砷酸二氢铷频率变换器

自从砷酸二氢铷(RDA)晶体实现红宝石激光倍频以来,有不少研究者已研究了这种晶体的线性和非线性光学特性。这种晶体的特点是非线性光学常数大和有利的折射率色散,这样非常有利于高功率激光的频率变换。本文报导高功率Nd:YAG激光在RDA中频率变换的实验研究。在实验中采用长14.8毫米RDA晶体,以45°z50°y切割,获得Nd:YAG激光近垂直入射倍频的I型相位匹配。用日立公司的     

麻纤维素(Ⅱ)单晶的研究

苧麻纤维是高结晶度的天然纤维,有关其形态结构已作了大量的研究。一般认为,原苧麻纤维属于纤维素Ⅰ结构,经各种处理后可分别得到纤维素Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ和碱纤维素Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ结构,但无论那一种结构的苧麻纤维都认为是多晶物而未观察到苧麻纤维的单晶。本文报道苧麻纤维素Ⅱ的单晶。将已处理过的苧麻纤维(已证明是纤维素Ⅱ的结构)放在二甲基亚砜溶剂中,并用超声波分散成悬浮液,把悬浮液滴在铜网上,用JEM-100CX(Ⅱ)透射电镜进行研究。     

天然铷(Rb)原子气体的法拉第(Faraday)效应反常色散研究

法拉第(Faraday)效应反常色散是指在原子气体吸收线附近的色散及磁光法拉第效应,天然铷中含有72.2％的~(85)Rb和27.8％的~(87)Rb,当Rb原子处于磁场中时,每个超精细能级都将分裂成2F+1个Zeeman子能级,对D2线(780nm)而言,~(85)Rb和~(87)Rb共有48对左旋圆和右旋圆偏振跃迁。 当一束近共振的线偏振光平行于外加纵向磁场通过Rb气室时,由于反常色散其偏振面发生偏转。     

风险评估作业许可证系统(RAP)的开发与应用

本文结合风险评估作业许可证系统(简称RAP系统)在中国石油天然气股份有限公司独山子石化分公司的实施,简要分析了石化企业的现场作业管理现状,概述了RAP系统的结构、功能,重点介绍了RAP系统的作业许可证流程和系统相比手工开票的优越性,对石化企业的安全作业有着一定的指导意义。     

无位错Si单晶剖析(二)

一、引言 报导C·Z法和F·Z法生长无位错Si单晶的早期作者,都未报导过外形表征,如鼓棱(ridge-like bulges)。后来,国内外有关文献虽然也叙述了外形特征和现象,但对于结晶过程的微观机理都未讨论过。到了七十年代,西泽润一寺崎健等人对Si(111)原子排列优先方向的讨论,和T.F.Ciszek对F.Z晶体鼓棱的分析,才初步对微观机理问题有了一些认识。国内,近年来对此问题也有些看法,认为鼓棱是倾斜的(111)小平面的生长、合适的应力作用等等。迄今为止,国内外对此问题并无文献系统地分析和总结,同时在实际工作中又出现许多现象,用现有文献的分析结论是无法解释的。例如,无位错Si单晶有时无鼓棱、有时鼓棱处又呈晶带状、有时晶体呈蛇形,而且有时鼓棱有一条、两条或三条,甚至有六条之多。以上这些现象,仅用目前的观点对(111)上Si原子排列结晶动力学的特性是无法解释的。本文则是考虑〔111〕生长对(111)上各晶向Si     

无位错Si单晶剖析(三)

一、引言 近年来,国内外研究者对无位错Si单晶中的微观缺陷,都十分重视,已发表了比较系统的研究报告。应当说,无位错晶体的制备成功,这标志着科学研究工作向完整的理想的晶体已经跨进了一大步了。相对于有线缺陷的有位错晶体来说,无位错晶体的结构已比较完整了,但是,它的晶格还不是完整无缺的。到目前为止,人们借助于腐蚀法,X光貌相术,透射电子显微镜等手段,发现无位错Si单晶中还存在有结构缺陷,如位错环、生长条纹、杂质团、空位团以及不希望的杂质O,C,N等。上述这些发现,给科技工作者又提出了新的任务,要继续向完美晶体结构进军。国内在这方面的工作已有进展,都观察到了Si晶体中有严重的微观缺陷,并积极进行探讨。从目前来看,国际上在研究工作中所借助的手段有:(1)腐蚀法,(2)红外显微镜(IRM)配以缀蚀工艺,     

掺Sn-InP单晶的制备(摘要)

由于InP单晶材料在微波器件和光电器件等方面的应用,使InP单晶得到迅速的发展。英国MR公司利用LEC方法已生产出φ80mm,重3Kg的InP单晶。yasuo Seki等人利用杂质钉扎效应已拉出重掺(Zn,s)低位错和无位错InP单晶。国内近几年,在多晶合成和单晶制备等方面也取得较大进展。本实验采用L4316Ⅱ/ZF型高压单晶炉,对掺Sn-InP单晶进行了研制。在φ60mm的石英坩埚中,装100—130克InP多晶和45克B_2O_3,掺0.1%重量的Sn。拉晶时炉内压力     

Nd_XLa_(1-X)P_5O_(14)单晶的合成与研究

由于集成光学的需要,提出建立有效薄膜激光器的任务。Nd~(3 )离子是固体激光器中使用最广的激活离子之一。Nd~(3 )作为激活离子除优点外,还有固有严重缺点。实际上,在所有已知的基质中,当激活离子大于1～2％原子时,在很大程度上会发生荧光猝灭。当建立小型激光器时这就不可能使激活元件吸收所需要的光密度。近年来国外杂志上出现关于NdxLa_(1-x)p_5O_(14)晶体的合成及激光和光谱性能研究的报道。如资料[1]在300～900毫微米区获得了吸收光谱并报道了~4F_(3/2)→~4I_(9/2)和     

砷酸二氢铯单晶的生长

一、引言 砷酸二氢铯CsH_2AsO_4(简称CDA)单晶属于四方晶系,空间群为42m。它是具有电光、倍频等效应的非线性晶体。 目前,用于高功率钕激光器二次谐波发生的非线性晶体有:铌酸钡钠、铌酸锂、碘酸锂、磷酸二氘钾、砷酸二氢铯、砷酸二氘铯等。其中最成功的是CDA和DGDA。这是由于在高功率下,它们的倍频转换效率高,能承受较高的功率密度,光损伤阈值大于500兆瓦/厘米~2。此外,CDA不仅能够实现90°的相位匹配,而且还有较大的接收角     

氢在GaAs(110)表面吸附的研究

采用EHMO方法计算了氢在GaAs(110)表面的吸附,确定了氢原子在表面的吸附位置.计算结果表明,Ga与As都能吸附氢原子,最稳定的吸附位置在As的悬键位,其次为Ga的悬键位;氢与表面原子形成共价键,键长均约为1.32A|°.当氢原子吸附于As的悬键位时,禁带中出现由As原子及Ga原子引入的表面态.同时计算表明GaAs(110)表面不能吸附分子态的氢,与已知的实验结果相符.     

Hg_(1-x)Cd_xTe 的单晶生长

采用一种新的晶体生长方法已得到体积为3厘米~3左右的Hg_(1-x)Cd_xTe单晶。文内探讨了这种新方法用于Hg_(1-x)Cd_xTe时的详细实验情况,并提出了单晶生长机理,它包括从双相混合物中结晶及随后的固体再结晶。根据电子束微探针分析以及电性能和磁光谱,证明材料质量很高。     

Bi_(12)SiO_(20)单晶的质量及晶形控制

本文报道了我所已研制成φ30—40mm等径长度达100mm左右的Bi_(12)SiO_(20)优质单晶,对He-Ne激光的响应快于国外同类产品.在坩埚上方设置一个简易的热辐射刚玉管,解决了Bi_(12)SiO_(20)晶体等径初段的云层及等径尾段的螺形扭曲等,讨论了该问题解决的机理.     

聚邻苯二甲酸二乙酯(Poly Diethyl-O-Phthalate)的红外吸收特性

我们自行制备的中分子量线性聚合物聚邻苯二甲酸二乙酯薄膜,在测量中发现该薄膜具有较宽的红外吸收光谱,尤其在3～5μm和8～14μm的波段内有较强的吸收峰。该聚合物具有结构的对称性和键的刚度低等特点,故极易溶于某些有机溶剂,可配制成涂料,使用方便。它有可能作为一种消除目标和背景之间红外辐射差别的多波段红外对抗伪装涂料,起到隐蔽目标的作用。一、制备利用缩聚反应,可以制得该聚合物。将一克分子的乙二醇和0.5克分子的邻苯二甲酸酐     

无籽晶Pb_(1-x)Sn_xTe大单晶生长的研究

用升华法在密封安瓿的石英表面长成了Pb_(1-x)Sn_xTe(x～0.20)大单晶。利用初始次临界过冷,使单晶籽晶在原位置上接近平衡的条件下成核,从而可以快速长成优质单晶。未经处理装料中的游离成分对缺陷浓度,即:。夹裹物、孔洞、位错和低角晶界影响很大。退火装料中的过量Te(δ～0.01克分子％)对由汽-固机理成核是必要的,在适当的热条件下就能生成优质单晶。这种晶体的表观生长速率在所研究的整个过冷范围内(O≤△T≤25℃)与△T呈线性关系,且装料偏离化学配比对它影响很大。发现生长取向对总的生长速率影响不明显。本文还对晶体特性和晶体生长中可能存在的驱动力作了定性讨论。     

硅酸铋(BSO)单晶缺陷检测与分析

本文介绍Bi_(24)Si_2O_(40)单晶的缺陷种类、形状和检测方法,给出了缺陷的对应照片,从单晶的结构原理对照片中的缺陷形状进行了分析讨论.     

ZnSe单晶的热壁外延生长(英文)

We have successfully grown a ZnSe single crystal film on GaAs(100) by hoi wall epitaxy. We confirmed that the epilayer is ZnSe single crystal from the analysis of scanning eletron microscopy and X-ray diffraction. The strong near-band-edge emission is found in the PL spectra and the Es-band related to free exiton is also very strong. They are much stronger than the deep center band emission, which shows the perfection of the epilayer. We have also studied the ZnSe/GaAs interface by AES and XPS.     

氢吸附开口碳纳米管场发射密度泛函研究(英文)

利用第一性原理密度泛函的方法对氢分子吸附开口碳纳米管的场发射性质进行了综合研究,建立了(5,5)开口碳纳米管吸附不同氢分子数量的吸附模型,并对加电场和未加电场下的模型进行了吸附能、最高占有分子轨道-最低未占分子轨道(HOMO-LUMO)帯隙及诱导偶极矩的计算和分析。计算结果表明吸附能随着电场的增加而变大,吸附稳定性增强。吸附氢分子的碳纳米管在施加外电场后,HOMO-LUMO帯隙明显减小,费米能级附近的局域态密度随着氢分子的吸附而增加。氢分子对碳纳米管的吸附可以在其尖端表面产生诱导偶极矩,导致电荷由碳纳米管向氢分子大量转移,从而驱使电子由碳纳米管尖端发射到真空中,提高了碳纳米管的场发射性能。     

单晶钙钛矿的制备及应用研究进展(续)

<正>3单晶钙钛矿的应用单晶钙钛矿作为一种优异的光电材料,广泛应用于光电探测器、太阳电池、光泵浦激发和辐射探测等光电子器件中。3.1光电探测器光电探测器是一种可以将光信号转变为电信号的装置,在图像感知、环境监测、导弹预警、生物检测和通信等很多领域应用广泛。传统的光电探测     

生长Pb_(1-x)Sn_xTe单晶的新方法

用气相输送外延技术可以相对容易地在氟化钡衬底上取向生长碲锡铅块状单晶。用这种方法已生长了不同Pb、Sn和Te组分的漏斗形和园柱形晶体。生长速率已达到2克/天。晶体具有良好的冶金和x射线衍射特性。     

氢掺杂C_(60)薄膜的电导性质研究

本文报道了用微波等离子法制备氢掺杂Ｃ６０薄膜．直流电导测量表明,室温下掺杂的电导率要比未掺杂膜的大５个量级．经５７３Ｋ温度退火后,掺杂膜的电导接近,但仍要高于本征膜的电导率,说明仍有少量的氢留在薄膜中．