碳化硅高温钠盐腐蚀的电镜研究

用扫描电镜和分析电镜研究了碳酸钠对SiC的高温腐蚀,实验表明腐蚀反应首先发生在晶界上的石墨夹杂处。腐蚀的主要结构特徵是针孔腐蚀,针孔一般位于被反应消耗的颗粒及晶界处。电子显微镜研究发现,腐蚀产物除玻璃态硅酸钠外,还有结晶型硅酸钠、二氧化硅及少量的一氧化硅。从实验结果分析了碳酸钠对SiC腐蚀的反应过程。文章还介绍了带有脆性玻璃质为主的腐蚀产物的SiC的电子显微镜试样制备方法。     

锅炉的腐蚀状况及防治方法

造成锅炉腐蚀的原因有多种,要根据锅炉腐蚀状况与特征做好针对性防治,以避免影响锅炉的使用性能与寿命。本文介绍了锅炉腐蚀种类、腐蚀原因与部位,对锅炉腐蚀特征和防治措施进行了分析,希望能为锅炉腐蚀防治提供参考。     

CF_4、SF_6和NF_3反应离子腐蚀硅表面粗糙度的研究

本文采用CF_4、SF_6和NF_3三种腐蚀气体对硅进行反应离子腐蚀,研究了腐蚀表面粗糙度与腐蚀工艺条件(气压、射频功率),附加气体和腐蚀深度等因素之间的关系。并通过SEM和Auger能谱仪分析,探讨了引起腐蚀表面粗糙的原因。     

用于高灵敏度红外探测器的超薄硅膜的研制

超薄、平整的硅膜对于制作高灵敏度红外探测器是非常重要的。这种超薄硅膜的各向异性腐蚀技术，包括有机溶液EPW和无机溶液KoH及KoH IPA(异丙醇)。从腐蚀速率、腐蚀表面质量、腐蚀停特性、腐蚀边缘形貌及腐蚀工艺的角度分析比较了两种腐蚀系统，分别制作出了约1μm厚的平整超薄硅膜，并研究了不同掩膜材料在腐蚀液中的抗蚀性，为高灵敏度红外探测器的制作奠定了工艺基础。     

Ge单晶片的酸性腐蚀特性分析

对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的腐蚀特性进行了研究,讨论了腐蚀速率与腐蚀液配比的关系,并对腐蚀速率的变化进行了分析.比较了腐蚀前后晶片几何参数的变化以及腐蚀去除量对晶片几何参数的影响.并对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的反应原理进行分析,最终确定酸性腐蚀更适合Ge单晶片抛光前的腐蚀减薄工艺.     

腐蚀工艺条件对InP晶片表面状况的影响

对InP晶片的化学腐蚀特性进行了分析,研究了酸性腐蚀液(盐酸系列腐蚀液)的配比、腐蚀液温度等工艺条件对InP晶片腐蚀速率、表面腐蚀形貌和化学腐蚀片表面粗糙度的影响。研究结果表明,腐蚀液温度为室温时,改变腐蚀液配比,InP晶片的腐蚀速率变化不明显,而当腐蚀液温度发生变化时则腐蚀速率、晶片表面腐蚀形貌(显微镜下的表面状况)和化学腐蚀后晶片的表面粗糙度均有较大变化,当腐蚀液温度控制在一定范围时,晶片表面光洁,显微镜下观察到的腐蚀图形均匀一致。研究结果对确定InP晶体加工过程中的化学腐蚀工艺有一定的指导意义。     

近场纳米光纤探针腐蚀制备技术概述

纳米光纤探针是扫描近场光学显微镜的常用关键器件,化学腐蚀法制备近场光学光纤探针是基于腐蚀液弯液面的高度随光纤芯径的动态变化过程。从流体力学杨一拉普拉斯方程出发,研究了弯液面高度随光纤芯径大小的变化关系,分析了影响腐蚀法制备纳米光纤探针的相关因素,追踪了利用化学腐蚀制备纳米光纤探针的最新进展,介绍了静态腐蚀法、动态腐蚀法和选择腐蚀法等多种方法,并分析了每种方法的特点,作了比较和总结。     

硅(100)晶面的凸角腐蚀及其补偿

在进行Si(100)台面腐蚀时,由于硅的各向异性腐蚀特性,凸角处呈现严重切削现象。凸角侧向腐蚀程度与腐蚀深度、腐蚀温度、腐蚀剂配比等诸多因素有关。针对方形补偿结构探讨了凸角腐蚀的补偿原理,设计了补偿版图,并在KOH腐蚀液中进行实验验证,获得了与理论分析结果相一致的直角凸面补偿效果。     

碱性腐蚀工艺条件对硅片表面腐蚀形貌的影响

碱性腐蚀工艺条件对硅片表面腐蚀形貌如粗糙度、显微镜下的表面状况的影响做了研究,通过实验结果给出了特定要求条件下硅片腐蚀的最佳方案.运用硅的化学腐蚀机理分析了表面腐蚀状况的原因.     

提高铝箔腐蚀系数的途径

本文论述了退火温度对铝箔微观结构的影响;并通过对低压软、硬箔电化学腐蚀试验结果的分析,讨论了腐蚀液的组成和浓度、腐蚀电流密度及退火温度对铝箔腐蚀系数的影响;探讨了提高铝箔腐蚀系数的途径。     

一种新的各向异性腐蚀液—乙醇胺水溶液

本文介绍一种新的用于硅的各向异性腐蚀液——乙醇胺水溶液。用该种腐蚀液成功地在硅(100)面上腐蚀出了侧壁光滑、钻蚀很小的V形槽,在(110)面上腐蚀出了U形槽。实验表明,这种腐蚀液与目前已报导的三种各向异性腐蚀液相比,具有无毒,无碱金属离子沾污,操作简便及容易控制等优点。实验给出了(100)、(110)、(111)面的腐蚀速率与腐蚀液浓度和腐蚀温度的关系曲线;讨论了最佳腐蚀条件;测定出低指数(100)、(110)和(111)晶面的腐蚀反应表现激活能均为10.7±0.5千卡/克分子。同时也对腐蚀中出现的若干现象进行了分析和讨论。     

不同腐蚀工艺对单晶Ge位错密度与微观形貌的影响

为提高单晶Ge位错腐蚀工艺的准确度,采用金相腐蚀观察法计算了单晶Ge的位错密度,分析了腐蚀时间、抛光条件、腐蚀温度对位错微观形貌的影响.结果表明:腐蚀时间过长或过短,位错腐蚀坑形貌无法正常观测,腐蚀时间10 min时,位错腐蚀坑形貌观测效果最佳;机械抛光会产生划痕和污渍,化学抛光可以得到更光洁的材料表面,腐蚀后更易观测...     

InSb(111)A面腐蚀坑成因分析

采用光学显微镜和光学轮廓仪分析了InSb晶片(111)A面经特定腐蚀剂腐蚀后出现的两种特征腐蚀坑,并通过多次腐蚀试验观察了这两种腐蚀坑形貌的演变。从理论上对腐蚀坑形貌的成因进行了分析,结果显示1类特征腐蚀坑的成因是由于晶片固有的位错缺陷,2类特征腐蚀坑可能是由于晶片表面存在一定深度的损伤层引起的。     

钢板表面腐蚀的脉冲涡流热成像检测研究

钢铁腐蚀是威胁工业安全生产的重要原因之一,采用脉冲涡流热成像缺陷检测技术对钢板表面腐蚀进行了检测和评估。用二维感应加热模型分析了腐蚀表面几何形状对感应加热温度分布的影响,根据实验结果提取腐蚀缺陷的表面温度均方根对腐蚀程度进行表征,并研究了涂层对钢板腐蚀程度评估的影响。用主成分分析法、因子分析法和脉冲相位法重构感应加热红外图像,提高了腐蚀缺陷的识别能力和腐蚀程度的评估能力。     

离子色谱在元器件腐蚀失效分析中的应用研究

电子元器件在应用过程中经常出现污染腐蚀失效,查找引起失效的污染、腐蚀源是分析技术的关键。本工作通过几种不同类别电子产品失效分析案例,研究了离子色谱检测(IC)在板面残留、工艺辅料、产品包封料、环境异物中污染腐蚀源的检验和分析方法,并与传统的形貌观察、绝缘阻抗测试、EDS成分分析、红外光谱分析的结果进行综合对比和验证。明确了离子色谱检验方法在电子元器件腐蚀失效分析中的应用场景、取样方法和结果分析方法,为离子色谱在电子元器件腐蚀失效预防中的工程应用提供指导和借鉴。     

异丙醇在硅碱性腐蚀液中的作用

在硅单晶的碱性腐蚀过程中,往往由于碱性腐蚀液对单晶硅的腐蚀速率过快,从而增大了硅单晶片表面的粗糙度。异丙醇有着减缓腐蚀速率的功效因而降低了硅单晶片表面的粗糙度。主要讨论了异丙醇在碱性腐蚀液中的作用原理并对腐蚀实验结果做了分析。     

铅玻璃微通道板芯料的腐蚀和扫描电镜检测

本文用亲电性腐蚀液、静置腐蚀法腐蚀实芯丝铅玻璃微通道板的芯料,并用扫描电镜和X射线能谱仪分析其形貌和化学成份。结果表明,用本腐蚀法可获得内壁光滑、增益高、噪声低的通道板。 文中还提出了一种测量腐蚀速度的新方法。测量结果可靠、重复性好。     

集成光学制备工艺中的清洗和腐蚀

论述了集成光学光刻、镀膜工艺中对基片的清洗步骤,阐述了常规材料的腐蚀方法及腐蚀液配制,并分析了腐蚀工艺过程中易出现的问题.     

激光化学液相次序选择腐蚀新方法

提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法———次序选择腐蚀法。次序选择腐蚀是指在激光化学液相腐蚀中,腐蚀溶剂不是混合后同时作用于基片,而是按照溶剂的性能,分先后对基片进行腐蚀。实质上是采用微处理(表面处理)再进行混合液相激光辅助下的腐蚀。理论分析和实验结果都表明,与国内外研究普遍采用的混合溶剂腐蚀法相比,次序选择腐蚀可以有效地提高腐蚀表面的均匀性;因先采用H2O2对基片进行化学腐蚀处理,大大缩短了激光化学腐蚀的时间;利用溶剂分开,降低了激光化学腐蚀对混合溶剂精确配比的要求,使激光化学腐蚀控制和分析更加简单。这种方法可以克服常规方法的诸多弊端,提高腐蚀性能,在特殊结构光电器件和光电集成中具有广泛的应用前景。     

硅的各向异性腐蚀及其在SDB介质隔离技术中的应用

本文对硅的四种各向异性腐蚀剂的特点,腐蚀工艺条件和腐蚀效果进行了对比分析,选出了用以形成SDB介质隔离槽的最佳的腐蚀液和工艺。并讨论和分析了腐蚀槽的质量和影响质量的因素。最后指出了该工艺在SDB介质隔离岛形成中的一个应用。