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低噪声可变增益放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
文中介绍了以AD603为核心构成的低噪声可变增益放大器的实用电路。通过模式选择、引肢编程,可选择不同的带宽,以及得到不同的增益。通过对增益控制方式的选择,可得到最佳信噪比。具有性能好、电路简单、设计方便等特点。 相似文献
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文中介绍了以AD603为核心构成的低噪声可变增益放大器的实用电路,通过模式选择、引脚编程,可选择不同的带宽,以及得到不同的增益.通过对增益控制方式的选择,可得到最佳的信噪比. 相似文献
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根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理,设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真,研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6~9 GHz频率范围内,1 dB压缩点输出功率大于33 dBm,当控制电压在-1~0 V之间变化时,放大器的增益在5~40dB之间变化,增益控制范围达到了35 dB。将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上,面积仅为3.5 mm×2.3 mm,具有灵活易用、集成度高和成本低的特点,可广泛应用于卫星通信和数字微波通信等领域。 相似文献
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低噪声可变增益放大器的性能及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
AD603是美国AD公司推出的主要应用于射频和中频自动增益控制系统的一种低噪声、压控增益放大器。详细介绍AD603的工作原理、噪声特性、模式选择、增益控制方法,提出几个AD603级联使用的方法,最后介绍低噪声自动增益控制放大器的设计原理及实际应用电路。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2004,24(1):9-9
南京电子器件研究所于 2 0 0 2年已研制出 WFD0 0 2 0型 2~ 8GHz Ga As单片可变增益低噪声放大器芯片。该放大器采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5 μm PHEMT标准工艺制作而成。它由三级放大器和一个衰减器组成由 7个 PHEMT、若干无源元件组成 ,高度集成在 3.6mm× 2 .2 mm的 Ga As衬底上。三级放大器的电源为 + 5 V,放大器芯片的增益可以由衰减器控制。衰减器连接在第二和第三级放大器之间。测得该芯片工作频率范围为 2~ 8GHz,在零衰减时 ,整个带内增益大于 2 5 d B,噪声系数不大于3.5 d B,增益平坦度小于± 0 .75 d B,输… 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2004,24(3):336-336
南京电子器件研究所于 2 0 0 2年已研制出 WFD0 0 2 0型 2~ 8GHz Ga As单片可变增益低噪声放大器芯片。该放大器采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5 μm PHEMT标准工艺制作而成。它由三级放大器和一个衰减器组成 ,采用 7个 PHEMT、若干无源元件组成 ,高度集成在 3.6mm× 2 .2 mm的 Ga As衬底上。三级放大器的电源为 +5 V,放大器芯片的增益可以由衰减器控制。衰减器连接在第二和第三级放大器之间。测得该芯片工作频率范围为 2~ 8GHz,在零衰减时 ,整个带内增益大于 2 5 d B,噪声系数不大于 3.5 d B,增益平坦度小于± 0 .75 d… 相似文献
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AD8370是美国AD公司推出的一种低成本、数字控制的可变增益放大器,它具有高IP3和低噪声系数以及优良的失真性能和较宽的带宽,可以广泛应用于差分ADC驱动器、IF采样接收器、射频/中频放大中间级、SAW滤波器接口、单端差动转换器中。文章介绍了AD8370的基本原理及应用设计方法。 相似文献
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2~8 GHz微波单片可变增益低噪声放大器 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了一种微波宽带 Ga As单片可变增益低噪声放大器芯片。该芯片采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5μm PHEMT标准工艺制作而成。工作频率范围为 2~ 8GHz,在零衰减时 ,整个带内增益大于 2 5d B,噪声系数最大为 3 .5 d B,增益平坦度小于± 0 .75 d B,输入驻波小于 2 .0 ,输出驻波小于 2 .5 ,输出功率大于 1 0d Bm。放大器增益可控大于 3 0 d B。实验发现 ,芯片具有良好的温度特性。该芯片面积为 3 .6mm× 2 .2 mm。 相似文献
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CMOS宽带线性可变增益低噪声放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
文章设计了一种48MHz~860MHz宽带线性可变增益低噪声放大器,该放大器采用信号相加式结构电路、控制信号转换电路和电压并联负反馈技术实现。详细分析了线性增益控制、输入宽带匹配和噪声优化方法。采用TSMC0.18μm RF CMOS工艺对电路进行设计,仿真结果表明,对数增益线性变化范围为-5dB~18dB,最小噪声系数为2.9dB,S11和S22小于-10dB,输入1dB压缩点大于-14.5dBm,在1.8V电源电压下,功耗为45mW。 相似文献
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AD8022是ADI公司生产的双重高速低噪声运算放大器,它具有低噪声、低功耗,低失真等特点,可以作为各种数字用户线的接收放大器。文中介绍了AD8022的技术性能和工作原理,给出了用AD8022组成的差动输入Sallen-Key滤波器的应用电路。 相似文献
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由于音频信号在无线传输过程中受到各种干扰,所以损耗比较大,在接收端接收到音频信号以后,首先要对比较微弱的音频信号的电平或者幅度进行一定程度的放大.低噪声放大器(LNA)的主要作用是对通过选频网络的音频小信号进行放大,给予其电平或幅度一定的增益.结合AD8332和AD8368芯片,设计了一种应用在无线音频接收机电台的低噪声放大器(LNA). 相似文献
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低功耗单双电源供电的轨对轨仪表放大器AD627 总被引:1,自引:0,他引:1
AD627是美国ADI公司出品的仪表放大器,它采用单双电源供电,具有轨对轨输出,并可用一个外部寄存器设定增益。可用于低功耗医用检测设备、热电耦放大器和便携式电池供电等仪器中。文章介绍了AD627的主要技术性能、工作原理、应用设计以及应用电路。 相似文献
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设计了一种工作频率为2.4 GHz的低功耗可变增益低噪声放大器。针对不同的增益模式,采用不同的设计方法来满足不同的性能要求。在高增益模式下,通过理论分析,提出了一种新的定功耗约束条件下的噪声优化方法,考虑了栅匹配电感的损耗和输入端口的各种寄生效应,给出了简明而有效的设计公式和设计过程。在低增益模式下,提出了一种改进线性度的方法。采用TSMC 0.18 μm CMOS RF工艺进行了设计。后仿真结果表明,在功耗为1.8 mW时,最高增益为35 dB,对应的噪声系数为1.96 dB;最低增益为5 dB,对应的输入3阶交调点为3.2 dBm。 相似文献
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钟国发 《固体电子学研究与进展》1985,(3)
本文描述了利用双栅MESFET作宽带可变增益放大器的原理.业已制成的二级级联放大器,利用双栅MESFET控制,在20MHz带宽内(1dB带宽)增益可从6~36dB连续变化,而其输出的中心频率和通带特性保持不变. 相似文献
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该文提出了一种新型的自适应偏置及可变增益低噪声放大器(LNA),利用电荷泵(亦称电压倍增器)将LNA输出信号转换成与LNA射频输入信号功率成比例变化的直流信号,以此信号同时反馈控制LNA的偏置和增益,来实现自适应偏置以及可变增益低噪声放大器, 从而极大地改善了LNA的输入线性范围。鉴于5GHz频率下,Bipolar相对于CMOS更好的频率特性和低噪声特性,该项研究采用了BiCMOS工艺,实现了低于3.0dB的噪声系数(高增益状态下)和大约13dBm的输入三阶交调点IIP3的控制范围以及大于15dB的增益控制范围。 相似文献
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设计了一款工作在2.4GHz的可变增益CMOS低噪声放大器,电路采用HJKJ0.18μm CMOS工艺实现。测试结果表明,最高增益为11.5dB,此时电路的噪声系数小于3dB,增益变化范围为0~11.5dB。在1.8V电压下,电路工作电流为3mA。 相似文献