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霍长征 《长春理工大学学报(自然科学版)》1982,(3)
本文对用钇铝石榴石(NA~(3+),YAG)和铝酸钇(YAP)为工作物质的固体脉冲激光器在高、低重复频率(100次/秒~1次/秒)工作时,做了对比实验,并对其有关输出激光参数进行测试和分析。从对比实验结果看出,YAG激光器(以YAG为工作物质)在1次/秒、20次/秒、40次/秒、100次/秒重复频率工作时,输出激光参数变化不大;而在同样条件下,YAP激光器(以YAP为工作物质)只在40次/秒以下重复频率工作时才正常,而在100次/秒重复频率工作时,几乎无激光输出。 相似文献
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TGG晶体是一种具有高菲尔德常数、低吸收系数、高热导率和高激光损伤阈值的磁光晶体。利用固相法和液相法合成多晶原料,采用中频感应加热提拉法,提拉生长TGG磁光晶体。通过对熔体组分、拉速、转速、热效应分析,得出了生长无缺陷晶体的最佳工艺参数。以液相法合成多晶原料,温度梯度为0.02~0.04℃/mm,拉速为1.0~1.2mm/h,转速为10~15r/min生长出无杂质、无开裂的优质TGG磁光晶体。 相似文献
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对Yb:YAG晶体生长及性能进行了系统的研究。提出了低真空充保护气氛的新工艺,采用中频感应加热提拉法,生长了Φ27mm×100mmYb:YAG激光晶体。采用吸收光谱和荧光光谱等测试技术,对Yb:YAG晶体的光谱特性、光学性能及激光特性进行了研究。 相似文献
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为了提高砷化镓缺陷检测的可靠性,对熔融KOH腐蚀性,AB腐蚀法和超声AB腐蚀法三种腐蚀方法进行了可靠性对比实验研究。发现超声AB腐蚀法操作简便,适用范围广,显示缺陷的可靠性和充分性奶高,同时具有分辨能力强,获得缺陷信息量多等特点,是一种值得推广的GaAs晶体缺陷检测方法。作者提出了超声AB腐蚀检测GaAs晶体缺陷的检测工艺条件。并提供了部分有代表性的照片,可作有关部门在今后修订国家标准时参考。 相似文献
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利用传输矩阵法研究了Bragg镜的准周期性对光子晶体缺陷模的影响.研究表明,无论是高折射率介质层还是低折射率介质层,当其折射率或厚度按一定的递变规律递增时,缺陷模都将向低频方向移动,递减时则向高频方向移动.但对缺陷模品质因子的影响却不同,高折射率介质层的折射率递增时品质因子提高,递减时品质因子减小;但低折射率介质层的折射率递变时品质因子的变化规律刚好相反;而介质层厚度的递变几乎不影响品质因子.此外还研究了准周期性对缺陷层内电场增强效应的影响. 相似文献
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利用传输矩阵法研究了Bragg镜的准周期性对光子晶体缺陷模的影响。研究表明,无论是高折射率介质层还是低折射率介质层,当其折射率或厚度按一定的递变规律递增时,缺陷模都将向低频方向移动,递减时则向高频方向移动。但对缺陷模品质因子的影响却不同,高折射率介质层的折射率递增时品质因子提高,递减时品质因子减小;但低折射率介质层的折射率递变时品质因子的变化规律刚好相反;而介质层厚度的递变几乎不影响品质因子。此外还研究了准周期性对缺陷层内电场增强效应的影响。 相似文献
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研究了左旋樟脑磺酸钇和右旋樟脑磺酸钇的制备。实验以合成樟脑粉为原料,经过磺化反应、拆分、纯化分离等步骤得到手性樟脑磺酸,稀土金属氧化钇与手性樟脑磺酸反应合成了稀土金属樟脑磺酸钇,合成条件:樟脑磺酸质量浓度12%~15%,反应温度90℃,反应时间0.5~1 h,氧化钇过量50%。得到的产品稀土金属樟脑磺酸钇经红外光谱(IR)、XRD分析,证明与目标产物一致。 更多还原 相似文献
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提出了一种新的二维光子晶体的缺陷结构。该结构在光子晶体中构成光波导,能使光子禁带中不同的被选择的缺陷态频率的光子以极低的损耗通过。采用带有吸收边界条件的时域有限差分方法模拟了光波在该种结构中的传播。以该结构为基础,可以在微米尺度的光子晶体中制作波分复用器等光学元件,而且其各信道具有相近的高传输系数。 相似文献
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铝酸根阴离子选择性电极的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以三辛基十二烷基磺化铵为活性物质,分别以聚氯乙烯(PVC)和壳聚糖(CS)为聚合物支持体,制备了两种铝酸根阴离子选择性膜电极,并研究了它们的基本性能。结果表明,两种膜电极均对铝酸根离子有较好的响应,而CS膜电极的耐碱性和耐热性优于PVC膜电极。 相似文献
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用(3-氧代丁酸乙酯根-O1′,O3)二(丙醇-2-根)合铝铝酸酯偶联剂(ACA)对氢氧化镁进行湿法表面改性.通过红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、热重分析(TG)、扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、水接触角等对其改性表现进行研究,表明铝酸酯偶联剂只是作用于氢氧化镁表面,并未改变其晶体结构,氢氧化镁表面... 相似文献
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由于氢与晶体缺陷的交互作用机理尚有待进一步研究,采用拉伸实验和氢渗透实验结合的方法研究了晶体缺陷对预充氢 X80管线钢氢脆行为的影响。研究发现:低温回火可以使预充氢 X80 管线钢的氢陷阱浓度和氢脆敏感性均大幅降低,而预应变不仅可以使其氢陷阱浓度大幅升高,而且可以增加其氢脆敏感性。氢渗透实验表明预变形产生的氢陷阱主要为位错。可移动位错与氢发生交互作用是氢脆发生的前提条件,而在低温退火中,碳原子的钉扎作用将可移动位错转变为不可移动位错,因此在二次拉伸时造成新位错无法与氢发生交互作用,从而使氢脆敏感性大幅降低。X80管线钢的氢脆行为受氢促进局域化塑性变形和氢致弱键两种机制共同影响。 相似文献
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报告了用乌氏网转盘精确标定 Ni_3Al 多晶体中形曼缺陷空间取向的简便方法。结果表明:对于面心立方结构的晶体,利用电子束方向为<112>的近似双光束衍射,只需两套照片即可精确标定形变缺陷的空间取向。 相似文献
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分别以两种季铵盐为活性物质,以聚乙烯醇(PVA)和壳聚糖(CS)的共混物为支撑体制成了铝酸根离子选择性膜电极,测定了不同浓度的铝酸钠溶液(0.1mol/LNaOH)的膜电位及响应时间,实验结果表明:这两种活性物质对铝酸根离子的响应不太理想,而且纯PVA-CS膜与加了活性物质的PVA-CS膜对铝酸根离子的响应非常接近,这说明以PVA-CS膜为膜支撑体不理想,还需要另外寻找惰性膜支撑体和合适的活性物质,以使制成的膜电极有应用价值。 相似文献
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研究了草酸沉淀钇时草酸用量,酸度和稀土浓度对沉淀率的影响。溶液的pH=2时,草酸过量20-40%沉淀钇较好。 相似文献
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运用基于平面波的超元胞方法,研究作为缺陷引入第三组元材料(四氯化碳)对二维二组元声子晶体(水/水银)带结构的影响。结果表明:当缺陷柱填充率发生变化时,原带隙的位置、宽度变化不大;缺陷带频率主要受第三组元材料物性参数的影响;当正常插入体填充率发生变化时,原带隙的位置、宽度都发生了改变,同时也影响缺陷带的出现,且这些缺陷态都是局域化的。因此,在具有宽带隙的二组元体系中引入适当的第三组元线缺陷,让缺陷带频率落在二组元体系的带隙中,就可以形成特殊的波导态。声子晶体的这一特性对于声波/弹性波的传播和新的声学应用具有重要意义。 相似文献
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本文以路易斯酸性离子液体[Emim]Br-AICl3为催化剂,以苯和苯甲酰氯为原料催化合成二苯甲酮.考察了离子液体的催化活性,较系统地研究了催化剂路易斯酸性、反应时间、反应温度和反应物摩尔比等条件对收率的影响.在n(AlCl3)/n([Emim]Br-AlCl3)=0.80,n(苯):n(苯甲酰氯)=3:1、反应温度80℃、反应时间80min工艺条件下,二苯甲酮的收率达76.4%. 相似文献
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汇总了Eu^2+激活的铝酸锶长余辉材料的研究进展,讨论了各种制备工艺对材料的发光亮度和余辉;时间等磷光行为的影响。 相似文献