芯原股份和中芯国际发布0.13μm半导体标准设计平台

芯原股份与中芯国际共同发布针对中芯国际0.13μm CMOS先进工艺的半导体标准设计平台。这套平台包括存储器编译器,有单口和双口静态随机存储器,扩散可编程只读存储器,双口寄存器组,标准单元库和输入/输出单元库。该平台是针对高密度、高速及低功耗、低漏电要求为中芯国际的0.13     

芯原和中芯国际共同宣布0．13μm半导体标准设计平台正式发布

芯原股份有限公司（芯原，VeriSilicon），主要基于中国半导体生产工艺的领先芯片设计代工厂和世界一流的集成电路代工厂中芯国际（“SMIC”；NYSE：SMI；HKSE：981），近日共同发布针对中芯国际0．13μm CMOS先进工艺的半导体标准设计平台。这套平台包括存储器编译器有单口和双口静态随机存储器（Single Port／Dual Port SRAM Compiler），扩散可编程只读存储器（Diffusion ROM Compiler），双口寄存器组，标准单元库（Standard Cell Library）和输入／输出单元库（I／O Cell Library）。     

芯原和宏力半导体共同宣布0.18微米库正式发布

芯原微电子和宏力半导体制造公司近期发布了针对宏力半导体0.18微米CMOS工艺的芯原标准设计平台。该平台是一个完整的、易用的、并通过硅片验证的标准设计平台,包括标准单元库、输入/输出单元库和存储器编译器,有单口/双口静态随机存储器和扩散可编程只读存储器。该库通过了宏力流片验证并支持业内主流EDA工具,其良好的时序性、低功耗和高密度性将为宏力带来业务的显著增长。www.verisilicon.com芯原和宏力半导体共同宣布0.18微米库正式发布     

新产品、新技术简讯

中芯国际和芯原推出0.13um低漏电工艺的标准设计平台芯原股份有限公司和全球领先的代工厂之一中芯国际集成电路制造有限公司日前共同宣布，推出用于中芯国际0.13um低漏电工艺的芯原标准设计平台。该SDP包括用于单端口和双端口静态存储器的存储器编译器、扩散可编程只读存储器、双端口寄存器文件编译器、标准单元库以及I／O单元库。这种新的DSP被特别最优化，适用于低漏电和低电源，并且已经通过中芯国际的0.23umLowLeakageSiliconShuttlePrototypingService在硅中得到证明。此外，这种SDP支持业界领先的EDA工具，包括Cadence、Syno…     

中芯国际推出自主研发的38nm NAND闪存工艺

正中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布38nm NAND闪存工艺已准备就绪,中芯国际凭此成为唯一一家可为客户生产NAND产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发,可满足特殊存储器无晶圆厂客户对高质量、低密度NAND闪存持续增长的需求。NAND闪存是近年来发展最为迅速的非易失性存储(NVM)产品。38nm NAND闪存主要面向嵌入     

中芯国际推出0.13μm低功耗嵌入式工艺

正中芯国际日前宣布,其0.13μm低功耗(LL)的嵌入式闪存(eFlash)工艺已正式进入量产。该技术是中芯国际NVM非挥发性存储器平台的延续,为客户提供了一个高性能、低功耗和低成本的差异化解决方案。中芯国际的0.13μm嵌入式闪存技术平台优势表现在三个方面:第一,强耐度:具备高达300K周期的优秀的循环擦写能力,达到业界标准的三倍;第二,极具成本效益:工艺创新,使用较少的工艺步骤;第三,低漏电工艺适合极低功耗的应用并提升性能及可靠性:后段采用铜工艺(Cu-BEoL)适合需要高     

芯成EEPR0H瞄准汽车电子应用将在中芯代工

中芯国际（stoic）与芯成半导体（上海）有限公司日前布，双方已成功地联合开发出一种应用于多种领域的高可靠性电可擦写可编程只读存储器（eeprom）技术。中芯国际为芯成（上海）制造eeprom芯片，芯成（上海）负责为汽车电子和其它客户提供低成本、高可靠性的eeprom产品。     

芯原发布针对和舰科技0．18与0．25微米CMOS工艺的半导体标准设计平台

业界领先的IP及集成电路设计代工服务的芯原股份有限公司(芯原)与和舰科技日前正式发布了针对和舰科技0．18与0．25微米CMOS工艺的半导体标准设计平台．这套平台包括存储器编译器有单几和双口静态随机存储器(Single Por／Dual Port SRAM Compiler)、扩散可编程只读存储器(Diffusion ROM(Compiler)、     

武汉新芯:定位存储器制造,两年后或推3DNAND

正武汉新芯集成电路制造公司(XMC)2006成立,2012年底起独立经营,是国有制企业。为了区别于本土的制造巨头SMIC(中芯国际)和华力微电子(HLMC)等,XMC将立足存储器制造。近日,武汉新芯董事长王继增告诉笔者。     

中芯国际0.11微米制程缩小31%面积

正中芯国际集成电路制造有限公司于3月9日宣布,其0.11微米后段铜制程(Cu-BEoL)超高密度IP库解决方案可为客户平均节省31%芯片面积。中芯国际此次发布的超高密度IP库解决方案,与传统IP库相比,可使客户     

英飞凌与中芯国际扩展代工协议

(2003年3月27日)德国晶片厂商英飞凌进一步向中国市场迈进。英飞凌与中芯国际集成电路制造(上海)有限公司(SMIC)今天正式宣布双方签订协议,进一步合作生产标准存储器芯片(DRAM)。根据协议,英飞凌将向中芯国际转移0.11μm的DRAM沟槽技术和300mm产品的专有技术。该技术将用于专为英飞凌制造产品。这一新的举措将提升英飞凌的整体产能,中芯国际目前正在北京兴建的300mm的生产厂,将为英飞凌提供每月约15000片以上的产能。2002年12月,两家公司签订了有关转移0.14μmDRAM沟槽技术的协议,中芯国际将于上海的200mm厂房使用英飞凌的技术专为英…     

芯视达推出800万像素CIS产品基于中芯国际0.13微米BSI技术平台

中芯国际集成电路制造有限公司与芯视达系统公司(Cista)联合宣布两款背照式CMOS图像传感器(CIS-BSI)产品实现量产。这两款产品包括单位像素为1.75微米的130万像素图像传感器和单位像素为1.4微米的800万像素图像传感器,其制造均基于中芯国际独立研发的0.13微米BSI技术平台。这是中芯国际首次投产BSI产品。背照式(BSI)CMOS图像传感器是一种数字图像传感器,使用特殊结构增加捕捉到的光量,从而提升在低亮度状态下的图像品质。中芯国际自主开     

中芯国际采用Mentor CaIibre PERC产品

MentorGraphics公司与中芯国际集成电路制造有限公司今天共同宣布中芯国际已采用MentorGraphicsCalibre@PERC电路可靠性验证解决方案为其最新的防静电（ESD）保护设计法之一。这有助于客户大型、复杂的系统级芯片（SoC）的设计,包括I／0、中芯国际或第三方的嵌入式IP模块、以及eFuse嵌入式存储器,皆能达到ESD保护的要求。     

中芯国际成都封测厂开建

年产能4．32亿只中芯国际(SMIC)总投资1．75亿美元(约合人民币15亿元)的成都芯片封装测试项目于2004年12月30日动工建设。据悉，中芯国际成都工厂建成后将具有集成电路封装测试4．32亿只的年生产能力，可面向全球接单，一期工程至少可提供2，500个工作岗位。据中芯国际总裁张汝京透露，中芯国际成都项目计划于2005年6月底建成，第三季度投产。     

ARM继续与中芯国际进行合作

近日,英国ARM公司宣布:中芯国际(SMIC)已获ARM922T微控制器内核和EmbeddedTraceMacrocell(ETM9)片上调试外设授权。ARM922T内核是中芯国际从ARM获得的第二个微处理器内核授权,本次合作展现了这家总部设于上海的代工厂发展ARM体系结构的决心和ARM支持中国半导体业的决心。ARM公司是16/32位嵌入式RISC微处理器技术方案供应商。中芯国际是国内的半导体代工厂。ARM继续与中芯国际进行合作@韩昊     

中芯国际2013年度技术研讨会胜利落幕

2013中芯国际（第十三届）年度技术研讨会日前胜利落幕。本次研讨会的主题是“用‘芯’服务，创造领先的增值技术平台”。中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士，在开幕致词上回顾了中芯国际最近两年来通过创新与合作所取得的成绩。展望未来，中芯将顺应行业发展趋势，在加速追赶国际先进主流工艺的前进步伐的同时，不断拓展成熟工艺，针对客户需求提供整套的解决方案和附加价值服务。     

中芯国际推出LDO线性稳压器智能模块

中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC）日前宣布推出低压降（LDO）线性稳压器智能模块系列，适用于0．13微米至0．35微米逻辑／混合信号和0．18微米以及0．35微米电可檫除只读存储器CMOS工艺技术。此系列的建立更丰富了中芯国际的电源管理系列智能模块。中芯国际的低压降（LDO）线性稳压器智能模块系列已经过硅验证并可以提供给客户使用，有些已经正式进入量产。此智能模块可嵌入于多种应用设备中，如手机、数码相机、MP3、     

中芯国际举办第六届技术专题研讨会

正中芯国际集成电路制造有限公司日前在上海举办了第六届年度技术专题研讨会,推广其最新的先进及特色工艺平台。会上,中芯国际公布了28纳米和40纳米等先进工艺取得的最新成就和重要进展,以及基于特殊工艺如eNVM、PMIC、RF、IoT、MTE(成熟技术优化)等项目的新特色产品。中芯国际资深副总裁兼中国区总经理彭进先生,在开幕致辞上发表了主题为"专注产品应用,创建工艺平台组合"的演讲。他特别提到中国集成     

ARM与中芯国际宣布将拓展合作关系

ARM和中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布双方将在中芯65纳米和40纳米低漏电工艺节点上合作开发先进的ARM物理IP库平台。该协议将免费提供ARM的DesignStart在线IP访问入口供双方客户使用,可下载9轨和12轨multi-Vt逻辑库套件,电源管理包,ECO包和ARM优化的高密度存储编译器。该协议扩展了双方长期合作关系,以提供双方客户得以用于180纳米,130纳米,110纳米和90纳米的工艺技术上具高度差异化的IP。     

中芯称无忧芯片设备购买求助国内银行

中芯国际(SMIC)表示，虽然美国进出口银行此前称，将拒绝中芯国际要求提供的7．69亿美元贷款保证，以阻止中芯国际向美国应用材料(Applied Materials)公司购置芯片制造设备，但公司今年的资本支出计划也不会受到影响，同时还可向美国其它银行或中国内地银行寻求贷款保证。然而这起交易的前景仍不明朗。