强流中子发生器中子产额测定

文章简述兰州大学3.3×10~(12)n/s强流中子发生器14MeV中子产额的测定。采用三种方法的七个测量手段进行比对测量。虽然在测试过程中遇到很强的中子本底、γ射线本底和电磁干扰,最终还是得到合理的比对结果。尤其是45°偏转半导体符合望远镜和~(238)U裂变室在不同束流下进行的比对测量结果说明两台测量装置在很宽的量程内测量稳定、可信。     

分析束强流中子发生器中子比产额及靶寿命

将在分析束(D_1~-)轰击下,大面积高速旋转靶半寿命、中子比产额等指标与非分析束作了比较。中子比产额从1.1×10~(11)s~(-1)·mA~(-1)提高到1.6×10~(11)s~(-1)·mA~(-1),氚钛靶半寿命提高一个数量级,靶寿期由1mA·h/cm~2提高到6.9 mA·h/cm~2。     

中子发生器产额稳定性

中子发生器的应用是很广泛的,这是因为中子发生器具有独特的优点:如可关断性和单能性.但是,中子发生器的产额稳定性和开机重复率差,达不到元素分析的领域的要求,电子学自动控制是一种简便易行效果显著的好方法.     

4H-SiC探测器的快中子产额测量可行性研究

为了验证4H-SiC探测器用于快中子产额测量的可行性,利用强流氘氚聚变中子发生器(High Intensity Deuterium-Tritium Fusion Neutron Generator,HINEG)测试了4H-SiC探测器的主要性能.实验获得了探测器的脉冲幅度谱,高能段反应特征峰清晰可辨,12C(n,α0)...     

中子发生器产额的测量

用铁片活化法和长计数管测量中子发生器的中子产额，给出了测量方法和结果。     

提高中子管产额的措施

针对国产密封中子管存在的提高产额问题,采取三项措施:排气过程的真空度提高到2×10-6 Pa;离子源引出端磁场强度提高到0.33T;通过实验寻找到靶上镀膜厚度的最佳值为2.2 μm.以φ50 mm中子管为例,实际测试结果表明,中子管产额达109/s量级,在5×107/s下运行,寿命达到4000h以上,稳定性≤2％.     

一个修正的快中子约化溅射产额公式

材料的快中子溅射性能直接关系到裂变和聚变反应材料的选择。在测量得到的（ｎ,２ｎ）,（ｎ,α）,（ｎ,ｐ）和（ｎ,ｎｐ）核反应的快中子溅射产额的实验数据基础上,结合理论计算结果,得到了１个适合于计算上述４种核反应的约化溅射产额的修正的理论计算公式。     

钻井内脉冲工作的密封中子管中子产额监督

一、引言在高压倍加器上,由T(d,n)~4He反应发射中子产额通常用伴随α粒子、反冲核和慢化法等各种方法测量。在地面上使用的中子发生器(抽气式和密封式),由T(d,n)~4He反应产生的中子一般用活化片法进行测量。至于在勘探钻井内使用密封中子管,其中子产额如何测量,是目前正在研究的课题。我们采用的是密封型中子发生器,以脉冲态在勘探钻井内工作,它在工作期间输出的中子产额随工作时间的增加而缓慢下降,而且还可能由于外电源电压不稳引起中子发生器的高压波动,使得中子产额也在变化,为此必须对中子发生器在工作时的中子产额进行监督。     

中子产额大于1.5×10^10n／s的密封中子管

报道了一种中子产额大于１．５×１０１０ｎ／ｓ、靶和离子源都可拆卸的密封中子管，以它为核心研制的密封中子发生器已被用于中子照像等领域，并取得了较好的结果。     

中子监测器定度中散射本底的研究

测定了几都典型中子监测器在用~(124)Sb-Be、~(241)Am-Be 及14MeV 中子源定度时的散射本底响应,比较了常用的几种确定散射本底的方法,并给出了拟合公式。     

~(175)Yb与~(169)Yb的中子活化R矩阵元作为中子能谱的监测器

由~(174)Yb和~(168)Yb的(n,γ)反应产生的~(175)Yb(i)和~(169)Yb(j)的生成率之比值B_i~o/B_j~o;称为~(175)Yb与~(169)Yb的中子活化R矩阵元R_(ij)。R_(ij)的准确度比之其他的R矩阵元的要高得多。另外,~(168)Yb(n,γ)~(169)Yb反应的共振积分与热中子俘获截面之比值的文献值为8.33±0.74,而~(174)Yb(n,γ)~(175)Yb反应的为<0.1,二者之间的差别比较显著,~(175)Yb与~(169)Yb的半衰期又比较适     

24.4KeV中子诱发^235U裂变的产额测量

一、前言 对~(235)U热中子裂变已经作了充分的研究,裂变产物的产额作了广泛的测量,并对实验数据进行了多次编评。但是对于其它单能中子诱发~(235)U裂变研究还远远不够,尤其是keV能区的中子更是如此。J.G.Cuninghame等测量了130-1700keV中子诱发~(235)U裂变中一些核素的产额。但是低于130keV中子诱发的裂变研究,文献中未见过报道。为了研究产额随中子能     

反应堆辐照制备超钚核素的产额估算

本文估算了利用反应堆中子辐照生产超钚元素时,~(248)Cm以前各核素的产额与中子通量及中子能谱的关系,并以图表形式描述了生产某一核素的最佳照射时间以及在生产链上各核素的相对比值。     

激光直接驱动内爆中子产额实验诊断

利用激光驱动充 DT燃料的内爆靶丸 ,完成了“神光 ”激光装置首轮内爆出中子实验。通过超快猝灭塑料闪烁探测器测到了直接驱动内爆中子产额。中子产额 10 7～ 10 9,测量误差± 7%～± 10 %。中子产额实验值与理论部提供的计算值 (爆推靶 )在± 2 0 %范围内一致。     

脉冲中子源中子产额稳定性的评定

中子产额的稳定度是脉冲中子源的一项重要指标.文中介绍了一种评定脉冲中子源产额稳定性的新方法.测试系统由长计数器和一对性能基本相同的积分型探测器组成,中子产额的稳定度直接通过数据处理获得而无需对各探测器测量的不确定度进行分别评定.通过不同探测器得到的实验结果彼此符合很好.     

中能^12C重离子在Fe等厚靶上核反应的中子产额和能谱

本文调研了由测量和核内级联-蒸发模型理论计算得到的中能区重离子核反应中子发射微分截面数据,并依据这些结果计算给出了单核能为58.3和100MeV 的~(12)C 离子轰击~(56)Fe 厚靶产生的次级中子能谱、角分布和总产额。同时对现有数据做了较为细致的分析,为重离子的防护提供了一些基础资料。     

低能重离子核反应的中子和γ量子产额

低能重离子核反应的中子和γ量子产额,无论从加速器的辐射防护来说,还是从重离子的应用来说,都是需要了解的。然而,这方面成熟的理论和实验资料还比较缺少,目前作精确计算还有困难。本文提出一个简单通用的估算方法,并与有限的测量结果作了比较。     

虚拟仪器技术在D-T靶中子管中子产额测量中的应用

虚拟仪器是计算机辅助测试（CAT）领域内最具活力的一项技术。介绍了利用虚拟仪器编程语言Labwindows／CVI的强大功能实现中子测试过程中探头标定、信号采集、测量分析和结果处理的一次实践。     

氧化层厚度对氘氚中子产额影响研究

对氚化钛膜表面氧化层厚度对氘氚中子产额的影响进行了理论与实验研究.理论计算表明,能量为120keV的氘核入射氚化钛膜的深度为833 nm,入射钛氧化层的深度为527-577 nm.实验结果表明,氧化层降低了氘氚反应的中子产额,且中子产额随氧化层厚度的增加而减小,氧化层厚度低于220nm,中子产额与氧化层厚度的线性关系为Y=(7.524-0.01326X)×106.