湿法刻蚀应对圆片减薄后翘曲问题的探讨

随着微电子产业的发展,圆片直径越来越大、厚度越来越薄。一些本来不被关注的问题逐渐凸现出来。当150mm、200mm甚至300mm的圆片被减薄到200μm或者200μm以下时,圆片本身的刚性将慢慢变得不足以使其保持原来平整的状态。文章从圆片减薄后产生翘曲的直观表象入手,分析了产生翘曲问题的根本原因,采用湿法刻蚀的方式去除了圆片因减薄形成的背面损伤层,改善了圆片减薄后的翘曲问题。     

3D封装中的圆片减薄技术

随着微电子工业迅猛发展,圆片直径越来越大,当150mm、200mm甚至300mm英寸圆片被减薄到150μm以下时,圆片翘曲和边缘损伤问题变得尤为突出。超薄减薄技术是集成电路薄型化发展的关键技术,它直接影响电路的质量和可靠性。文章从超薄圆片减薄中常见的圆片翘曲和边缘损伤造成的损失出发,分析了圆片翘曲和边缘损伤的原因,提出了相应的改善措施。     

薄片划片微损伤与芯片断裂强度探讨

超薄圆片的减薄、划片技术是集成电路封装小型化的关键基础工艺技术,随着减薄后化学机械抛光（CMP）、旋转腐蚀、干法刻蚀或干法抛光等释放应力技术被广泛采用,减薄造成的圆片背面损伤几乎为零,所以划片造成的微损伤对芯片断裂强度的影响变得越来越突出。本文分析了影响芯片断裂强度的主要原因,对薄片划片微损伤的来源、危害及解决方法进行了探讨。同时,着重介绍了一种新的激光划片方式,即喷水波导激光（LMJ）划片法。     

新型微电子封装技术

本论文综述了自二十世纪九十年代以来迅速发展的新型微电子封装技术,包括焊球阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SIP)等项技术。同时,叙述了微电子三级封装的概念。并对发展我国新型微电子封装技术提出了一些思索和建议。     

圆片级组装、测试一体化的后道工艺

<正> 为了在半导体后道制造工艺中有效地应用摩尔比例缩小定律,必须要有一体化的圆片级封装工艺,并且,它可以以圆片的形式进行测试、老化和其它操作。到目前为止,已有多种圆片级封装技术的报导,但几乎都没有涉及到圆片级的测试和老化问题。一种新的技术可以使圆片级 CSP(芯片尺寸封装)、圆片级测试和最终组装一体化。其核心技术是直接在圆片上制作微弹簧接触器。这类接触器已被25个以上半导体厂家和测试工厂广泛用于高平行度探针卡上。圆片上的接触器,在老化和测试中被用作柔性弹性接触接口,在组装中被用作一级互连——焊接或插接芯片到衬底上。     

300mm圆片技术发展掠影

３００ｍｍ硅圆片技术的开发，是今后几年内半导体工业界的主要任务之一。该产业的各个方面，从原料多晶硅的加工到封装设备，都必须适应大圆片的出现。该文扼要地介绍了３００ｍｍ圆片技术面临的许多挑战，圆片工艺装备的自动化与控制和标准化问题，以及开发的进展情况。     

圆片背面超薄研磨技术研究

一、前言随着集成电路向VISI和ULSI方向发展，集成电路圆片不断增大，芯片面积也向着更大的趋势发展。鉴于IC电路性能是在“前工序”所决定，因此常被人们所注目。但是，随着器件性能的提高，IC电路功能复杂化，高集成度化，对可靠性要求愈来愈高。从而“后工序”——组装才开始为人们所重视，而在组装工序中，图片背面减薄对提高IC尤其是功率集成电路的可靠性降低热阻，提高成品率等又起着至关重要的作用。因此我们开展了圆片背面超薄研磨技术研究。二、圆片背面研磨的功能1）可去掉圆片背面的氧化物，保证芯片焊接时具有良好的粘接…     

多个叠层芯片封装技术

叠层芯片封装在与单芯片具有的相同的轨迹范围之内,有效地增大了电子器件的功能性, 提高了电子器件的性能。这一技术已成为很多半导体公司所采用的最流行的封装技术。文章简要叙述了叠层芯片封装技术的趋势、圆片减薄技术、丝焊技术及模塑技术。     

圆片级真空封装技术在MEMS陀螺中的应用

为维持MEMS硅微陀螺的真空度,利用两次硅-玻璃阳极键合和真空长期维持技术,实现了MEMS硅微陀螺的圆片级真空气密性封装。制作过程包括:先将硅和玻璃键合,在硅-玻璃衬底上采用DRIE工艺刻蚀出硅振动结构;再利用MEMS圆片级阳极键合工艺在10-5 mbar(1 mbar=100 Pa)真空环境中进行封装;最后利用吸气剂实现圆片的长期真空气密性。经测试,采用这种方式制作出的硅微陀螺键合界面均匀平整无气泡,漏率低于5.0×10-8 atm.cm3/s。对芯片进行陶瓷封装,静态下测试得出品质因数超过12 000,并对样品进行连续一年监测,性能稳定无变化。     

用激光刻划半导体圆片

在微电子元器件生产中，必须把一定结构的半导体圆片划成单片。划片不是使用金刚石刀，就是使用旋转的切割盘。当金刚石锯的工艺变量、刻划力和断裂压力已知且能受控时，后一种方法的生产率很高，划片率几乎达100%。金刚石刀和切割盘在半导体圆片上除了腐蚀材料外，还产生足够大的机械应力,使圆片在垂直于刻划力的作用下被划开。剩余应力横向延伸到供使用的活动隔片为止、从而使相邻元器件免受损伤。     

超级CSP—一种晶圆片级封装

研究了圆片级芯片尺寸封装。使用再分布技术的圆片级封装制作了倒装芯片面阵列。如果用下填充技术，在再分布层里和焊结处的热疲劳应力可以减小，使倒装芯片组装获得大的可靠性。     

光电器件

白光功率SMD LED SMD LED VLMW63系列和VLMW64系列是采用CLCC-6及CLCC-6扁平陶瓷封装的高强度白光功率。上述系列器件均提供基于蓝宝石InGaN/TAG技术、2240～5600mcd的高光功率。新型VLMW63系列采用     

圆片等离子划片工艺及其优势

等离子划片是近年来兴起的一项新型圆片划片工艺。与传统的刀片划片、激光划片等工艺不同,该工艺技术可以同步完成一张圆片上所有芯片的划片,生产效率明显提升,是对现有划片工艺的一个颠覆。介绍了圆片划片工艺的工作原理、技术特点及其优势,并对其在解决圆片划片应用中的典型问题和不足之处进行了讨论。     

日推出300mm圆片线切割机

日推出３００ｍｍ圆片线切割机据日刊电子村料最新（９６．７）介绍，日本日平外山公司最近研制成功ｅｄ００ｍｍ１２英寸圆片切片机ｃ该机采用了全新的线切割技术，解决了用传统的内圆切片机切割大直径圆片中，大直径内圆刀片的制作困难。这台新机器的型号为“ＭＷＭ４４...     

有机源CVD法综述—兼作本专辑前言

本辑是采用有税源的化学汽相淀积（CVD）技术专辑，而有机源尤指四乙氧基硅烷Si（OC2H5）4——tetraethoxysilane，缩写简称TEOS。采用TEOS的CVD技术有TEOS－O3系常压CVD技术，TEOS－O3系等离子CVD技术，TEOS－H2O系LPCAD（低压CVD）技术，偏压ECR（电子回旋共振）CVD技术……。这些新的CVD技术的开发旨在解决深亚微米（＜0．5um）的成膜质量、台阶复盖性及平坦化问题。由于大规模集成电路的不断高集成化、加工微细化、多层布线及结构三维化，使得各和股的台阶高差增大、刻蚀条的深度饭度纵横尺寸比也越来越大，因而…     

圆片级老化的新技术

莫托洛拉公司 ,东京电子等三家公司发表了可进行圆片级老化的先进新技术。靠着此技术而使最先进的半导体制作工艺中的测试工序简略化及复合化 ,其成本控制约为 15 % ,制作周期缩短约 2 5 %。此项新老化测试是采用“东京电子”的圆片探针技术 ,对作在圆片上的各芯片在进行 12 5～ 15 0℃之间温控的同时 ,可加电负荷。最初 ,此技术用于高性能器件中采用“凸焊点”方式用接触技术半导体制品 ,最终却几乎适于所有的半导体。此项新技术是 :将做好电路图形的圆片放置在高平坦度的热卡盘上 ,然后使数千引脚的接触用探头与圆片对位。实际的接触是借…     

FOW在叠层CSP封装中的应用

随着电子封装微型化、多功能化的发展,三维封装已成为封装技术的主要发展方向,叠层CSP封装具有封装密度高、互连性能好等特性,是实现三维封装的重要技术。针对超薄芯片传统叠层CSP封装过程中容易产生圆片翘曲、金线键合过程中容易出现0BOP不良、以及线孤（wireloop）的CPK值达不到工艺要求等问题,文中简要介绍了芯片减薄方法对圆片翘曲的影响,利用有限元（FEA）的方法进行芯片减薄后对悬空功能芯片金线键合（Wirebond）的影响进行分析,Filmon Wire（FOW）的贴片（DieAttach）方法在解决悬空功能芯片金线键合中的应用,以及FOW贴片方式对叠层CSP封装流程的简化。采用FOW贴片技术可以达到30％的成本节约,具有很好的经济效益。     

C4NP-无铅倒装晶片焊凸形成生产工艺与可靠性数据

受控倒塌芯片连接新工艺是一种由IBM公司开发、由Suss Micro Tec公司推向商品化的新型焊凸形成技术。受控倒塌芯片连接新工艺采用各种无铅焊料合金致力于解决现有的凸台。形成技术限定,使低成本小节距焊凸形成成为可能。受控倒塌芯片连接新工艺是一种焊球转移技术,熔焊料被注入预先制成并可重复使用的玻璃模板(模具)。这种注满焊料的模具在焊料转入圆片之前先经过检查以确保高成品率。注满焊料的模具与圆片达到精确的接近后以与液态熔剂复杂性无关的简单工序转移在整个300mm(或300mm以下)圆片上。受控倒塌芯片连接新工艺技术能够在焊膏印刷中实现小节距凸台形成的同时提供相同合金选择的适应性。这种简单的受控倒塌芯片连接新工艺使低成本、高成品率以及快速封装周期的解决方法对于细节距FCiP以及WLCSP凸台形成均能适用。     

天然金刚石中的位错组态

形成于地幔深部的天然金刚石中的伴错组态，在很大程度上反映了金刚石的地质成因直到地收幔岩石和圈性质及溶化等重要信息。本研究中采用创新技术——反应轰击法减薄金刚石样品，使利用透射电镜直接观察金刚石位错成为可能。     

一种环氧树脂封装方法

1 引言 随着科学技术日新月异的发展，电子产品封装技术也在高速地发展，一般全陶瓷封装都采用环氧树脂进行封装，就是用环氧树脂来密封陶瓷管座与管帽，普通环氧树脂封装的密闭性能不佳，可操作性不强，因而阻碍了大规模批量生产，为了解决这一难题，我们寻找到一种新型环氧树脂，并设计了一套封装方法，新型环氧树脂的密封性和可操作性极强，适合于大批量生产，并能达到气密性要求，在这里对该封装方法进行一个逐步初步的介绍。