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金薄膜的反应离子刻蚀工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用反应离子刻蚀(RIE)工艺对金薄膜进行了干法刻蚀研究,得到了刻蚀速率随两极间偏压、气体压强和气体成分等因素变化的规律。试验结果表明,刻蚀速率随偏压的增加而增大;当压强增加时,刻蚀速率先增加后减小;不同种类的气体对刻蚀速率影响较大;刻蚀时间与刻蚀厚度在一定范围内成正比。另外,找到了控制刻蚀过程均匀性和选择比的方法。 相似文献
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新兴的 3D 互联技术以及高产量的 MEMS 应用需要成本低廉以及高产量的深层反应离子刻蚀系统。最优化的 Alcatel 深层反应离子刻蚀系统可以同时满足工艺以及硬件生产性能的高要求。这些都已经在典型刻蚀工艺上进行了研究, 包括斜面刻蚀、堆叠时的 CMOS 刻蚀侧壁角度、3D 高精度惯性传感器的良好控制的形貌、大面积刻蚀的打印机喷头和硅麦克风应用。优化的工艺参数意味着在刻蚀率, 刻蚀的深宽比, notch free 的工艺, 光滑度以及高精度控制各方面的显著提高。Alcatel AMS 200 “I-Productivity”DRIE 机台用于高产量的工艺同时也确保了生产参数如整机效率的提高以及使用成本的降低, 这是通过机台的无可替代的硬件以及工艺方案实现的。 相似文献
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钙钛矿结构的钛酸锶钡(BST)薄膜作为优良的介电、铁电材料在新一代的微机械系统(MEMS)、动态存储器(DRAM)及其他器件上的广泛应用,使得BST薄膜的刻蚀特性越来越重要。该文利用反应离子刻蚀装置,研究了溶胶-凝胶工艺制备的钛酸锶钡薄膜在CHF3/Ar等离子气体中的刻蚀情况。通过分析刻蚀速率及薄膜刻蚀前后表面形貌的变化,结果表明,刻蚀过程是离子轰击、离子辅助化学反应和化学反应刻蚀共同作用的结果。刻蚀速率为5.1 nm/min。Sr元素较难去除,成为阻碍刻蚀的重要因素。 相似文献
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研究了锆钛酸铅(PZT)薄膜的深槽反应离子刻蚀(DRIE)技术。首先,对比了3种工艺气氛条件下(SF6/Ar、CF4/Ar和CHF3/Ar)刻蚀PZT的效果。实验结果表明,3种工艺气氛下,刻蚀速率都随功率的增加而增加。相同功率下,SF6/Ar的刻蚀速率最高;而CHF3/Ar刻蚀PZT的图形形貌最好,对光刻胶的选择比也最好。最后得出了优化的工艺条件为采用CHF3/Ar,射频(RF)功率为160 W,气体流量比为3∶4(CHF3∶Ar=30 cm3/min:40 cm3/min)时,PZT薄膜的刻蚀速率为9 nm/min,光刻胶的选择比为7。 相似文献
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微电子机械系统中关键工艺之一就是刻蚀出高深宽比的图形。本文对掺磷多晶硅反应离子刻蚀(RIE)进行了研究,采用两步刻蚀工艺,SF6,CF4,Cl2CF三种气体组合,从原来45度的各向同性刻蚀提高到73度以上的各向异性蚀。射频功率390瓦时,刻蚀速率每分钟200nm。对3.5微米厚的多晶硅,刻蚀时间在20分钟左右,基本上达到要求。 相似文献
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许兆鹏 《固体电子学研究与进展》1995,15(4):403-407
在前研究InP的CH4/H2反应离子腐蚀的基础上,进行了GaAs的CH4/H2反应离子腐蚀研究。GaAs的腐蚀速率比InP慢,随CH4/H2组份之比值、工作压强、总流量率等而改变,从2nm/min到8nm/min。当总流量率为30~123sccm之间、CH4/H2=0.18,腐蚀后的表面总是光亮平滑的,损伤层的厚度≥30nm。当用CH4/H2RIE在CaAs上制作深度>0.6μm的结构时,必须要考虑高能离子的轰击给晶体造成的损伤和给光刻胶掩模造成的浸蚀,此时光刻胶作掩模已经不能满足要求,应改用介质薄膜。 相似文献
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CL2+SF6混合气体对Si和SiNx的离子刻蚀研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用统计实验方法研究了利用SF6 Cl2混合气体产生的等离子体进行Si和SiNx的反应离子刻蚀技术。在相同的输出功率和压力的条件下,将Si和SiNx的刻蚀速率和选择比表示为SF6百分比含量的函数。文中讨论了SF6含量的变化对刻蚀速率、选择比和坡度角的影响及刻蚀机理,证实了即使是SF6含量的少量改变也会对Si和SiNx的刻蚀速率、选择比和坡度角有重要的影响。并通过光谱分析来深层次地讨论刻蚀速率受SF6含量影响的原因。 相似文献