硅太阳电池研究

一、引言 在改善硅太阳电池性能的研究中,为提高电池的短路电流已做了大量工作。例如,紫电池、绒面电池及锯齿形盖片的研制,已将电池的短路电流密度提高到47.5mA/cm~2以上。近期内,人们把提高电池的开路电压作为主攻方向,并已进行了多方面的努力。然而,报道的制造工艺都较复杂,周期也较长。另一方面,所有“高压”电池的短路电流输出几乎都比通常     

CdTe多晶薄膜太阳电池的结构改进

采用共蒸发法制备了ZnTe：Cu和Cd1-xZnxTe多晶薄膜，研究了薄膜的结构和性能。获得了Cd1-xZnxTe多晶薄膜的光能隙与锌含量的关系，ZnTe：Cu多晶薄膜光能隙随着掺Cu浓度的增加，光能隙减小。分别用ZnTe／ZnTe：Cu和Cd1-xZnxTe／ZnTe：Cu复合层作为背接触层，既能修饰异质结界面，改善电池的能带结构，又能防止cu原子向电池内部扩散。获得了面积0．5cm^2，转换效率为13．38％的CdTe多晶薄膜太阳电池。     

铜铟硒多晶薄膜太阳电池的制备技术

简述了铜铟硒多晶薄膜太阳电池的研究现状，讨论了其制备技术及其特点，给出了进一步研究和要解决的现存问题。     

钙钛矿型多晶薄膜太阳电池(2)

<正>2013年,瑞士联邦理工学院Graetzel M小组提出用溶液旋涂两步法,依次在纳米多孔Ti O2薄膜上沉积Pb I2和CH3NH3I,以合成钙钛矿CH3NH3Pb I3多晶薄膜,显著改善了薄膜的均匀性,使电池效率跃升到15.0%[5]。同年,英国牛津大学物理系Liu Mingzhen等[6]采用双源共蒸发技术制备CH3NH3Pb I3-xClx     

钙钛矿型多晶薄膜太阳电池(1)

<正>0引言多年来,硅晶片太阳电池一直是光伏太阳电池领域的主流。为进一步降低太阳电池的发电成本,从上世纪70年代起,陆续发展了几种薄膜太阳电池,包括:硅基薄膜电池、碲化镉薄膜电池、铜铟镓硒电池、染料敏化电池和有机薄膜电池等。虽然经过多年的努力,薄膜电池在研发方面取得了重要进展,但都尚未达到预期的目标。或是由于电池效率不够高,研发进展缓慢;或是由于电池组分中含有稀有元素,成本降不下来,将来也恐难满足大规模太阳电     

钙钛矿型多晶薄膜太阳电池(3)

<正>2014年5月在国内钙钛矿太阳电池学术会上,武汉大学物理学院方国家小组报道,其研制的CH_3NH_3PbI_3-xCl_x钙钛矿电池效率达到16.02%[10]。钙钛矿电池与传统商业电池叠层已取得初步进展。美国加州斯坦福大学McGehee M小组报道,其研制的钙钛矿/CIGS叠层电池效率达到18.6%。他们的CIGS电池效率已达17%,叠层电池效率提高不多的原因,可能是由于钙钛矿电     

钙钛矿型多晶薄膜太阳电池(4)

<正>2014年,中国科学院物理所孟庆波小组也制备了无空穴传输层的钙钛矿电池(TiO_2/CH_3NH_3PbI-3/Au),但对界面进行了调控处理,获得10.49%的电池效率~([15]),并对电池的I-V特性进行了系统分析,表明该类电池是一种典型的平面异质结电池,具有空间电荷区。但是,由于缺乏空穴传输层,这种钙钛矿电池的开路电压和填充因子还是偏小。2.3 p-i-n结构和场助收集图6为高效钙钛矿平面异质结太阳电池的能带图,结合文献报道的材料参数,我们重新标示了相关的能带参数,如图8所示。可以看出,ZnO/CH_3NH_3PbI_3/HTM为典型的n-i-p平面结构,n-ZnO为迎光面。这里HTM为空穴传输材料,即p型螺二芴(spiro-MeOTAD)。其中CH_3NH_3PbI_3为本征层(i层),即未人为掺杂,以保持材料低缺陷密度和高质量。i层具有适当     

钙钛矿型多晶薄膜太阳电池(5)

<正>以上计算结果表明,钙钛矿电池的效率密切依赖于钙钛矿层的质量,尽管以上关于材料参数的假定带有某些随意性。因此,优化钙钛矿层材料的成分(如三元系金属卤化物)、改进材料生长工艺、降低其缺陷态密度,将是今后重点研究的课题。图8中CH3NH3Pb I3的能带参数是由Kim H等[4]从反射谱和UPS(紫外光电子谱)测量导出的,但是费米能级EF的位置未像常规UPS测     

多晶硅太阳电池转换效率大幅提高

据美国媒体报道,麻省理工学院（MIT）科学家最近发明了可大幅提高多晶硅太阳电池效率,同时维持低成本的方法。他们同时成立了一家名为1366的技术公司已将这项技术商业化。     

提高太阳电池转换效率的技术

提高太阳电池转换效率的技术李春鸿当前，太阳电池最重要的研究课题，仍然是提高转换效率和降低成本，为此人们进行了不懈的努力。本文介绍几种提高太阳电池转换效率的主要技术。一、太阳电池的种类及其转换效率太阳电池种类很多，如单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池、无定...     

多晶CdS／Cu2S异质结太阳电池光电流及转换效率的计算

根据半导体材料的性能参数，对多晶ＣｄＳ／Ｃｕ２Ｓ薄膜太阳电池在各种浓度下的光伏特性作了较深入的分析和计算。计算中考虑到耗尽区宽度的变化以及内表面复合损失对光电流ＪＬ的影响，同时还用Ｒｏｔｗａｒｆ晶界复合损失模型计算了晶粒度对光电流及光伏特性的影响。存在一个最佳Ｃｕ２Ｓ受主浓度Ｎａ＝１０＾１５ｃｍ＾－３，单晶和晶粒度Ｒ＝３μｍ的多晶电池，其转换效率分别为１３．６％和１３．３％。     

创转换效率记录的非晶太阳电池

美国能源转换装置公司报导,一种利用获得专利的非晶体材料合金制成的太阳电池,其能源转换效率已达12.2～12.7%,这是以前从未有过的记录.这样高的转换效率,是在一个由氟化材料制造的三层极薄子单元纵向重叠而成的太阳电池上取得的,其面积为1Cm~2;每层子     

模拟非硅衬底上转换效率10%的多晶硅薄膜太阳电池

在重掺杂非活性单晶硅片上生长一定厚度的SiO2，开窗口后作为衬底，利用快速热化学气相沉积（RTCVD）及区熔再结晶（ZMR）方法制备多晶硅薄膜太阳电池。由于采用了区熔再结晶（ZMR）的方法，获得了取向一致的多晶硅薄膜,为薄膜电池的制备打下了良好的基础,转换效率达到10．21％。     

效率超过19%的CdTe薄膜太阳电池

从电池结构、关键制备技术与流程、功能层材料与器件性能方面详细阐述了本研究组在高效率宽光谱CdTe薄膜太阳电池方向的研究工作。提出了新的扩散预制层制备工艺,拓展梯度带隙吸收层制备和组分调控工艺窗口;协同调控梯度吸收层预制结构与Se扩散相关的吸收层制备热过程和活化热过程,优化梯度吸收层组分分布和能带结构;解决前电极窗口层与传统制备技术的兼容性问题,消除限制转换效率的前界面势垒;制备得到两种主流结构的CdTeSe薄膜太阳电池,获得19.1%的器件光电转换效率。     

转换效率达20.4％的单晶硅太阳电池

日本夏普公司最近研制成功转换效率达20.4％的世界最高水平单晶硅太阳电池。电池尺寸为5cm×5cm。。他们制造的太阳电池原最高效率为19.3％。这次制造的太阳电池特性曲线及其特性参     

第三代太阳电池转换效率提高方法

目前在对太阳电池的研究中,如何提高太阳电池光电转换效率是研究重点。而第三代太阳电池在利用第二代太阳电池低成本薄膜技术的基础上可大幅度提高电池的效率。本文主要介绍了第三代薄膜太阳电池的基本概念与工作原理,阐述了提高第三代太阳电池效率的各种方法:增加能级数量、增加激发产生的载流子的数量、载流子热能化之前俘获载流子、热能方法。