影响半导体钛酸钡PTCR效应的因素

<正> 一、引言 大家知道,在作为强电介质的钛酸钡中添加了微量的稀土元素或者三氧化二锑、三氧化二钇、五氧化二铌等而半导体化了的钛酸钡陶瓷,在其居里点(约120℃)以上,显示出异常的正电阻温度系数(PTCR)。这种PTCR材料因具有的特殊的电阻一温度系数、电流一电压、电流一时间等特性,所以被用来制作定温度发热体、温度检测、延迟元件等。半导体化钛酸钡现巳成为一种重要的电子陶瓷材料。     

Si_3N_4在BaTiO_3基低阻高性能PTCR陶瓷材料中的作用

要同时保证 PTCR材料和元件具有低室温电阻率和较高的 PTC特性 ,有较大难度。研究了添加 Si3N4作为烧结助剂 ,对 PTCR材料的显微结构和电学性能的影响。同添加 Si O2 作为烧结助剂相比 ,添加 1.0 %的 Si3N4的 PTCR材料更易同时满足低阻高性能要求。     

稳定度0.1℃的PWM温度控制器

本文给出TEC(热电冷却器)温度控制器设计,它能使激光功率二极管(或其他元件)温度稳定在0.1℃之内. 环境温度变化会对大多数电子系统的精度有影响.把关键元件(如高性能晶振、SAW滤波器、光放大器、激光二极管)的本机温度限制在窄范围内可提高电子系统的精度.     

掺杂Ag元素对溶胶–凝胶一步法制备BaTiO3基PTCR陶瓷性能的影响

为改善PTCR陶瓷材料的电学性能,采用AgNO3作为Ag掺杂原料,用溶胶–凝胶一步法合成了含Ag元素的BaTiO3基PTCR陶瓷,着重讨论了银含量对半导体陶瓷电学性能的影响规律.结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(β)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(αR)和耐电压(Vb).本实验中掺杂0.05%Ag(摩尔分数)时,获得的PTCR陶瓷性能较好:ρ≈28Ω@cm,α25＞16%℃-1,Vb＞180 V@mm-1.     

PTCR元件化学镀镍电极的最优工艺条件

采用正交试验法研究了络合剂浓度、镀液 pH值、施镀温度与时间对BaTiO3 陶瓷PTCR元件化学镀镍电极的影响 ,得到制备化学镀镍电极的最优工艺条件。重复试验证明 ,在该工艺条件下获得的以Ni镀层为底层电极的PTCR元件 ,其耐电压和耐工频电流冲击性能良好。     

掺杂Ag元素对溶胶–凝胶一步法制备BaTiO_3基PTCR陶瓷性能的影响

为改善PTCR陶瓷材料的电学性能,采用AgNO3作为Ag掺杂原料,用溶胶–凝胶一步法合成了含Ag元素的BaTiO3基PTCR陶瓷,着重讨论了银含量对半导体陶瓷电学性能的影响规律。结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(r)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(aR)和耐电压(Vb)。本实验中掺杂0.05%Ag(摩尔分数)时,获得的PTCR陶瓷性能较好:r≈28 W·cm,a25>16%℃1,Vb>180 V·mm1。     

片式BaTiO3基PTCR瓷片的制备及烧结工艺的研究

以轧膜成型工艺制备的BaTiO3基热敏电阻(PTCR)坯片为对象,研究了烧结工艺对其电性能的影响.结果表明,通过控制烧结温度的各参数,可优化成BaTiO3基热敏电阻的电性能.且获得室温电阻低于10 Ω、升阻比达5个数量级且耐电压高于50 V/mm的片式PTCR瓷片,尺寸为8 mm×5 m×0.22 mm.     

稳定度0.1℃的PWM温度控制器

本文给出TEC(热电冷却器)温度控制器设计，它能使激光功率二极管(或其他元件)温度稳定在0.1℃之内。环境温度变化会对大多数电子系统的精度有影响。把关键元件(如高性能晶振、SAW滤波器、光放大器、激光二极管)的本机温度限制在窄范围内可提高电子系统的精度。恒温槽和冷却器使元件温度保持稳定的一种方法是把元件封闭在固定温度的恒温槽内。为了提供某种调整容限，其所选温度应高于所有条件下的环境温度。这种方法被广泛采用，特别是用在超稳时钟的设计中(如恒温槽控制的晶振——OCXO)。高温应用此方法有如下缺点：1. 性能(如噪声因数…     

水基流延制备片式PTCR陶瓷的研究

采用sol-gel法制备纳米BaTiO3基PTCR粉体,并以其为原料,采用水基流延成型工艺制备片式PTCR。研究了在sol-gel法制备BaTiO3粉体中,施受主元素含量、陶瓷的烧成温度与PTC效应、晶粒尺寸的关系以及水基流延工艺中各种添加剂对浆料和膜片性能的影响。结果表明:以纳米BaTiO3粉体为原料、水基流延的片式PTCR坯片,在1240℃下就能半导化,所得陶瓷样品的升阻比高于104,温度系数大于13%℃–1,平均晶粒尺寸小于2μm。     

通讯设备用低阻高耐压过流保护器材料研究

过流保护器要求芯片尺寸为φ5mm×2.2mm,电阻值为15?,耐电压AC330V。采用液相施主掺杂和添加钙等方法优化配方制成PTCR材料。经复阻抗谱、SEM及XRD等测试分析表明,材料的微观结构得到了明显改善,PTC性能得以提高。当x(Mn(NO3)2)为0.47%时,材料的居里点为70℃、室温电阻率为14?·cm、温度系数为11.5%℃–1、耐压强度大于165V/mm。     

浅析我国智慧城市发展现状及未来趋势

智慧城市的发展是现代城市的一个重要发展方向,本文简要介绍了我国智慧城市的发展现状,并根据现有存在的问题,讨论了未来智慧城市发展需要解决的问题和发展趋势,希望有所借鉴。     

浅谈三网融合对区（县）镇有线网络整合的客观诉求

国家三网融合新政催发了电信网、广播电视网和计算机通信网新一轮＂改革？发展？竞争＂的格局,在这个大背景下,有线网络唯有加快整合、形成合力、深化改革、发扬特色,才能生存和进一步发展。分析新形势下三网融合对区（县）镇有线网络整合发展的客观诉求,在此基础上谋划有线网络改革发展的良方。     

广电宽带接入网应注意的几个问题

随着宽带业务的发展，广电网络公司也介入这一领域，但运营情况不太理想。联系实际对广电网络宽带IP以太网络建设运营维护中面临的问题进行分析。     

配电线路中性线断线的原因及危害

随着社会的不断进步,电的作用越来越重要,而中性线又是保障整个配电系统正常运行的关键。文章从中性线作用及中性线断线的原因入手,并进一步分析了中性线断线给整个配电系统带来的危害,进而提出防范的措施。     

基才增量式光电编码器位移传感器研究

为了实现对位移测量的需求,提出了一种基于增量式光电编码器的位移传感器的设计方案,并完成系统的软硬件设计。传感器硬件部分主要包括增量式光电编码器、信号的传输处理和测量结果的显示。软件部分采用汇编语言设计,实时解算测量结果并驱动显示屏显示。实际应用表明,该系统具有操作简便、测试准确的特点,达到了设计要求。     

集中力量打造精品课程

精品课程建设是高等学校教学质量与教学改革工程的重要组成部分,也是加强素质教育、培养复合型、研究型、开拓型人才的重要手段。本文从六个方面论述我院在精品课程建设过程中所取得成绩及所积累的经验。     

MIMO-OFDM系统中的时频二维信道估计技术研究

本文主要针对M IMO-OFDM系统中的导频信道估计技术进行了阐述,首先对我们采用的仿真系统进行了简单的描述,接着较为详细的介绍了我们采用的时频二维信道估计技术的原理,在第三部分,对采用的导频的正交性进行了分析;最后利用仿真测试的结论,验证了算法的有效性和鲁棒性。     

常温下LCD工作电压的优化设计

本文从扩大视角范围的角度，研究了工作电压的优比设计。     

覆铜板的弯曲强度与弯曲弹性模量初探

论述了覆铜板的弯曲强度和弯曲弹性模量的测试原理和测试方法,并运用弯曲强度和弯曲弹性模量对应基材性能表现的模型分析方法,初步探讨了影响覆铜板的弯曲强度和弯曲弹性模量的因素,继而找出提高覆铜板的弯曲强度和弯曲弹性模量的方法,以改进覆铜板的性能。     

科学系统地设计教材的知识应用结构

传统教材内容的结构基本上是按科学逻辑顺序编排的知识应用结构，因而它的主要功能是传授知识。一本具有传授知识的培养能力双重功能的教材，应具有经过`科学系统设计的知识系统结构和适应应用结构。