关于L~1（0，m）空间中的非线性泛函微分种群增长方程的解

本文在Ｌ~１（０，ｍ）空间建立了较目前所研究的种群增长方程广泛的非线性泛函微分种群增长方程，通过证明该非线性发展算子是ω型ｍ－增生的和利用新近文［３，４］中的结果得到了该方程解的存在唯一性条件，这里的结论推广了目前关于种群增长方程的一些已知结果，例如［５，１０］等。     

合金Gd6Mn23-xNix（x=0．0，0．4，0．8，1．0，1．2，1．4）的磁性能研究

本文利用X射线衍射对Gd6Mn23-xNix（x=0．0，0．4，0．8，1．0，1．2，1．4）合金进行了研究，该合金属于立方晶系，为面心立方，具有Th6Mn23结构。随着Ni含量的增加谱线发生偏移，其点阵参数逐渐减少。用振动样品磁强计测定了合金的磁滞回线和磁化强度，剩余磁化强度和矫顽力。实验表明，剩余磁化强度，矫顽力Ho及磁损耗都非常低，较好地达到了软磁材料的性能要求。还研究了饱和磁化强度及磁化率随点阵参数及Ni含量的变化规律。     

铁电（Pb_（0．925）La_（0．075））（Zr_（0．65）Ti_（0

本文对射频磁控溅射制备的（Ｐｂ＿（０．９２５）Ｌａ＿（０．０７５）－（Ｚｒ＿（０．６５）Ｔｉ＿（０．３５））＿（０．９８１）Ｏ＿３薄膜作了ＸＰＳ全扫描和窄扫描能谱分析。结果表明，薄膜的表面缺Ｐｂ是形成ＴＺＯ相的主要原因；随着退火温度的升高，薄膜中钙钛矿相的形成导致各元素的结合能发生位移。     

反应溅射（Al，Ti）（0，N）涂层的微结构与力学性能

采用Al—Ti镶嵌复合靶在Ar、N2和O2混合气体中反应溅射制备了一系列（Al，Ti）（O，N）涂层。并采用EDS、XRD、TEM和微力学探针研究了薄膜的化学成分、微结构和力学性能。结果表明，随氧分压的提高，涂层中氧含量逐步增加，氮含量相应减少，（Al＋Ti）：（O＋N）的化学计量比仍约为1：1，涂层保持与（Al，Ti）N涂层相同的NaCl结构。低氧含量时薄膜在（111）方向上择优生长，随着氧含量的提高，涂层生长的择优取向发生改变，高氧含量薄膜样品呈现强烈（200）织构的柱状晶。与此同时，（Al，Ti）（O，N）涂层的硬度和弹性模量也仍保持在与（Al，Ti）N涂层相当的35GPa和370～420GPa的高值。由于涂层中形成了相当含量的氧化物，这类涂层的抗氧化能力有望得到提高。     

Fe_（76．5－x）Cu_（1．0）Nb_xSi_（13．5）B_（9．0）

研究了Ｎｂ含量ｘ对Ｆｅ＿（７６．５－ｘ）Ｃｕ＿（１．０）Ｎｂ＿ｘＳｉ＿（１３．５）Ｂ＿（９．０）纳米软磁合金的结构与磁性影响。研究结果表明，当Ｎ６含量ｘ约为３ａｔ％时，合金的软用性能最高；随Ｎｂ含量ｘ的增加，最佳软磁性能下合金显微组织结构中的αＦｅ－Ｓｉ纳米晶晶粒尺寸Ｄ、Ｓｉ含量、体积分数Ｖ＿ｃ均呈下降趋势，非晶相的短程有序范围δ增大；合金的磁性除与αＦｅ－Ｓｉ纳米晶有关外，还与合金中非晶相密切相关。用新近提出的双相无规磁各向异性模型讨论了合金的磁性与结构的关系。     

低磁场条件下Gd5（Si1-xGex）4（x=0，0.2，0.3）合金磁热效应研究

用高频真空悬浮炉在氩气保护下制备了Gd5（Si1-xGex）4（x=0，0.2，0.3）系列样品，用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场H=1.3T）条件下样品的磁热效应曲线（△Tad-T）．结果表明，用元素Ge分别替代Gd5Si4合金中的Si原子，不能增强合金的磁热效应，但可在333～300K范围改变材料的居里温度，且磁热效应峰值范围变宽．     

MSnO_3和MSn_（0．5）Zr_（0．5）O_3（M＝Sr，Ba）的水热合

本文利用水热合成方法对ＭＳｎＯ３和ＭＳｎ（０．５）Ｚｒ（０．５）Ｏ３（Ｍ＝Ｓｒ，Ｂａ）的合成进行了研究，并采用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＩＣＰ等方法对产物进行了表征，结果表明：在Ｍ（ＯＨ）２－ＳｎＯ２（或ＳｎＯ２＋ＺｒＯ２）－ＫＯＨ体系中，当ＫＯＨ／Ｓｎ和ＫＯＨ／（Ｓｎ＋Ｚｒ）≥３０时，２６０℃下晶化５～７天，可获得ＭＳｎＯ３和ＭＳｎ（０．５）Ｚｒ（０．５）Ｏ３纯相，在Ｍ（ＯＨ）２－（ＳｎＯ２＋ＺｒＯ２）－ＫＯＨ－Ｈ２Ｏ体系中，可通过控制介质碱度来获得ＭＳｎＯ３＋ＭＺｒＯ３混合物和ＭＳｎ（０．５）Ｚｒ（０．５）Ｏ３，并根据合成规律初步探讨了反应过程．     

等温退火Fe_（73．5）Cu_（1．0）Mo_（3．0）Si_（13．5）B_（9．0）纳米软磁合金的磁性及其影响因素

研究了５２０℃下等温退火Ｆｅ_（７３．５）Ｃｕ_（１．０）Ｍｏ_（３．０）Ｓｉ_（１３．５）Ｂ_（９．０）纳米软磁合金的磁性，发现当退火时间ｔａ为４０ｍｉｎ时，合金的起始磁导率μｉ最高，约为５×１０~４，探讨了磁性的影响因素。     

Na_2Mo_（0．1）S_（0．9）O_4（α）－Pr_2（SO_4）_3二元

应用差热分析、Ｘ射线粉末衍射及电测量技术对Ｎａ２Ｍｏ（０．１）Ｓ（０．９）Ｏ４（α）－Ｐｒ２（ＳＯ４）３体系进行了研究，结果表明，在Ｎａ２Ｍｏ（０．１）Ｓ（０．９）Ｏ４相中加入少量的Ｐｒ２（ＳＯ４）３就可以形成完全固熔体，且无任何相变存在，当Ｐｒ２（ＳＯ４）３含量达到４ｍｏｌ％时，电导率较纯Ｎａ２Ｍｏ（０．１）Ｓ（０．９）Ｏ４提高两个数量级（５５３Ｋ时，σ＝１．０９×１０（－３）Ｓｃｍ（－１）），同时还证明了该类导体的导电机理，揭示了电导率与有效空位浓度、掺杂剂浓度及温度之间的依赖关系。     

B含量对非晶态Ni_（72－x）Si_（15）B_（13＋x）（X＝0，2，4，6，8）合金脆化温度的影响

通过试验研究了非晶态Ｎｉ７２－ｘＳｉ１５Ｂ１３＋ｘ（Ｘ＝０，２，４，６，８）合金脆化温度与Ｂ原子浓度的关系。根据双层结构单元模型和结构缺陷形成机制，分析了该合金的晶化过程，并对其试验结果进行了初步的解释。     

脉冲激光沉积（La（0．2）Bi（0．8）FeO3）（0．8）-（NiFe2O4）（0．2）薄膜及其多铁性能研究

采用脉冲激光沉积法,在(100)SrTiO3基底上,制备了(La0.2Bi0.8FeO3)0.8-(NiFe2O4)0.2(LBFO-NFO)多铁薄膜,通过X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜确定了LBFO-NFO多铁薄膜的显微结构,通过标准铁电测试系统(RT-66A)和振动样品磁强计(VSM)分别测试了LBFO-NFO多铁薄膜的铁电性能和铁磁性能.研究发现:多铁薄膜中LBFO和NFO二相均沿(100)方向外延生长,晶粒尺寸在100-150nm之间;薄膜具有明显的电滞回线(Ps=7.6μC/cm2)和磁滞回线(Ms=4.12×104A/m),显示出明显的铁电铁磁共存特性.通过对薄膜生长条件的控制,可削除杂质相,减小LBFO-NFO薄膜的漏电流,提高铁电及铁磁性能.     

基于灰色理论GM（1，N,x（0））模型的工程造价和主要工程量的快速估算

本文在灰色系统理论的基础上,建立GM（1,N,x（0））模型,依据经验数据,对建筑工程的主要工程造价指标及工程量指标进行估算,以达到工程前期对工程成本及相关主材用量的快速估算,为后期管理提供一定的依据。     

基于ARMA（1，1）过程的需求预测方法

采用移动平均法预测前置期L内的需求,推导了基于ARMA(1,1)需求过程下,零售商牛鞭效应的计算方程和大小,并讨论了方程参数对牛鞭效应的影响.通过系统动力学仿真法,在频域内研究了3种方法的系统响应曲线,得出采用移动平均法预测前置期内需求,能够很好减少牛鞭效应.     

熔盐法合成BaFe_（11）Co_（0．5）Ti_（0．5）O_（19）磁性粉体

采用熔盐法制备了六角晶系结构钡铁氧体ＢａＦｅ（１１）Ｃｏ（０．５）Ｔｉ（０．５）Ｏ（１９）。Ｘ射线衍射和热分析测量表明，合成反应过程在８５０℃下完成。粉料的磁性能测量和粉料的粒度及颗粒形态表明，熔盐法合成的粉料适合作为高性能磁记录材料。     

C（0．）（Li1/2Sm1/2）0．7TiO3微波介质陶瓷的低温烧结研究

采用传统陶瓷制备工艺,制备了掺杂Na2O-CaO-B2O3（NCB）氧化物的C（0．）（Li1/2Sm1/2）0．7TiO3（CLST）陶瓷,研究了NCB掺杂量与晶相组成、显微结构、烧结性能及微波介电性能的关系.研究结果表明：复合氧化物NCB掺杂量在1wt%～15wt%范围内没有杂相生成,晶相仍呈斜方钙钛矿结构.随着NCB添加量的增加,陶瓷致密化温度和饱和体积密度降低,介电常数ε~r、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值也呈下降趋势,频率温度系数Tf向正方向增大.NCB氧化物掺杂能有效地将CLST陶瓷的烧结温度由1300℃降低至900℃.添加12.5wt%NCB的CLST陶瓷在低温900℃烧结5h仍具有良好的微波介电性能：εr=73.7,Qf=1583GHz,Tf=140.1×10^-6/℃,满足高介多层微波器件的设计要求.     

0ne-Dimensional （l-D） Nanoscale Heterostructures

One-dimensional （l-D） nanostructures have been attracted much attention as a result of their exceptional properties, which are different from bulk materials. Among 1-D nanostructures, 1-D heterostructures with modulated compositions and interfaces have recently become of particular interest with respect to potential applications in nanoscale building blocks of future optoelectronic devices and systems. Many kinds of methods have been developed for the synthesis of 1-D nanoscale heterostructures. This article reviews the most recent development, with an emphasize on our own recent efforts, on 1-D nanoscale heterostructures, especially those synthesized from the vapor deposition methods, in which all the reactive precursors are mixed together in the reaction chamber. Three types of 1-D nanoscale heterostructures, defined from their morphologies characteristics, are discussed in detail, which include 1-D co-axial core-shell heterostructures, 1-D segmented heterostructures and hierarchical heterostructures. This article begins with a brief survey of various methods that have been developed for synthesizing 1-D nanoscale heterostructures and then mainly focuses on the synthesis, structures and properties of the above three types of nanoscale heterostructures. Finally, this review concludes with personal views towards the topic of 1-D nanoscale heterostructures.     

国际标准化组织（ISO）题录（上）

为便于读者收集、检索国际标准化组织(ISO)标准，本刊在2005年5、6期连载国际标准(ISO)题录，题录刊载了截止2005年3月中国标准化研究院标准馆收藏的全部现行标准。本刊同时发行：国际标准(ISO)题录(中文2005年电子版)单价200．00元，国际标准(ISO)题录(中文2005年合订本)单价200．00元。上述电子版用微软Excel软件格式排列，便于读者使用。请需要该题录或标准全文的读者按杂志地址(或电话)与杂志社联系。