纳米光存储薄膜结构的光学性质

近场超分辨纳米薄膜结构可以突破衍射极限实现纳米尺寸信息存储,是下一代海量存储技术的重要方案之一,也是纳米光子学研究中的热点.纳米膜层结构基于激光作用下的非线性局域光学效应实现超分辨.分析了超分辨近场薄膜结构突破衍射极限的光学原理,对超分辨纳米薄膜结构的表面等离子体激发特性、非线性光学特性、近场光学特性和超透镜效应等重要光学性质的最新研究进展做了系统介绍.     

非线性光学晶体MMTWMP的热学和光学性质的测定

报道了一种新型非线性光学晶体：二水合二N-甲基-(-吡咯烷酮合硫氰酸汞锰(MMTWMP)。用热重分析法、差示扫描量热法、吸光光度法、红外和粉末衍射光谱研究了它的热学和光学性质。它属于四方晶系，晶胞参数为α-1．21294，C=0．822.38nm，V=1．21127nm^3。MMTFMP晶体具有较好的物理化学稳定性。它的紫外截止波长为360nm。比硫氰酸汞锰，MnHg(SCN)4(MMTC)紫移了13nm。它在404nm的透过率为44．82％，比MMTC高了17．46％。     

偶氮类有机薄膜的光存储与光调剂特性研究

本文利用光致双折射技术 ,研究了两种新型偶氮类光电功能材料的光存储与光调制特性。对比研究结果表明 :含偶氮侧链聚合物具有更好的光存储功能 ,而偶氮小分子掺杂聚合物则更适用于光调制。文中还利用偶氮小分子掺杂聚合物薄膜 ,通过改变附加偏振光的偏振方向得到了一级自衍射的放大和衰减信号 ,从而在 0°～ 90°范围内完成了偏振光调制光学全息技术     

Fe（1—x）CoxSi2薄膜的光学性质实验研究

用反应沉积法（RDE）制备了一系列铁钴硅化物好Fe(1-x)CoxSi2薄膜,样品中掺杂的Co含量由卢瑟福背散射（RBS）确定。本文研究了样品的光学性质：室温下在0．26－4．80eV的光子能量范围内,用椭圆偏振光谱仪测量了样品的复介电函数谱。实验发现,Fe(1-x)CoxSi2薄膜的介电函数强烈地依赖于薄膜的状态:a)对于β的Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱在红外低能区呈现出干涉峰,对应于半导体态;b）对于同时存在β相和∑相的混合相Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱呈现出半导体和金属的混合态特征;c)对于∑的Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱呈现出明显的金属态特征。XRD实验结果表明,样品介电函数谱的差异来源于薄膜中不同的Fe-Si相,而与样品中掺Co量的多少并无一定关系。     

偶氮类有机薄膜的光存储与光调制特性研究

本文利用光致双折射技术,研究了两种新型偶氮类光电功能材料的光存储与光调制特性.对比研究结果表明:含偶氮侧链聚合物具有更好的光存储功能,而偶氮小分子掺杂聚合物则更适用于光调制.文中还利用偶氮小分子掺杂聚合物薄膜,通过改变附加偏振光的偏振方向得到了一级自衍射的放大和衰减信号,从而在0°～90°范围内完成了偏振光调制光学全息技术.     

纳米晶体热学性质的理论研究

笔者建立了一维纳米随机链模型;应用点阵动力学的方法计算了一维纳米晶体的熵、热容以及振动自由能等,发现纳米晶体的熵比单晶的熵值高,这些结果可以用纳米晶体的特殊结构来解释。纳米晶体中大量不规则原子的存在是熵值增加的根本原因。所以,只要改变颗粒的大小(实际上也是改变了其中界面原子所占的百分数)将会改变它的熵值及其他的热学量。从微观结构与热学量的关系而言,它将有助于改善纳米晶体的性能。     

偶氮液晶聚合物的三阶非线性光学特性

本文报道了在低功率Nd:YVO4倍频激光器连续光泵浦下用Z－扫描技术对偶氮液晶聚合物CN2的非线性光学特性研究。结果表明：CN2在532nm的激光作用下,不仅表现出显著的非线性折射率γ（约－10^-4cm^2/w),而且表现出很大的非线性吸收系数β（约40cm/W)。     

用近场光学研究单个细胞的超微结构和光学性质

光学方法是对物理、化学、生物、医学等各种样品进行特性表征、结构和机理研究的重要方法．物体结构的细节则深藏于近场区域内，如化学和生物大分子、细胞表面的超微结构等，其大小在纳米级．常规光学方法由于受到衍射极限的限制，其最高空间分辨率只能达到波长的一半，因此无法进行研究．     

手性偶氮苯衍生物的光致变色和全息存储特性研究

研究了手性偶氮分子N-[4-(4-十二烷氧基苯基偶氮)苯甲酰]-L-谷氨酸(C12-Azo—L-Glu)掺杂聚合物薄膜的光致变色特性。利用C12-Azo-L-Glu掺杂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜的可逆光致异构过程．以线偏振的氩离子激光(488nm)作抽运光和写入光，线偏振氦氖激光(632．8nm)作再现光和读出光．探讨了光致双折射和全息光学存储过程中．衍射信号强度与氩离子激光功率的关系。实验结果表明C12-Azo-L-Glu具有响应时间快、可擦重写、耐疲劳度高的特点，可用作实时存储材料。     

磁光存储多层膜系统的光学与热分析方法

采用光学转移矩阵法计算激光照射下磁光存储多层膜的磁光及光学响应，光强分布及焦耳热损失分布，再用有限元方法求解在这种多层膜中的热传导方程，从而得到激光照射下多层膜系统中的温度场分布，这种方法可用于磁光光盘的光学与热学设计。     

光盘记录介质研究进展

随着材料科学、光存储技术的发展,国内外对光存储介质的研究不断深入.文章对全息、光谱烧孔、电子俘获、双光子、光致变色材料等光盘记录介质及其存储机理研究进展进行了综述.     

有机半导体薄膜的光学和电学性质研究

采用真空热蒸镀技术制备了NPB有机半导体薄膜和单层夹心结构器件,通过透射谱测量研究了薄膜的光学能隙、折射率和消光系数等光学性质,结果表明有机半导体薄膜具有直接带隙半导体的光学性质,并且其折射率色散性质遵循单振子模型.另外,通过分析器件的电流-电压特性研究了薄膜的电导率、载流子迁移率和载流子浓度等电学性质.这些实验结果对于有机光电子器件的结构设计具有一定的参考价值.     

光盘用吲哚类菁染料薄膜光学性能的研究

研究了直链和链中插有环己烯基团的吲哚类菁染料薄膜的光谱特性并对其进行了静态测试.研究表明,这两种薄膜在可见及近红外波段具有较好的吸收和反射特性;静态测试结果表明其对比度均可达到40%以上,具备光盘记录介质的特性.还特别利用He-Ne激光连续照射的方法研究了这两种薄膜的光反射特性,发现其反射率随光照的进行逐渐增强,并渐趋平缓.     

氧化物记录介质在光存储中的应用及其研究进展

系统总结了用于光存储记录层的氧化物薄膜的存储机理、存储特性以及最新进展,讨论了氧化物掺杂对提高存储性能的影响,指出了氧化物薄膜存在的不足,并探讨了可能的改善途径.在此基础上对存储材料的发展趋势及氧化物材料的研究前景进行了展望.     

光存储偶氮染料的热稳定性研究

利用热重分析 (TG)和示差量热扫描法 (DSC)研究了两种光存储偶氮染料的热稳定性 ,分析了材料的记录机理。偶氮染料的热分析研究结果表明 ,染料的热失重均发生在较窄的温度范围内 ,热重分析曲线陡斜 ,残渣少 ,有利于光记录信号的调制。研究结果表明 ,TG和 DSC是研究光存储记录介质的有力工具。     

有机功能薄膜的光学存储特性

研究了间硝基苯叉丙二腈 /邻苯二胺 (m- NBMN/ DAB)有机复合功能薄膜的光学存储特性。利用自制的光学信息写入系统研究了 m- NBMN/ DAB有机薄膜的静态存储特性 ,发现在 780 nm激光脉冲的作用下 m- NBMN/ DAB有机薄膜具有光学双稳态特性 ,并且在大气中加热薄膜可实现信息擦除。利用高分辨率扫描电子显微镜 (HRSEM)和红外吸收光谱 (IR)研究了 m- NBMN/ DAB复合薄膜的结构和光谱特性 ,对其光学存储机制进行了初步分析     

半导体器件热特性的光学测量技术及其研究进展

热失效是影响半导体器件的性能和可靠性的主要原因,热特性和温度测量是整个电子系统热设计过程中的关键环节.光学测量方法具有非接触、无损伤的优势,在半导体及电子系统研究领域应用日益广泛.评述了各种半导体器件热特性光学测量技术的工作原理、实验装置、技术指标、应用现状,总结了现有方法中的关键问题和发展方向.     

电子俘获材料KCl:Eu2+的光存储特性研究

采用高温固相反应法制备出了粉末态的 KCl:Eu2 样品 ,研究了 Eu掺杂浓度与光激励发光的关系。测试了样品的发光性能和存储性能 ,并分析了 KCl:Eu2 的光存储的机制。