腔体等效温漂研究

从腔体尺寸角度出发,认为某一方向的尺寸随温度是线性变化的。推导出了腔体各个部件的温漂影响因子,该因子反映了在所有部件为同种材料制成的条件下,腔体的某个部件对整个腔体的温漂影响的大小。将部件温漂影响因子和部件的材料温度系数用确切的式子联系起来,推导出腔体温漂影响因子的概念。通过进一步推导,引出等效材料温度系数的概念,并通过大量的计算证明了其合理性。     

腔体滤波器温度补偿和温度试验

为了减小腔体滤波器随温度变化对性能的影响,利用CST仿真软件对腔体滤波器进行温度分析,并结合ADS软件对该滤波器进行模拟,得出60℃温差下的幅相变化数据和频漂数据。设计了一个采用双导体结构的滤波器,该滤波器盒体为铝合金材料,谐振杆和调谐螺钉为殷钢。通过分析温度试验中误差的影响因素,提出一种较小误差的温度试验方法,并对调试好的滤波器进行温度试验,试验结果显示该滤波器的频漂为5.6 ppm/℃,试验数据跟仿真结果吻合。     

基于改进BP网络的甲烷传感器温度影响试验研究

温漂会影响催化甲烷传感器检测精度,为减小这种影响,提高传感器检测精度,本文在不同温度环境下进行甲烷传感器环境影响实验,并利用一种基于主成分分析的BP神经网络温度补偿模型对实验数据进行处理,补偿温漂对检测精度的影响,结果表明:本文提出的模型能提高甲烷传感器的稳定性和准确性,减少温漂的影响.     

一种二次补偿的带隙电压基准

为了降低带隙基准电压源的温漂系数,设计了一种采用β倍增器电流源和IPTAT2电流源作为二次曲率补偿技术的超低温漂基准电压源。运用SMIC 0.18μm工艺,仿真结果表明,在-40～85℃,该基准电压源的温漂系数为0.336×10-6/℃,大大降低了温度对电压源的影响。     

pH-ISFET温度特性分析及其温度补偿方法的研究

本文分析了pH-ISFET测量系统的温度特性,推导了器件输出电压的温漂表达式,提出了“零温度系数工作点”的新概念和“零温度系数调整法”.研究表明,“零温度系数调整法”与“差分对管补偿法”均可使器件的温漂降低1—2个数量级.     

同轴腔体滤波器的温度补偿设计

同轴腔体滤波器温度补偿设计的主旨思想就是通过改变谐振杆.调谐螺钉以及腔体之间的开路电容来补偿谑振杆长度变化带来的影响.使谐振频率近似为常量.设计出一种带宽为2496MHz～2602MHz的椭圆型带通滤波器,经过测试.温度补偿令人满意.     

石英谐振加速度计低温漂结构设计及温度补偿

温度影响加速度计的性能,误差来源主要由石英材料及封装工艺产生的热应力引起。针对加速度计温度漂移现象,该文介绍了集成式石英谐振加速度计低温漂结构设计和补偿方法。首先通过对称的差分结构消除一阶温度系数,并进行工艺优化,降低封装工艺对谐振器产生的热应力;其次采用随机森林拟合算法建立温度模型来补偿加速度计的温漂。在-20～80℃温度范围内对加速度计样机进行温漂测试,结果表明,工艺优化及补偿后的样机偏置稳定性提高了一个数量级。     

超低温漂带隙基准电压源设计

在对传统带隙基准电压源进行理论分析的基础上,结合当前IC设计中对基准电压源低温漂、高电源抑制比的要求,设计了一种超低温漂的带隙基准电压源电路。该电路带有启动电路和高阶温度补偿电路。仿真结果表明,在-55~125℃的温度范围内获得了1.65×10-6/℃的温漂系数,低频时的电源抑制比达到-62 d B。     

小尺寸栅极HEMT器件结温测量

用现有的红外法测量的GaN基HEMT器件结温,比实际最高温度点的温度低.而用喇曼法测量结温对设备要求高且不易于操作.针对现有技术对GaN基HEMT器件结温的测量存在一定困难的问题,设计了一款HEMT器件匹配电路.利用红外热像仪测量HEMT器件的结温升高,并结合物理数值模拟仿真,提出一种小尺寸栅极结温升高测量方法.结果表明,建立正确的仿真模型,可以得到不同栅极长度范围内的温度.通过这种方法可以测量出更接近实际的结温,为之后研究加载功率与壳温对AlGaN/GaN HEMT器件热阻的影响奠定了理论基础,并且为实际工作中热特性研究提供了参考依据.     

电涡流传感器温漂的综合补偿

在介绍电涡流传感器基本原理的基础上,分析了温度漂移产生的主要因素,并提出了一种温漂补偿的新方法,即利用负反馈组成闭环系统实现对温度漂移的综合补偿.实际测试结果表明,温漂综合补偿精度可达0.41%,明显优于一般方法的补偿精度.