挤压铸造短纤维增强金属基复合材料浸渗过程分析

在分析挤压铸造金属基复合材料浸渗条件的基础上，建立了液态金属在短纤维预制件中的浸渗和压力分布模型，计算结果表明：（１）当外加压力不足以使短纤维预制件产生变形之前，其浸渗距离和浸渍前端的压力分别为：Ｘｆ＝１－Ｆ／１－Ｖ＇ｆ∫＾ｔ０ｕｄｔ和Ｐｓ＝μｕ／Ｋ＇０·１－Ｆ／１－Ｖ＇ｆ∫＾ｔ０ｕｄｔ－４Ｖｆ０γｃｏｓθ／ｄｆ（１－Ｖｆ１０）（２）当外加压力使短纤维预制件产生变形之后，其浸渗距离和浸渗前端的压力     

Al_xGa_（1－x）As外延层中Si平面掺杂的SIMS研究

利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）系统地研究了生长温度，Ａｌ组份ｘ值和Ａｓ＿４压强对Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ的ＳＩＭＳ深度剖面，Ｓｉ原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现，在外延生长Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ时，随着生长温度的提高或Ａｌ组份Ｘ值增加，Ｓｉ掺杂分布ＳＩＭＳ峰都非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Ｓｉ原子的扩散，因此ＳＩＭＳ剖面的展宽与扩散无关。另外，我们还发现Ａｓ＿４压强高于１．５×１０￣（－５）ｍｂａｒ时，Ａｓ＿４压强对δ掺杂空间分布影响不大，而Ａｓ＿４压强低于此压强时，Ｓｉ掺杂分布峰宽度增加很快，这主要由杂质扩散作用引起。生长温度对掺杂分布峰影响最大，其次是Ａｌ组份影响，而较小Ａｓ＿４压强的影响不可忽视。这些研究结果对外延生长Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ材料是有价值的。     

关于孤立局部最优解的一阶充分条件

证明了定理：设ＳＲｎ，ｘ０∈Ｓ，若对任意ｄ∈Ｔｓ（ｘ０），ｄ≠０，有ｆ（ｘ０）Ｔｄ＞０，且任意ｘ∈Ｓ，ｘ→ｘ０，有ｄｉｓｔ（ｘ０－ｘ，Ｔｓ（ｘ））＝ｏ（ｘ０－ｘ），则ｘ０为问题ｍｉｎｆ（ｘ），ｓ．ｔ．ｘ∈Ｓ的孤立局部最优解，它在本质上弱于文献［１］中的条件。     

一类连续分布时滞模型的稳定性

本文应用 Ｌｙａｐｕｎｏｖ 泛函方法研究了一类具有连续分布的时滞模型　　 ｘ′ｉ（ｔ） ＝ － ｂｉｘｉ（ｔ） ＋ ∑ｎｊ＝ １ ωｉｊｆｊ ∫∞０ ｋｊ（ｓ）ｘｊ（ｔ－ ｓ）ｄｓ ＋ ｐｉ,　　（ｉ＝ １,２,…,ｎ）平衡点的全局渐近稳定性,获得了若干新的充分条件     

Al-12.6%Si薄带双辊快速凝固成形试验研究

运用双辊快速凝固方法将液态Ａｌ－１２．６％Ｓｉ合金直接制备成厚度为０．１￣０．５ｍｍ的薄带。介绍了这一方法的基本原理、特点和试验设备设计中的关键问题。辊面可控线速度Ｖｒ为２￣８．５ｍ／ｓ,薄带厚度正比于Ｖｒ＾－１／２。薄带组织为细小的初晶α－Ａｌ和极细小的（α－Ａｌ＋Ｓｉ）共晶体,塑性和抗拉强度得到明显改善．     

RF等离子体CVD合成氮化碳薄膜的XPS研究

采用射频等离子体化学气相沉积技术合成氮化碳薄膜，测量其Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），获得两组Ｃ（１ｓ）电子和Ｎ（ｌｓ）电子结合能，它们是Ｅ（Ｃ＾１）＝３９８．０￣３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｃ＾２）＝２８４．６￣２８４．８ｅＶ；Ｅ（Ｎ＾１）＝３９８。０￣３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｎ＾２）＝４００．０￣４００．９ｅＶ。证实了薄膜中碳原子存在ｓｐ＾３杂化轨道成键和ｓｐ＾２杂化轨道成键两种键合形式。该方法合成的氮化碳薄     

X射线影像存储材料BaF_xCl_（2－x）Eu~（2＋）的制备及其热释发光和

本文采用了不同温度下两次烧结的新方法，制备了系列Ｘ射线影象存储材料ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）（ｘ＝０．９０，０．９５，１．００，１．０５，１．１０１．１５）。通过改变Ｆ／Ｃｌ比值，研究了在Ｘ射线辐照后ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）的热释发光性质，给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系。最后，我们研究了ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）的光激励发光性质，给出了Ｆ／Ｃｌ比值与光激励发光强度的关系。     

C_（sf）／LAS复合材料的制备与力学性能EI

研究了短切碳纤维增强Ｌｉ_２Ｏ－Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２玻璃－陶瓷基（以下简称Ｃｓｆ／ＬＡＳ）复合材料的制备工艺及其力学性能。     

共聚物电解质MA—Na2／AA—Na水溶液的粘度特性

对共聚物电解质ＭＡ－Ｎａ２（顺丁烯二酸钠）／ＡＡ－Ｎａ（丙烯酸钠）水溶液ηｓｐ／Ｃ（比浓粘度）与浓度的关系、中性盐及溶液ｐＨ对ηｓｐ／Ｃ的影响进行了研究。结果表明，稀释ＭＡ－Ｎａ２／ＡＡ－Ｎａ溶液时，ηｓｐ／Ｃ急剧上升，而稀释含中性盐（ＫＣｌ或ＣａＣｌ２）的ＭＡ－Ｎａ２／ＡＡ－Ｎａ溶液体系时（中性盐含量保持０．０１ｍｏｌ／Ｌ），ηｓｐ／Ｃ的变化却不大。添加极少量（〈０．０５％）中性盐，可使ＭＡ－Ｎ     

具有连续分布时滞模型的稳定性分析

Ｌｙａｐｕｎｏｖ泛函方法讨论了具有连续分布时滞神经网络模型ｘｉ（ｔ）＝ｂｉｘｉ（ｔ）＋（ｎ）∑（ｊ＝１）ａｉｊｆｊ（μｊ∫－∞ｋｉｊ（ｔ－ｘ）ｘｊ（ｓ）ｄｓ）＋Ｆｉ（ｔ），ｉ＝１，２，…，ｎ平衡点的稳定性，获得了一些新的充分条件。     

（CF_3SO_3）_3Al引发的1，3－戊二烯－苯乙烯阳离子共聚合

以三氟甲基磺酸铝（ＣＦ_３ＳＯ_３）_３Ａｌ为引发剂，正己烷为溶剂，通过阳离子聚合，合成了１，３－戊二烯－苯乙烯共聚物。用ＩＲ、￣１ＨＮＭＲ对共聚物结构进行了分析，并用ＳＥＣ（ＧＰＣ）对共聚物分子量进行了表征，对共聚物的环化度也进行了研究，用Ｋｅｌｅｎ－Ｔｕｄｏｓ方法测定的共聚合反应体系苯乙烯（Ｍ_１）和１，３－戊二烯（Ｍ_２）的竞聚率分别为γ_１＝２．１，γ_２＝０．６。     

一类Lazer—Mckenna吊桥型方程周期解的存在性

本文研究如下吊桥型方程的周期解问题ｕｔｔ＋ｕｘｘｘｘ＋εｕｉ＝ｆ（ｕ）＋ｈ（ｘ，ｌ）；ｕ（０，ｔ）＝ｕ（π，ｌ）＝ｕｘｘ（０，ｌ）＝ｕｘｘ（π，ｌ）＝０；ｕ（ｘ，ｌ＋２π）＝ｕ（ｘ，ｌ）。这个方程可以看成来自于Ａ．Ｃ．Ｌａｚｅｒ和Ｐ．Ｊ．Ｍｃｋｅｎｎａ在文［１］中提出的简单吊桥非线性振动模型ｕｔｔ＋ｕｘｘｘｘ＋δｕｉ＝－ｋｕ＾＋＋ｗ０＋εｈ（ｘ，ｌ）；ｕ（０，ｌ）＝ｕ（Ｌ，ｌ）＝ｕｘｘ（０，ｌ）＝     

δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性

本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。     

SiCp／202Al复合材料的超塑性能及断口形貌

熔铸法（ＩＭ）制备的ＳｉＣ颗粒（１４μｍ）增强２０２４Ａｌ复合材料经轧制成材后，在４９０、５１０、５２０和５３０℃，初始应变速率在１．６７￣１０＾－４￣１．６７×１０＾－３ｓ＾－１的范围内进行了超塑拉伸试验。结果表明，在５２０℃、初始变速速率为８．３３×１０＾－４ｓ＾－１，超塑延伸率最大，为２９０％，ｍ值约为０．４９。同时，利用扫描电镜观察断口形貌，分析了变形机理。     

等温退火Fe_（73．5）Cu_（1．0）Mo_（3．0）Si_（13．5）B_（9．0）纳米软磁合金的磁性及其影响因素

研究了５２０℃下等温退火Ｆｅ_（７３．５）Ｃｕ_（１．０）Ｍｏ_（３．０）Ｓｉ_（１３．５）Ｂ_（９．０）纳米软磁合金的磁性，发现当退火时间ｔａ为４０ｍｉｎ时，合金的起始磁导率μｉ最高，约为５×１０~４，探讨了磁性的影响因素。     

Na_2Mo_（0．1）S_（0．9）O_4（α）－Pr_2（SO_4）_3二元

应用差热分析、Ｘ射线粉末衍射及电测量技术对Ｎａ２Ｍｏ（０．１）Ｓ（０．９）Ｏ４（α）－Ｐｒ２（ＳＯ４）３体系进行了研究，结果表明，在Ｎａ２Ｍｏ（０．１）Ｓ（０．９）Ｏ４相中加入少量的Ｐｒ２（ＳＯ４）３就可以形成完全固熔体，且无任何相变存在，当Ｐｒ２（ＳＯ４）３含量达到４ｍｏｌ％时，电导率较纯Ｎａ２Ｍｏ（０．１）Ｓ（０．９）Ｏ４提高两个数量级（５５３Ｋ时，σ＝１．０９×１０（－３）Ｓｃｍ（－１）），同时还证明了该类导体的导电机理，揭示了电导率与有效空位浓度、掺杂剂浓度及温度之间的依赖关系。     

具有正负系数中立型时滞微分方程的振动性

考虑中立型时滞微分方程：［ｘ（ｔ）－Ｒ（ｔ）ｘ（ｔ－ｒ）］′＋Ｐ（ｔ）ｘ（ｔ－τ）－Ｑ（ｔ）ｘ（ｔ－σ）＝０其中Ｐ，Ｑ∈Ｃ（［ｔ０，∞），Ｒ＋］），Ｒ∈Ｃ（［ｔ０，∞），Ｒ）．ｒ，τ，σ∈Ｒ＋，文章中获得了上方程所有解振动的新判据，同时讨论了正解的存在性及非振动解的渐近性。     

NH2（CH2）2NH（CH2）3Si（OEt）3／SiO2ER流体的流变特性

研究用二氧化硅负载ｎ－β（氨乙基）－γ（氨丙基）三乙氧基硅烷［ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３］作为分散颗粒制备的电流变（ＥＲ）流体的流变行为。结果发现，流体具有宾汉流体的特点。以硅油为分散介质，含２０％（Ｗ／Ｖ）分散颗粒的流体，不添加任何活化剂，在剪切速率（ｒ）为８．０６６ｓ－１时，电场强度（Ｅ）从０升至１．５０ｋＶ／ｍｍ，表观粘度（ηａ）从０．３５Ｐａ·ｓ增大到２６．５Ｐａ·ｓ。ｒ提高，ηａ降低。改变电场强度、分散颗核含量、分散介质种类和添加极性分子，可以改变流体的剪切应力和表观粘度，但不能改变流型。     

具有半伪移位不变集的映射

证明了两个定理：定理１设（Ｘ，ｄ）为紧致度量空间，ｆ∈Ｃ（Ｘ，Ｘ），若存在某个ｎ〉０，使得ｆ＾ｎ有半伪移位不变集，附ｆ是Ｌｉ－Ｙｏｒｋｅ意义下混沌的，且存在混沌集Ｃ∈Ｒ（ｆ）－Ａｐ（ｆ）。定理２若Ｘ＝Ｉ或Ｓ１，ｆ∈＾１０（Ｘ，Ｘ），春拓扑熵大于零的充分必要条件为，ｆ为Ｌｉ－Ｙｏｒｋｅ下混沌的，且存在混 Ｃ∈Ｒ（ｆ）－Ａｐ（ｆ）。     

单柱离子色谱法分离测定复合镀铬液中的F^—和SO4^2—

采用单柱离子色谱系统，在样品中存在大量铬酸根的情况下，以３．０ｍｍｏｌ／Ｌ邻苯二甲酸氢钾作为淋洗液，简单快速地分离测定了镀铬液中的Ｆ＾－和ＳＯ４＾２－，并在此条件下作出了Ｋ２ＳｉＦ６的离解曲线。Ｆ＾－，ＳＯ４＾２－的线性范围分别为１．０￣１５０．０ｍｇ／Ｌ，１．４￣１５０．０ｍｇ／Ｌ，最低检出浓度分别为０．０２ｍｇ／Ｌ，０．０７ｍｇ／Ｌ（信噪比为２）。