微波／毫米波器件及其电路的发展现状

重点阐述了微波／毫米波器件及其电路的发展现状，并对我国在这方面的发展目标提出初步设想。     

微波器件及其电路发展研究

简要介绍了国内外微波、毫米波半导体器件的近期进展，及国外新型固体器件的最新研制动态；比较详细地介绍了美国ＭＩＭＩＣⅡ阶段计划的实施情况及低噪声和功率ＭＭＩＣ放大器的参数水平。     

微波功率器件及其电路

简要地介绍了国内外微波功率器件及其电路的发展现状，分析了在微波功率方面与国外的差距，并指出了造成目前差距的原因所在，对以后我国在微波功率方面的发展提出了建议。     

微波毫米波真空微电子器件研究进展

本文简介近２－３年来，基于阵列场发射（ＦＥＡ）电子源的微波毫米波真空微电子器件的研究进展情况。     

固态微波,毫米波器件的国内外差距及其发展

本文首先论述当前因态微波，毫米波器件的总体发展特点及各种固态微波，毫米波三端器件的可用频率发展水平，最后，对这类器件及其ＭＩＭＩＣ的国内外技术发展水平进行定量对比研究，明确其差距，透视其方向。     

毫米波Gunn器件谐波振荡器电路分析

根据ＧａＡｓＧｕｎｎ器件的谐波大信号特性，应用描述函数法对毫米波二次谐波振荡器的电路特性进行了研究，分析了振荡频率和输出功率随器件大信号特性参数与外电路参数变化的规律，所得结论与实验结果一致。     

固态微波毫米波器件技术进展

固态微波毫米波半导体材料与器件、固态微波毫米波电路与模块、毫米波与太赫兹技术以及新型固态微波毫米波器件在近年来有很大的发展,在相控阵雷达、电子战、军民用通信领域有广泛的应用前景。当前这些器件应用较为集中于各类T/R组件。文章按固态微波毫米波半导体材料与器件、固态微波毫米波电路与模块、毫米波与太赫兹技术以及新型固态微波毫米波器件的顺序,概要介绍了固态微波毫米波技术的新进展。     

微波／毫米波低噪声器件,新型固体器件及其电路的发展趋势与开发建议

综述了国内外半导体微波／毫米波低噪声件及其电路、新型固体器件及其电路的发展现状与未来发展趋势，国内技术水平与国际水平相比的主要差距，及“九．五”期间在这些领域的开发建议。     

微波MCM电路的设计与制作

本文介绍一种新的封装技术－微波多芯片组件（ＭＣＭ）技术。详细阐述了其设计环节并分析了设计要点，提出了通用的设计方法。此外还介绍了微波ＭＣＭ电路的制作流程。     

毫米波无源干扰技术及膨胀石墨在其中的应用

针对毫米波精确制导的特点,分析了可用于毫米波无源干扰的几种材料及措施,包括毫米波箔条、毫米波箔片、毫米波纤维类、毫米波等离子体、泡沫云干扰、晶须类材料、膨胀石墨,并着重分析了膨胀石墨瞬时膨化剂的特点及其实际应用中有待解决的问题.对增强膨胀石墨瞬时膨化剂在毫米波及宽波段无源干扰中的应用和发展进行了分析和探讨.     

砷化镓毫米波器件

叙述了GaAs MESFET、GaAs HEMT和GaAs耿氏器件等新一代GaAs毫米波器件的发展现状。     

表面安装技术及其在光电子器件中的应用

表面安装技术(SMT)近年来得以广泛应用,功绩卓著。本文叙述了SMT的工艺流程、系统装置以及目前的发展状况,并着重介绍了超表面安装技术(ASMT)及其在光电子器件中的应用。     

CMOS毫米波亚毫米波集成电路研究进展

近年来,随着工艺的不断进步,硅基集成电路已突破了仅适用于数字电路和低频模拟电路的传统观念,迅速拓展到毫米波甚至亚毫米波频段.在未来10年内,硅基工艺将具备覆盖毫米波频段的能力,并在部分器件与系统上实现到亚毫米波频段或太赫兹的跨越.我国在该领域起步稍晚,但在国家重点基础研究发展计划("973"计划)、国家高技术研究发展计划("863"计划)和自然科学基金等的支持下,已快速开展研究并取得进展.文中概要介绍了国际上在硅基毫米波亚毫米波集成电路与系统方面的研究背景和我国特别是东南大学毫米波国家重点实验室在CMOS毫米波亚毫米波集成电路方面的最新研究进展.     

毫米波固态器件及模块技术进展

毫米波固态器件及模块技术由于其体积小、重量轻、可靠性高等优势，已在毫米波技术领域逐步占据了重要地位，本文重点介绍了从雪崩管、耿氏管、隧道管等两端器件到三端器件MESFET，再到新型器件，如PHEMT，HBT等的发展历程，以及毫米波集成电路技术和毫米波模块电路技术的进展情况。     

单片分布式放大器的研制

采用0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了单级和两级两种结构的微波毫米波单片分布式放大器.在设计中采用电阻-电容结构代替传统分布式放大器中的终端电阻以降低直流功耗,在输入端加入短路线增强静电保护.根据应用需求设计了相应的放大器电路结构,实现了两种分布式放大器,比较了这两种结构在增益与功率容限方面的特点.第1种分布式放大器采用单级四管结构,在10～40GHz频段内,增益为(9.4±1.1)dB,1dB压缩点最大输出功率为21.5dBm;第2种分布式放大器采用两级双管级联结构,在15～40GHz频段内,增益为(12.2±1.4)dB,1dB压缩点最大输出功率为17dBm.     

微波单片有源滤波器负阻电路的实现方法

论述了用于微波单片有源滤波器负阻电路的实现方法，给出了三种由单管ＦＥＴ构成的负阻电路，以及用ＭＭＩＣ工艺能够实现的矩形螺旋电感与ＦＥＴ实现的负阻电路，并对电路进行了详细的分析与计算机模拟，分析与模拟结果显示用单管ＦＥＴ实现的负阻电路结构简单，在谐振频率点，最大负阻值可达几千欧姆，而且，综合出的负阻电路完全可以用现有的ＭＭＩＣ工艺实现，为进一步设计微波有源滤波器打下了良好的基础。     

毫米波源锁相稳频的研究

本文着重讨论了采用“双环”和“单环”方案,获得的毫米波锁相稳频源的频率短期稳定度。导出了满足环路稳定条件的关系式及算得环路的主要参数。为测量锁相稳频源的“短稳”,研制了调频噪音测量装置并给出“短稳”的测量结果。     

微波器件及IC用SI－GaAs材料现状及展望

本文介绍了国内外ＳＩ－ＧａＡｓ材料的市场现状及应用，简述了ＳＩ－ＧａＡｓ材料制备新工艺和提高质量水平的途径，指出ＳＩ－ＧａＡｓ材料的发展方向及市场前景，并对我国ＳＩ－ＧａＡｓ材料与国外相比所存在的差距作了分析，提出今后发展的方向。