化学法制备光学薄膜及其应用

概要综述了用化学法制备光学薄膜的浸渍镀膜法、旋转镀膜法、喷溅镀膜法、流延法、弯月面镀膜法和涂布镀膜法等方法,及其薄膜特性,诸如折射率、激光损伤阈值、机械强度等的控制技术,并展望了某些新型光学薄膜的应用前景。     

激光化学法浓缩铀的新动态

激光激励化学反应分离铀同位素(CRISLA)是七十年代末开发的激光分离铀同位素分子法(MLIS)的另一技术方案。其分离过程原理是用精确调至一定频率的一氧     

离子束辅助沉积光学薄膜综述

本文综述了离子辅助沉积光学薄膜的现状。讨论了各种离子源及其相对的优缺点。接着讨论了当今用于解释这一过程中离子－表面相互作用的各种理论模型，最后讨论了用离子辅助沉积得到的氧化物薄膜的性质。     

折射率可调疏水型SiO2光学薄膜的制备研究

以正硅酸乙酯(TEOS)为有机醇盐前驱体,采用溶胶-凝胶技术,通过控制制备条件,结合三甲基氯硅烷(TMCS)对SiO2胶粒表面的修饰过程,制备出折射率可调的疏水型SiO2薄膜.对薄膜采用了不同的后处理方式,研究了氨和水蒸气混合气体热处理技术对薄膜疏水性能的影响.采用椭偏仪、FTIR和接触角测试仪对薄膜的折射率、红外特性、接触角等的测试研究表明疏水型SiO2薄膜的折射率可在1.35～1.20之间连续可调,与传统热处理相比,混合气氛热处理使薄膜的折射率略有增加,在所研究的范围内折射率平均增加0.02左右;SiO2胶粒表面的亲水性OH基团可基本被非活性CH3基团代替,薄膜的疏水能力得到进一步提高;接触角由未作表面修饰时的40°左右增加到表面修饰并结合混合气氛热处理的137°左右.     

放射源的制备技术及其应用

介绍了放射源制备的主要技术、我国放射源研究和应用现状,提出了我国在放射源制备和应用方面需要重点关注的方向,以推动放射源在科学研究、医学和工业自动化等领域的应用。     

用高纯锗γ谱仪和放射化学法分析环境样品中137Cs的对比研究

环境样品中¹³⁷Cs的分析方法主要有高纯锗γ能谱法和化学分离后进行β计数的放射化学法。本文对这两种方法的测定结果进行对比。结果表明,二者具有可比性,放射化学法探测限低,更灵敏;而高纯锗γ能谱法具有耗时短、回收率高的优点,这对于应急监测具有重要作用。     

CxH1-x薄膜制备

以反式－２－丁烯为主工作气体,采用低压等离子体化学气相沉积法制备ＣｘＨ１－ｘ薄膜,研究了在不同的Ｈ２与反式２－丁烯流量比下制备的ＣｘＨ１－ｘ薄膜的傅里叶变换红外光谱（ＦＴ－ＩＲ）及ＸＰＳ谱的特性,初步探讨了ＣｘＨ１－ｘ的生长机理,膜中ｓｐ＾３杂化碳原子和ｓｐ＾２杂化碳原子的数量以及两者的比例与沉积条件有关。     

色分离光栅的溶胶凝胶化学法制备工艺

以锆酸丁酯为源,通过溶胶凝胶法制备了一种光敏ZrO₂溶胶,在熔石英表面通过提拉法镀制具有负性光刻胶性质的光敏凝胶薄膜。在此基础上,设计色分离光栅(CSG)的结构,通过二次曝光、显影过程,制备了具有三台阶结构的CSG。对光栅形貌进行表征,周期为210μm,单台阶高度约为500nm,光栅面积为30mm×30mm。采用Nd：YAG激光器对衍射效率进行了测量,测得CSG对355nm激光衍射效率达到约88.4%,1064nm及532nm激光的衍射效率分别为5.7%和4.2%。     

高功率脉冲非平衡磁控溅射制备CrN_x薄膜及其性能研究

高功率脉冲磁控溅射技术(HPPMS)溅射粒子离化率高,可沉积致密、高性能薄膜,作为一种新技术在国外广泛研究。本文用高功率脉冲非平衡磁控溅射技术(HPPUMS)制备一系列CrN_x薄膜,采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)对不同厚度的薄膜表面形貌、微观结构进行了分析,测定了薄膜的厚度和硬度,研究了薄膜的摩擦学性能,并与中频磁控溅射(MFMS)技术制备的CrN_x进行比较。结果表明,使用高功率脉冲非平衡磁控溅射技术(HPPUMS)能制备致密的CrN_x薄膜。薄膜有较好的综合性能,有较高硬度、较高结合强度和低摩擦系数。     

团簇粒子源及其应用

介绍了蒸发、溅射产生团簇的原理以及通过调节参数得到不同大小的团簇材料，阐述了团簇的基本结构和性质，并介绍了团簇在镀膜及功能膜如光学膜磁性膜方面的应用。     

埋点靶制备工艺研究

研究了激光惯性约束聚变(ICF)实验中一种基础基准靶埋点靶的制备工艺过程.埋点靶的制备过程主要包括CH膜的制备、埋点的定位和埋点材料的制备.其中,CH薄膜的制备及其性质是制备埋点靶的关键工艺环节.最后给出了埋点靶的制备工艺流程.     

离子束增强沉积法制备Mo2N和Mo2-xTixN薄膜及其结构与性能研究

分别采用氮离子束增强沉积和Ｎ－Ｔｉ离子束同步增强沉积工艺制备了Ｍｏ２Ｎ和Ｍｏ２－ｘＴｉｘＮ薄膜,用ＸＲＤ,ＴＥＭ、划痕和阳极极化方法研究了两者的结构与性能。     

湿化学法制备氧化硅超薄膜及其成份和厚度的SRPES测定

用C2H5OH溶液氧化H钝化的Si表面(H-Si)得到一层氧化硅超薄膜.原子力显微镜(AFM,Atomic Force Microscope)的结果显示,氧化前后的表面均非常平整.同步辐射光电子能谱(SRPES,Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy)的测试结果表明,氧化膜的主要化学成份为SiO2,其平均厚度为0.24 nm.衬底温度为500℃时,在此氧化膜表面制备出面密度达9.5×1010 cm-2,尺寸集中为(25±5)nn的Ge量子点.初步的生长实验表明,湿化学法制备的氧化硅超薄膜作为外延衬底,可减小Ge量子点的尺寸,提高其面密度.