0.35μm BiCMOS工艺的器件建模

针对0.35μmBiCMOS工艺的MOS及Bipolar晶体管器件,分析其结构特征及相应物理效应,选取相应的晶体管器件理论模型,确定了样管测试条件和方法,设计了测试结构及模型验证环振电路,完成用于试验流片及参数提取的测试版芯片的设计,最终利用测试芯片的测量数据提取模型参数,分别建立高精度的MOS及Bipolar器件SPICE模型.     

Pn结中的小电流过趋热效应及理论模拟计算

晶体管在耗散功率时,结温分布一般不均匀.在晶体管子管并联模型的基础上,经过实验和理论模拟计算及验证发现:结温分布不均匀时,高温区的电流密度大于低温区的电流密度;测试电流越小,高温区与低温区电流密度的比值越大,电流越集中在高温区,且集中区域的面积随着测试电流的减小而缩小,这种现象称为小电流过趋热效应.利用这一特性可以研究晶体管结温分布的不均匀性,计算结温分布的不均匀度,对半导体器件可靠性分析具有重要的意义.     

pn结中的小电流过趋热效应及理论模拟计算

晶体管在耗散功率时,结温分布一般不均匀.在晶体管子管并联模型的基础上,经过实验和理论模拟计算及验证发现:结温分布不均匀时,高温区的电流密度大于低温区的电流密度;测试电流越小,高温区与低温区电流密度的比值越大,电流越集中在高温区,且集中区域的面积随着测试电流的减小而缩小,这种现象称为小电流过趋热效应.利用这一特性可以研究晶体管结温分布的不均匀性,计算结温分布的不均匀度,对半导体器件可靠性分析具有重要的意义.     

氟离子敏感场效应晶体管的研究

本文叙述了氟离子敏感场效应晶体管的原理,测试及其结果。这种对氟离子敏感的器件是用溅射的方法,在场效应晶体管的栅极上淀积一层很薄的氟化镧膜制成的。测试结果表明,这种器件灵敏度高,响应快,线性好。本文还从实验出发,对影响器件的稳定性和重复性的原因做了推测。     

基于标准CMOS工艺的扇形磁敏晶体管及其模型

提出一种基于0.6μm n阱标准CMOS工艺的扇形分裂漏磁敏晶体管,给出了器件相对灵敏度的数学模型.模型重点在于研究扇形分裂漏磁敏晶体管几何参数对相对灵敏度的影响.通过计算机数值积分计算和实验测试结果修正完善了器件的数学模型.测试结果表明:研制的器件最大相对灵敏度为3.77%/T,扇形结构有利于提高分裂漏磁敏晶体管的相对灵敏度.     

0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟

采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作.对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试,测试结果表明射频nMOS管的特征频率fT达到了93GHz,fmax超过了90GHz.采用小信号等效电路模型对该nMOS管的交流特性进行了模拟.在100MHz到30GHz频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.     

WC94型C波段18W砷化稼内匹配场效应晶体管

ＷＣ９４型Ｃ波段１８Ｗ砷化稼内匹配场效应晶体管南京电子器件研究所于１９９４年底设计定型了ＷＣ９４型Ｃ波段砷化镓内匹配功率场效应晶体管。封面照片展示了该器件的微波测试系统和封装外形。该器件的输入和输出均已匹配到５０。器件的总栅宽为３８．４ｍｍ，由四枚管...     

微波晶体管测试夹具技术的研究

微波晶体管是无线通信、雷达等电子系统中的关键部分。由于其高频特性以及一般非50Ω特性阻抗,准确评估其性能有较大的难度。晶体管大都为不同形式的表面贴装或表面安装器件,而目前微波测试系统基本上都是同轴传输系统,因此,就需要通过测试夹具完成对测试器件固定、馈电以及信号同轴传输转微带传输的功能。微波器件测试是保证器件质量和发展的关键手段,夹具制作技术对测试结果影响巨大,对微波晶体管测试夹具制作进行了研究,并提出了解决方案。     

一种新栅结构垂直砷化镓场效应晶体管

本文提出一种呈现类五极管特性的新的垂直砷化镓场效应晶体管(V-GaAsFET),并用反应离子刻蚀(RIE)和MO-CVD技术相结合的方法制作出实验性的器件。这种器件独有的特征是一种埋入GaAs单晶里面的栅状介质/金属/介质栅的应用。对这种新器件的直流特性和标准穿透基区晶体管(PBT)的直流特性进行了对比。对于期望由这种结构所改善的器件特性进行了详细的讨论。     

0．13μm GGNMOS管的ESD特性研究

当ESD事件发生时,栅极接地NMOS晶体管是很容易被静电所击穿的。NMOS器件的ESD保护机理主要是利用该晶体管的骤回特性。文章对NMOS管的骤回特性进行了详细研究,利用特殊设计的GGNMOS管实现ESD保护器件。文章基于0．13μm硅化物CMOS工艺,设计并制作了各种具有不同版图参数和不同版图布局的栅极接地NMOS晶体管,通过TLP测试获得了实验结果,并对结果进行了。分析比较,详细讨论了栅极接地NMOS晶体管器件的版图参数和版图布局对其骤回特性的影响。通过这些试验结果,设计者可以预先估计GGNMOS在大ESD电流情况下的行为特性。     

GaN微波器件转移特性脉冲测试研究

对GaN微波器件的转移特性开展了脉冲测试研究.通过改变脉冲通道的数量、 静态工作点和脉冲宽度,获得了不同的脉冲测试条件下GaN晶体管的转移特性,并对不同测试条件下的测试结果进行了对比分析,获得了不同的脉冲测试条件对器件转移特性的影响.得到了GaN晶体管的转移特性对栅极脉冲比较敏感,漏极脉冲只是在栅极电压作用下起辅助作用,其对转移特性的影响程度主要依据栅极电压的影响而定的结论.     

美海军研究部门发明新型双异质结晶体管或大幅提升潜艇声纳探测性能

位于美国华盛顿的美国海军研究实验室日前声称,他们首次开发出一种基于InAlAsSb/InGaSb材料的新型双异质结晶体管,这种异质结晶体管的发射极和第二集电极则采用了InAsSb材料。实验数据显示,这种双异质结晶体管不但大幅提升了器件的直流和射频性能,还明显减低了功耗。     

崩越晶体管

本文提出了一种新工作原理的晶体管,我们称为雪崩注入渡越时间晶体管,简称崩越晶体管.其发射极是反向偏置的p-n结,依靠雪崩注入载流子,然后在收集极中渡越.分析表明这种新器件在微波频率下具有远高于双极型晶体管和场效应晶体管的功率潜力,并可得到较宽的带宽.因此,这种器件有可能获得广泛的应用.     

基于NI Multisim 10与LabVIEW的单结晶体管伏安特性测试

在传统的单结晶体管伏安特性测试实验中,通常需要直流电源与晶体管图示仪配合使用。晶体管图示仪没有相应的器件插孔,测试很不方便。另外,因晶体管图示仪的频率特性低,无法显示单结晶体管伏安特性的负阻区,给理解其特性曲线带来了困难。为了降低实验成本,简化实验操作过程,采用虚拟仪器技术设计单结晶体管伏安特性测试仪,可以完整地显示其特性曲线,且方便于读取峰点与谷点的电压与电流值。     

超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路

报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究 .这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进 ,主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的 L型侧墙形成技术方面 ,它有效地减小了器件的基区面积 .测试结果表明 ,晶体管有良好的交直流特性 .在发射区面积为 3μm× 8μm时 ,晶体管的截止频率为 6 .1GHz.19级环振平均门延迟小于 40 ps,硅微波静态二分频器的工作频率为 3.2 GHz     

具有非饱和三极管特性的新型场效应晶体管

目前,显示出电压增加而电流不饱和的真空三极管全新特性的场效应晶体管,由于其特性新颖和优越,不仅适用于高频领域,而且开始向功率机器和高频机器等领域发展。其特点大致归纳如下: (1)没有显示出以前的场效应晶体管那样的所谓饱和的五极管特性,而给出了非饱和的特性或三极管特性。因此,以前的场效应晶体管为恒流型器件,而这种新的场效应晶体管为恒压型器件。     

0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟

采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作. 对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试，测试结果表明射频nMOS管的特征频率f_T达到了93GHz, f_max超过了90GHz. 采用小信号等效电路模型对该nMOS管的交流特性进行了模拟. 在100MHz到30GHz频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.     

高温稳定的晶体管的研究

本文通过对正反向电流增益温度特性的研究,从补偿角度出发,研制成功了一种电流增益高温稳定的新结构晶体管,测试结果和理论分析相一致,从而解决了双极型晶体管中的一个重要而且比较困难的问题.并且通过对该管其它参数的测试,表明了该管适于实用.     

一种高速电流型CMOS数模转换器设计

利用 Z参数噪声网络等效电路的分析方法 ,得到了用器件 Z参数表示的微波双极晶体管噪声参数的表达式 ,通过对微波低噪声双极晶体管的高频参数进行测试和分析 ,并把器件的网络参数和物理参数相结合 ,来对器件的最小噪声系数进行计算和分析 .     

基于标准CMOS工艺的扇形磁敏晶体管及其模型

提出一种基于0.6μm n阱标准CMOS工艺的扇形分裂漏磁敏晶体管，给出了器件相对灵敏度的数学模型．模型重点在于研究扇形分裂漏磁敏晶体管几何参数对相对灵敏度的影响．通过计算机数值积分计算和实验测试结果修正完善了器件的数学模型．测试结果表明：研制的器件最大相对灵敏度为3.77%/T，扇形结构有利于提高分裂漏磁敏晶体管的相对灵敏度．