LL8.209.1003刀具表面Al2O3陶瓷爆炸喷涂工艺及其界面初析

本文分析了测试爆炸喷涂获得Ａｌ２Ｏ３／Ｃｒ１２ＭｏＶ界面层的微 性能。试验结果表明Ａｌ２Ｏ３／Ｃｒ１２ＭｏＶ界面层中Ｆｅ,Ｃｒ,Ａｌ等元素呈梯度分布,界面层内存在着海绵状结构。同时,Ａｌ２Ｏ３／Ｃｒ１２ＭｏＶ存在界面反应。     

Gd3Ga5O12:Ag薄膜电致发光浓度和退火温度特性的研究

本文研究了Ａｇ＾＋的浓度对Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２薄膜光致发光和电致发光的影响。当Ａｇ＾＋沈度达到０．２ａｔ＾,薄膜的光发生很强的淬灭,但是电致发光的淬灭肖度却达１ａｔＴ％,通过对不同浓度的薄膜样品的吸收光谱的测量,发现随着Ａｇ＾＋的浓度的升高,吸收边生红移。由于Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ａｇ薄膜电致发光有一部分是属于逞间激发,所以电致发光的淬灭浓度要比光致发光高。Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ａｇ薄膜的退火有助于提高     

用流延法生产优质Al2O3陶瓷基板

讨论了流延法生产Ａｌ２Ｏ３陶瓷基板中影响度公差，表面粗糙度和产生干燥缺陷的各种因素，提出改进的措施与途径。从而稳定地大批量生产无缺陷的优质Ａｌ２Ｏ３基板。     

掺杂硅酸铋晶体的生长及吸收光谱的研究

用提拉法生长了质量较高的Ａｌ∶Ｂｉ１２ＳｉＯ２０和Ｃｒ∶Ｂｉ１２ＳｉＯ２０（简称Ａｌ∶ＢＳＯ和Ｃｒ∶ＢＳＯ）晶体，测定了掺杂ＢＳＯ晶体的吸收光谱。首次发现：Ａｌ∶ＢＳＯ（摩尔比）为０．１％的晶体的透过率（８０％）远高于纯ＢＳＯ晶体的透过率（７０％）；Ｃｒ∶ＢＳＯ晶体中除Ｃｒ３＋外，还存在少量Ｃｒ４＋     

Al_2O_3-WO_3材料的激光合成研究

采用大功率ＣＯ２激光器合成出了Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料。测量其阻－温特性表明合成样品具有线性的ＮＴＣ热敏电阻特性，微观分析结果证明激光合成样品由Ａｌ２Ｏ３、ＷＯ３、Ａｌ２（ＷＯ４）３、ＡｌｘＷＯ３四相组成，而起导电作用的是ＡｌｘＷＯ３这一非平衡反应产物。常规烧结工艺合成Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料所得试样没有线性的ＮＴＣ热敏电阻特性。     

一种10位20MS／s3v电源CMOsA／D转换器

一种１０位２０ＭＳ／ｓ３ｖ电源ＣＭＯｓＡ／Ｄ转换器＝Ａ１０ｈｉｔ２０ＭＳ／ｓ３ＶｓｕｐｐｌｙＣＭＯＳＡ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｅｒ［刊，英］／Ｉｔｏ，Ｍ…／／ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｌｒｃｕｌｔｓ，－１９９４，２９（１２）．－１５３１～１５３６...     

生长气氛对Ti~（3＋）：Al_2O_3单晶光纤质量的影响

在不同性质的气氛下，用激光加热基座法（ＬＨＰＧ法），生长Ｔｉ３＋：Ａｌ２Ｏ３单晶光纤。作了显微观察，拍摄了透视照片，同时对其钛离子浓度进行了光谱定量分析．并研究了不同性质的气氛对Ｔｉ３＋：Ａｌ２Ｏ３单晶光纤的内部缺陷（气泡，散射颗粒等）、外部形貌、钛离子浓度的影响。     

激光合成Al_2O_3-WO_3陶瓷材料的显微分析

用Ｘ射线衍射等技术分析了激光合成Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料，结果表明在激光合成样品中形成柱状晶，而常规工艺和Ｎ２气氛中烧结样品不含有柱状晶，柱状晶的成分主要是Ａｌ２Ｏ３。进一步的分析表明Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷合成样品的导电相是ＡｌｘＷＯ３。     

纳米粉添加剂对Al2O3陶瓷烧结性能及微结构的影响

用纳米ＺｒＯ３作为烧结助剂加入Ａｌ２Ｏ３陶瓷中,研究其对Ａｌ２Ｏ３陶瓷烧结性能及显微结构的影响。结果表明,纳米ＺｒＯ２的加入可以提高Ａｌ２Ｏ３陶瓷的烧结活性,降低烧结温度,当纳米ＺｒＯ２的加入量达到９ｖｏｌ％时,Ａｌ２Ｏ３陶瓷在１６００℃以下就可烧结致密,此外,纳米ＺｒＯ２的加入,对Ａｌ２Ｏ３陶瓷的显微结构也产生影响。在纳米ＺｒＯ２加入量较少时,ＺｒＯ２粒子以“晶内型”和晶界型两种形式存在;而当ＺｒＯ２加入量达到９ｖｏｌ％时,其主要位于四个Ａｌ２Ｏ３晶粒相交的晶界上,阻碍了Ａｌ２Ｏ３晶粒的异常长大,从而获得细晶结构的Ａｌ２Ｏ３陶瓷材料。     

生长气氛对Ti^3＋：Al2O3单晶光纤质量的影响

在不同性质的气氛下，用激光加热基座法，生长Ｔｉ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３单晶光纤，作了显微观察，拍摄了透视照片，同时对其钛离子浓度进行了光谱定量分析。并研究了不同性质的气氛对Ｔｉ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３单晶光纤的内部缺陷（气泡，散射颗粒等）、外部形貌、钛离子浓度的影响。     

一种分区式高速12位A／D转换器

介绍了一个高速１２位分区式Ａ／Ｄ转换器的设计。电路采用“３位＋３位＋８位”的三级分区式结构。其中的８位ＡＤＣ为折叠插入式ＡＤＣ，误差校正采用模拟校正、数字编码形式。采用２μｍＢｉＣＭＯＳ设计规划设计的电路，经ＰＳＰＩＣＥ仿真，在±５Ｖ电源下，采样频率高达３ＭＨｚ。     

L12－（Al，Ag）3Ti向DO23－Al11Ti5相分解的电镜观察

Ｌ１２－（Ａｌ，Ａｇ）３Ｔｉ向ＤＯ２３－Ａｌ１１Ｔｉ５相分解的电镜观察田文怀杨海春根本实＊（北京科技大学材料物理系，北京１０００８３）（＊九州大学（日本））Ａｌ３Ｔｉ由于比ＴｉＡｌ具有更好的抗氧化性能，且具有密度小，熔点高（１３４０℃）的优点，作为新...     

晶体、薄膜及其它功能材料

４晶体、薄膜及其它功能材料９５２３４光学电压传感器用Ｂｉ＿４Ｇｅ＿３Ｏ＿（１２）单晶的电光效应──ＫａｍａｄａＯ．ＪｐｎＪＡｐｐＬＰｈｙｓＰａｒｔ１，１９９３；３２（９Ｂ）：４２８８～４２９１研究了与光学电压传感器的灵敏度相对应的Ｂｉ＿４Ｇｅ＿３Ｏ＿...     

S12BCG创建流程及应用

Ｓ１２（７版本）可增加虚拟网功能,将一定数量的公网用户提供给某一单位,这些用户有两个号码,既具有公网号码（７位或８位）,又具有内部定义的号码（如３位４位等）。这些用户在Ｓ１２中被称为ＢＣＧ用户（ＢＵＳＩＮＥＳＳＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮＧＲＯＵＰ）,...     

日本三菱电机公司成功地研制出最高速SRAM

日本三菱电机公司成功地研制出最高速ＳＲＡＭ日本三菱电机公司采用最新０．４μｍ的工艺，成功地研制出２５６ｋ位高速ＳＲＡＭ和１Ｍ位的高速ＳＲＡＭ，且已在市场上出售。一般，ＣＭＯＳ结构的ＳＲＡＭ在３．３Ｖ电压下，存取时间为１５ｎｓ，存取时间在１２ｎｓ以下的...     

双层电极有机电致发光器件

主要讨论了在有机双层电致发光器件 Ｉ Ｔ Ｏ／ Ｔ Ｐ Ｄ／ Ａｌｑ３／ Ａｌ 的 Ａｌｑ３／ Ａｌ 界面处引入绝缘材料 Ａｌ２ Ｏ３ 薄层对器件性能的影响。实验发现具有双层电极 Ａｌ２ Ｏ３／ Ａｌ 的器件发光效率比单层电极 Ａｌ 的器件效率提高了六倍多,这是由于 Ａｌ２ Ｏ３ 薄层的引入,降低了界面的表面态密度,提高电子的注入能力,有效地提高了激子的辐射复合几率所致     

改性钛酸铅压电陶瓷

研究了ＸＰｂＴｉＯ３＋ＹＬａ２／３ＴｉＯ３＋Ａ％ＭｎＯ２（质量比）＋Ｂ％Ｂｉ２Ｏ３（质量比）钛酸铅材料，结果表明对ＡＢＯ３钙钛矿型结构的ＰｂＴｉＯ３的Ａ位取代，并添加适量的氧化物杂质，选择合适的工艺条件，得到了性能优良适用于制作高频元件的钛酸铅材料。     

铁电材料Bi4Ti3O12及应用

叙述了Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２材料的结构、性质和制备方法，并对Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２铁电薄膜的研究现状和应用前景作了简单分析。     

钛酸铋薄膜的室温脉冲激光沉积研究

在室温下,采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在７．６２ｃｍＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）衬底上制备了钛酸铋（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）薄膜。Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和扩展电阻技术（ＳＲＰ）来分析、表征;采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）技术研究了薄膜的退火特性。研究发现单独用常规退火或快速退火热处理的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜中较容易出现Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７杂相;而采用常规退火和快速退火相结合的方法,较好地解决了杂相出现的问题,得到相结构和结晶性完好的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜。透射电子显微镜实验和扩展电阻实验表明,室温下制备的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜具有良好的表面和界面特性。     

3CaO·3A1＿2O＿3·BaSO＿4浆体结构的SEM研究

利用ＳＥＭ研究了在掺与不掺石膏的条件下，新水泥熟料矿物３ＣａＯ·３Ａ１＿２Ｏ＿３．ＢａＳＯ＿４的水化产物及其浆体结构。纯３ＣａＯ·３Ａ１＿２Ｏ＿３．ＢａＳＯ＿４水化很快，具有致密的浆体结构，从而具有很高的抗压强度。掺入石膏后，３ＣａＯ·３Ａ１＿２Ｏ＿３．ＢａＳＯ＿４的水化反应受到阻碍，使浆体孔隙率上升，强度下降。含钡硫铝酸盐水泥不应与石膏混合使用。