JF04F18型SMD管壳微波设计

作为微波电子元器件的重要组成部分,封装外壳不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用,而且还是沟通芯片内部与外部电路的桥梁。随着微电子技术的发展,SMD外壳在微波器件封装上应用越来越广泛,文章以某GaAs单片封装用SMD外壳的微波设计为例,简要介绍了其设计思路与过程。通过仿真数据与实测对比得到结论,合理使用HFSS对封装外壳进行设计,可以有效提高微波管壳的研制效率。     

陶瓷绝缘子的测试与改进

金属墙镶嵌氧化铝陶瓷绝缘子是微波毫米波芯片广泛运用的一种封装外壳形式,而绝缘子则是封装外壳的关键组成部分,它连接了封装外壳内的器件和外部的模块,所以它的特性直接影响所封装器件或模块的微波性能。文章通过对一种现有的镶嵌类封装外壳的陶瓷绝缘子利用电磁场仿真软件HFSS进行微波S参数仿真设计、用普通高温共烧陶瓷（HTCC）工艺加工后,进行测试及改进,减小了陶瓷绝缘子的微波传输损耗和驻波比,从而提高了外壳使用截止频率。     

Cu镀Au腔体气密性封装工艺研究

Cu镀Au腔体是微波器件常用封装载体之一。在目前应用中,Cu镀Au腔体微波器件的气密性封装一直是工程化技术难题,大幅影响了微波器件的可靠性和使用寿命。对基于Cu镀Au腔体的微波器件进行了气密性封装研究,探讨了Cu镀Au腔体实现气密性封装可能的工艺路线。通过比较激光封焊和真空钎焊等传统气密性封装工艺方法,提出了＂小孔密封...     

微波器件金属陶瓷外壳电性能设计及实践——微波器件封装之一

总结了微波器件金属陶瓷外壳的电性能设计理论和实践成果,给出了研制微波器件金属陶瓷外壳的基本流程及设计要素;详细介绍了用于微波器件外壳设计时电容、电感、特性阻抗、延迟等参数的计算公式;根据多年的实践经验,给出了几种行之有效的改善外壳电性能的结构和模式;最后就技改项目、研究装备、外壳所需的基础材料的研究开发和生产、高新技术产业化等问题提出了建议.     

封装外壳散热技术及其应用

微电子器件的封装密度不断增长,导致其功率密度也相应提高,单位体积发热量也有所增加。为此,文章综述了封装外壳散热技术的基本原理、最新发展及其应用,并简要讨论了封装外壳散热技术的未来发展趋势及面临的挑战     

微波高频外壳的设计与制造工艺研究

外壳对于电路而言,在起到机械支撑和环境保护作用的同时,需要将输入/输出信号和电源/地通过封装上的引线实现芯片与外部电子系统的互连。外壳设计与工艺往往影响着被封装系统的微波性能,例如50Ω阻抗的设计、外壳的谐振频率、微波传输线的状态等都是需要在外壳设计与工艺中加以重视的。同时,外壳的可靠性也直接影响到整个封装系统的可靠性,例如外壳的气密可靠性、抗盐雾能力、金属化的强度、引线的抗疲劳弯曲能力等指标决定了外壳的总体可靠性水平。文章以理论分析为基础,结合生产制造的实际情况,以微波高频外壳为例对其设计与制造中应该注意的问题进行了比较详细的阐述。     

微波器件金属陶瓷外壳电性能设计及实践(续)--微波器件封装之一

（上接第2002.11期54页）3实践微波器件外壳电性能设计目标，就是如何降低外壳的电容、电感和电阻，控制特性阻抗，以满足器件要求。但是这些参数往往是相互制约的，如电容和电感、电阻和电容，反馈电容和输入、输出电容等等。因此需要折衷考虑，最终对各参数进行优化。另一方面，由于我们多年来已经成功开发了上百种微波器件外壳，积累了相当多的经验和模式，借鉴这些经验和模式，应用于外壳设计中，无疑是一个捷径。以下是几种行之有效的改善外壳电性能的结构和模式。瓷件外形尺寸/mm13×11×2.37×输入输出电容/pF0.80.71工作频率/GHz3…     

微波混合集成电路小型化技术

介绍了国外小型微波混合集成电路技术的发展概况，电路元件的制造方法，外壳封装及典型产品。     

功率器件管壳的热应力分析

当微电子器件封装中的热应力足够大时 ,常常会导致封装开裂甚至失效 .热应力主要是在制造过程中由于环境温度变化和封装材料热失配而产生的 .因此 ,对封装设计进行热应力估算和可靠性研究是必不可少的 .采用 ABAQUS有限元计算软件 ,对某型混合集成电路的铜基金属功率外壳 ,建立了功率器件封装的三维计算模型 ,进行了应力和变形分析计算 .计算结果为提高封装结构的可靠性和优化封装设计提出了理论依据     

功率器件管壳的热应力分析

当微电子器件封装中的热应力足够大时,常常会导致封装开裂甚至失效.热应力主要是在制造过程中由于环境温度变化和封装材料热失配而产生的.因此,对封装设计进行热应力估算和可靠性研究是必不可少的.采用ABAQUS有限元计算软件,对某型混合集成电路的铜基金属功率外壳,建立了功率器件封装的三维计算模型,进行了应力和变形分析计算.计算结果为提高封装结构的可靠性和优化封装设计提出了理论依据     

A chip-on-board packaged bandpass filter using cross-coupled topological optimised hairpin resonators for X-band radar application

Devices that are compact in design and fabrication continue to draw attention for specific applications that require high performance. A compact elliptic bandpass filter using a cross-coupled topological structure with a hairpin resonator optimised for radar applications is presented in this paper. This work presents the design theory and corresponding semiconductor fabrication processes and describes the chip-on-board packaging method in detail. The proposed design of the bandpass filter can not only reduce the size of the device and result in good RF performance, but the accurate semiconductor fabrication process can also ensure high performance further. In addition, the presented chip-on-board packaging method can greatly enhance the reliability and long-term stability of a microwave device, which rarely introduces RF characteristic interference. The simulated, bare-chip measured and final chip-on-board measured results agreed well, which validated the correctness of the proposed approach.     

实用型5GHz带宽InGaAs／InP PIN光电探测器

设计并研制成功了实用型５ＧＨｚ带宽ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＰＩＮ光电探测器，介绍了限制探测器响应速度的主要因素，微波封装的理论依据，以及所研制器件频率响应的测试结果。     

电子元器件封装技术发展趋势

晶圆级封装、多芯片封装、系统封装和三维叠层封装是近几年来迅速发展的新型封装方式,在推动更高性能、更低功耗、更低成本和更小形状因子的产品上,先进封装技术发挥着至关重要的作用。晶圆级芯片尺寸封装(WCSP)应用范围在不断扩展,无源器件、分立器件、RF和存储器的比例不断提高。随着芯片尺寸和引脚数目的增加,板级可靠性成为一大挑战。系统封装(SIP)已经开始集成MEMS器件、逻辑电路和特定应用电路。使用TSV的三维封装技术可以为MEMS器件与其他芯片的叠层提供解决方案。     

低温共烧陶瓷基板及其封装应用

低温共烧陶瓷LTCC基板是实现小型化、高可靠微波多芯片组件MMCM的一种理想的封装技术一文章对LTCC技术的特点及应用做出了评述,主要介绍国内外LTCC的现状、发展趋势与问题,同时突出强调了LTCC的飞速发展及对微波器件的重要性。     

表面镀层对封帽质量的影响

气密封装工艺技术是混合电路制造的关键技术。在可靠性要求较高的场合,对混合电路产品提出了水汽含量、漏气率和粒子碰撞噪声检测(PIND)合格率的指标要求。封装内部的多余物对电子器件的可靠性带来严重影响。主要从盒体的表面镀层方面进行讨论,分析了不同的金属化结构和不同的镀层厚度对气密封装的影响。实验表明,当封装使用的压力较大时,化学镀镍外壳的镀层容易出现裂纹,造成外壳锈蚀。外壳使用化学镀镍、电镀金结构时,其PIND不合格率较高。当镀层厚度超标时,不仅PIND不合格率较高,也会出现漏气问题。     

微波QFN芯片的SMT技术研究

QFN封装的微波芯片采用一种较新的封装形式,这种封装体积很小,特别适合高密度印刷电路板组装.着重介绍微波QFN芯片的表面组装技术,从QFN的封装形式、PCB的焊盘设计、组装工艺、QFN焊点检测及QFN器件的返修等方面加以详细论述,并对针QFN芯片总结出一套完整的组装技术.     

Microstrip Transmission On Semiconductor Dielectrics

As a result of both a larger number of microwave functions performed by semiconductor devices and a larger number of functions required in modern systems, it has become highly desirable from both the system and the device standpoint to fabricate multiple microwave semiconductor devices on a common substrate. The use of multiple devices in a single package has system and reliability advantages, but there is also offered the possibility of improved performance of the microwave components. This results from the elimination of packaging of each individual element and the ability to place the package interface in a more advantageous position in the circuit. To effect such an improvement, an efficient means of microwave interconnection must be available. The interconnections must have not only low dissipative losses through the microwave region, but be capable of providing the impedances necessary for transformations by the various microwave functions and for circuit resonating elements. The range of impedance commonly required is of the order of 20 /spl Omega/ to 80/spl Omega/. To be compatible with semiconductor materials and processing, the choice of dielectric material was limited to film dielectrics, possibly SiO/sub 2/, or the use of the semiconductor material itself as a dielectric. For both semi-insulating gallium arsenide and silicon of resistivity greater than 1000 /spl Omega/-cm, the loss is sufficiently low to perform efficient interconnection of devices on a common substrate and is considered even suitable for other components such as directional couplers and hybrids where extremely high Q is not required.     

Measurement-based closed-form modeling of surface-mounted RF components

An understanding of the parasitic and packaging effects of passive surface-mounted devices (SMDs), including characterization of the pertinent interconnects, is required for developing robust equivalent-circuit models that are useful in RF and microwave computer-aided design. In this paper, we develop a procedure for modeling SMD inductors and capacitors, which incorporates the nonideal behavior associated with frequency dispersion, board layout, component parasitics, and device packaging. The equivalent-circuit parameters are extracted in closed-form from accurate in-situ measurement of the component's S-parameters, without the necessity for cumbersome optimization procedures normally followed in RF equivalent-circuit synthesis.