提高电源设计效率的100V MOSFET

面向隔离式DC／DC应用的100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50％的尺DS（ON）和出色的品质因数（figure of merits，FOM），可有效提高电源设计的效率。F D M S86101采用5mm×6mm MLP Power56封装，使用了PowerTrench工艺技术。相比栅级电荷相同的现有解决方案，     

FDMS36xxS系列：功率MOSFET

飞兆半导体公司FDMS36xxS系列器件在PQFN封装中结合了控制和同步MOSFET,以及一个肖特基体二极管。这些器件的开关节点已获内部连接,能够进行同步降压转换器的布局和走线。控制MOSFET（Q1）和同步MOSFET（SyncFET）（Q2）经专门设计,     

飞兆半导体采用CSP封装的P沟道MOSFET提供业界最薄的尺寸

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出采用1mm×1．5mm×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1．5V额定电压PowerTrench。工艺设计，结合先进的WL—CSP封装，将RDS（ON）和所需的PCB空间减至最小。     

飞兆半导体推出具有业界最低RDS（ON）的20V MicroFET MOSFET

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS（ON）的20V 2mm×2mm×055mm薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的严苛要求，采用延长电池寿命的技术，实现更薄、     

Generation II XS05／06／07系列：DrMOS

飞兆半导体公司推出一系列GenerationII XS DrMOS（集成式驱动器＋MOSFET）器件。     

采用CSP封装的P沟道MOSFET

采用1mm×1．5min×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P,能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1．5V额定电压PowerTrench工艺设计,结合先进的WL—CSP封装,将导通电阻和所需的PCB空间减至最小。这款P沟道MOSFET器件的侧高比标准P沟道MOSFET降低40％,可满足下一代手机、MP3播放器和其他便携应用的要求。该器件具有低RDS（ON）（典型值74mΩ＠-4．5V VGS）,能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能（1．9W）。     

飞兆半导体P沟道MOSFET提供业界最低RDS（ON）

飞兆半导体公司（FARICHILD）为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ,能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。     

飞兆半导体推出新一代超级结MOSFET-SupreMOS

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来SuPreMOSTM新一代600V超级结MOSFET系列产品。包括具有165mQ最大阻抗的FCP22N60N、FCPF22N60NT和FCA22N60N，     

超小体积功率MOSFET

飞兆半导体公司（Fairchild）推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P，可为各种低压（〈20V）便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合移动电话、数码相机、MP3播放器、医疗设备，以及其它智能化，小型化的便携式产品。     

FLS0116／3217／3247：集成MOSFET

飞兆半导体推出新的LED照明驱动器。集成MOSFET和功率因数校正（PFC）的FLS0116、FLS3217和FLS3247,其设计针对低功率LED应用而优化。由于增加了集成功率MOSFET,这三款器件有助于大限度地减小线路板面积和总体元件数目,同时缩短设计时间。上述器件带有逐周期限流功能和过热保护（OTP）及欠压锁定（UVLO）等集成保护功能,有助于显著提高LED照明系统的可靠性。     

新型同步降压转换器组合模块

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）的智能功率模块，用于小功率（100W以下）的直流无刷（BLDC）电机应用。Motion-SPM模块在高热效、超紧凑（29mm×12mm）的Tiny-DIP封装中集成了六支内置快速恢复二极管的MOSFET（FRFET）和三个半桥高电压驱动IC（HVIC），专为内置控制的BLDC电机而设计。每个Motion-SPM都使用FRFET和HVIC器件，同时简化电机逆变器设计。     

飞兆和英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议

飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。飞兆半导体PowerTrenchR非对称结构功率级双MOSFET模块是飞兆半导体全面广泛的先进MOSFET产品系列的组成部分,为电源设计人员提供了适用于关键任务的高效信息处理设计的全面解决方案。     

SSOT－6FLMP N沟道MOSFET

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出的30V、9mΩFDC796N和100V、70mΩFDC3616N高效N沟道MOS FET器件是专为处理1.8W的功率耗散而设计的 ,是各种应用范畴的小型DC/DC电源的理想解决方案 ,包括电信设备和互联网集线及路由器 ,以及仪表设备和ATE设备。FDC796N和FDC3616N是飞兆半导体最新独特功率MOSFET系列中的成员 ,该系列器件结合了飞兆半导体的PowerTrench技术和先进的SuperSOTTM -6FLMP(倒装引脚铸模封装)技术 ,封装所占的电路板空间比SO -8少70 %。FDC796N同时可提供极低的RDS(on)额定值和低栅极电荷(…     

FDMA905P／FDME905PT：MOSFET

飞兆半导体公司为手机和其他超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。     

飞兆半导体推出Generation Ⅱ XS DrMOS器件

高效率、大电流处理能力和小外形尺寸是电源设计人员选择用于电压调节器解决方案的组件的至关重要的因素,为了满足这一需求,全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild）开发出一系列GenerationⅡ XS DrMOS（集成式驱动器＋MOSFET）器件,这些器件能够提供高效率和高功率密度,可让设计人员满足不同应用的特定设计需求。     

飞兆半导体P沟道MOSFET提供业界最低RDS（ON）

飞兆半导体公司为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来-款单-P沟道MOSFET器件FDZ197PZ，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS=4．5V时提供64mOhm之RDS（ON）值，较同类解决方案低15％，且占位面积仅为1mm×1．5mm，在提高效率之余，同时减少了电路板空间需求。     

中等电压MOSFET器件

飞兆半导体公司扩展PowerTrench MOSFET系列,这些产品属于中等电压MOSFET产品系列成员,是结合低栅极电荷、低反向恢复电荷和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品,可以实现快速开关。这些器件备有40V、60V和80V额定电压型款,     

资讯

飞兆半导体推出MLP封装的UltraFET系列器件飞兆半导体公司成功扩展其功率开关器件解决方案,推出采用超紧凑型(3mmx3mm)模塑无脚封装(MLP)的100V、200V和220V N沟道UltraFET器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式DC/DC转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。飞兆半导体的200V器件FDMC2610具有业界最低的米勒电荷(3.6nC对比4nC)和最低的导通阻抗(200mΩ对比240mΩ)。这些特性使该器件的品质系数(FOM)降低了27%,并且在DC/DC转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200V器件…     

电源

飞兆推出CMR光电耦合器解决方案 飞兆半导体（Fairchild）推出共模抑制（CMR）光电耦合器解决方案FOD3120和FOD3150。这两种产品是输出电流分别为2．5A和1A的栅极驱动光电耦合器,即使在最噪杂的工业环境中,也能够轻易驱动1200V／20AIGBT和MOSFET。     

新产品

安森美半导体超小型ESD器件；英飞凌推出OptiMOS3 75V MOSFET系列;爱特梅尔为SAM9261S升级推出基于ARM9的更高频率嵌入式微处理器SAM9G10;飞兆半导体推出首款用于便携设备的相机隔离开关;