高固相含量Si3N4浆料的研究（II）——浆料的流变特性

研究了分散剂对纯氮化硅及氮化硅和助烧结剂（氧化铝及氧化钇）多元粉料高固相含量浆料（大于５０％）流变性的影响。根据胶体特性的研究结果，选取Ａｌ（ＯＨ）３溶胶及柠檬酸铵改善高固相含量浆料的流变特性，得到适用于直接凝固注模成型的高固相体积分数、低粘度氮化硅浆料。此外，还研究了固相体积分数对浆料粘度及流变性的影响。     

SiC和Si3N4纳米颗粒分散中的介质因素

本文以水和乙醇为介质分别对纳米SiC和Si3N4进行分散实验,以聚乙二醇和两种分子量不同的聚甲基丙烯酸铵（PMAA－NH4）作分散剂,通过沉降实验,研究纳米颗粒的分散效果和介质的关系。     

高固相含量Si3N4浆料的研究（Ⅰ）——分散剂对Si3N4及助烧结剂胶体…

本工作以制备适用于直接凝固注模成型等胶态成型方法的高固相含量低粘度的浆料为目的，研究了氮化硅及助烧结剂的胶体特性。研究采用Ａｌ（ＯＨ）３溶胶及柠檬酸铵作为分散剂，分别改善氮化硅及助烧结剂氧化铝和氧化钇的胶体特性，使氮化硅，氧化铝及氧化钇在水中具有相似的胶体特性，并在适用于ＤＣＣ成型的ｐＨ值范围为９０１０具有最大ＥＳＡ值。     

高固含量氮化硅浆料的制备工艺

本文通过沉降,Ｚｅｔａ电位的测定以及流变测量的方法研究了制备高固体含量氮化硅浆产的工艺条件,结果发现：Ｓｉ３Ｎ４悬浮粒子的等电点在ｐＨ＝４．２其最大的Ｚｅｔａ电位在ｐＨ＝１１附近,分散剂的引入有效地提高悬浮粒子的Ｚｅｔａ电位,改善浆料的分散性,最佳分散剂用量在１．０－１．２ｗｔ％之间,并且,最佳分散性的用量不随浆料固含量的变化而改变,球磨８ｈ已能获得较好的流动性,进一步延长球磨时间并不能有效的改善     

高纯Si3N4微细粉合成工艺的最新进展

对近１０年来国外研究Ｓｉ３Ｎ４微细粉的合成和应用情况作了评述，并对挑选适合户要求的工艺流程问题谈了作者的观点。     

Si3N4陶瓷注射成形研究进展

氮化硅陶瓷具有高强度、高硬度、耐高温、耐腐蚀、导热性好、摩擦系数小、热膨胀系数小、抗热震性好等优点,是耐高温、耐磨的理想结构材料之一。由于氮化硅硬度大．难以用传统的加工方法进行加工,限制了其在一些领域的广泛应用。陶瓷注射成形的出现为氮化硅陶瓷再添生机,氮化硅注射成形不仅可净尺寸成形各种形状复杂的异形件．而且成形产品具有较高的表面光洁度和尺寸精度。本文较详细介绍了陶瓷注射成形的工艺过程及Si3N4陶瓷注射成的研究讲展．最后对Si3N4陶脊沣射成形枯术讲行了展望．     

稳定的α—Al2O3注浆料的制备

用正交法试验法研究了α－Ａｌ２Ｏ３注浆料的稳定性。实验表明县浮料液的ＰＨ值，分散剂ＰＡＡ，阿拉伯树胶及电解质等的浓度对料浆的稳定性均有影响。当料浆ＰＨ值为８．８，ＰＡＡ浓度为０．２ｗｔ％ＮａＣｌ浓度为２０毫克当量／百克氧化铝，阿拉伯树胶浓度为１．０ｗｔ时，可配制固相浓度达５０ｖｏｌ％的稳定性良好的     

高固相含量Si3N4浆料的研究（Ⅱ）——浆料的流变特性

研究了分散剂对纯氮化硅及氮化硅和助烧结剂（氧化铝及氧化钇）多元粉料高固相含量浆料（大于５０％）流变性的影响。根据胶体特性的研究结果，选取Ａｌ（ＯＨ）３溶胶及柠檬酸铵改善高固相含量浆料的流变特性，得到适用于直接凝固注模成型的高固相体积分数、低粘度氮化硅浆料。此外，还研究了固相体积分数对浆料粘度及流变性的影响     

Si3N4—SiC材料的生产与应用

本文通过对氮化硅结合碳化硅窑具材料生产的介绍,阐述了生产工艺流程、生产工艺原理,同时综述了氮化硅结合碳化硅窑具材料近几年在国内、欧洲及世界的世界的使用情况,作为现代窑具的替代产品,Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ具有较强的生命力。     

Si3N4／Si3N4陶瓷连接的研究进展

连接技术是Ｓｉ３Ｎ４陶瓷实用过程中必须解决的难题之一。本文综述了Ｓｉ３Ｎ４／Ｓｉ３Ｎ４陶瓷连接的研究现状以及不同连接工艺对连接强度的影响。     

气压烧结Si3N4球应用研究

以实际应用和批量生产为目标,采用GPS法对Si_3N_4球的烧结进行了研究。性能测试表明GPS法烧结的Si_3N_4球致密度高、材质均匀、韧性好。装配轴承实用考核使用寿命达2300小时,为金属轴承寿命的3倍多。     

利用铁尾矿合成Si3N4粉

在热力学分析的基础上,以铁尾矿为主要原料,采用碳热还原氮化法合成了Si3N4粉. 研究了合成温度和N2流量对反应过程的影响,利用X射线衍射法、扫描电镜等检测了产物的组成及显微结构. 结果表明,随着合成温度的升高,产物中Si3N4相增多,1450℃时Si3N4相最多,且晶粒多呈等轴柱状或短棒状,此温度是最佳的合成温度. N2流量增加有利于还原氮化反应进行,600 mL/min较适宜. 合成过程中SiO气体的挥发导致试样质量损失较大.     

纳米Si3N4—SiC复相陶瓷显微结构

本文系统地研究了纳米Si_3N_4-SiC复相陶瓷显微结构,观测了纳米Si_3N_4-SiC复相陶瓷中Si_3N_4、SiC粒子晶粒尺寸,研究了复合在Si_3N_4晶粒内和晶界上的SiC粒子分布情况及Si_3N_4与SiC、Si_3N_4间的相界面。     

Si3O4基陶瓷材料高温腐蚀的动力学研究

本文采用静态腐蚀法,用煤灰及K_2SO_4作腐蚀介质,对三种Si_3N_4基材料在高温下的腐蚀过程进行了研究。结果表明:材料在不同温度下的腐蚀动力学过程不同;在1350℃时,符合中心收缩模型:1-(1-α)~(1/3)=kt;在1400℃时,则为α=kt~2。且材料不同。其腐蚀的表观速度常数亦不相同。     

Si_3N_4对导电BN蒸发舟性能影响

本文通过对ＢＮ－ＴｉＢ２ 基导电蒸发舟中添加一定量的Ｓｉ３Ｎ４,研究了Ｓｉ３Ｎ４对导电蒸发舟电性能、耐腐蚀性能的影响。研究表明,添加适量Ｂｉ３Ｎ４ 能够在保持电性能良好的基础上,大大提高导电蒸发舟的耐腐蚀性,从而延长了其使用寿命。     

氮化硅对烧成铝炭耐火材料的性能研究

通过在铝炭耐火材料中引入氮化硅及很细的铝粉,在埋碳烧成过程中氮化硅与碳或与铝反应生成少量赛隆相及碳化硅。适当引入氮化硅,降低了铝炭砖的氧化失重率,提高了其抗脱磷剂侵蚀的能力及砖的抗氧化性能。     

Si3N4基陶瓷热腐蚀研究现状及进展

本文针对Ｓｉ３Ｎ４基陶瓷材料作为高温结构材料使用的不同环境，首先讨论了Ｓｉ３Ｎ４陶瓷在高温下氧化，继而讨论了Ｓｉ３Ｎ４陶瓷在熔融盐（钠盐或钾盐）中的腐蚀研究现状。本文最后指出了腐蚀研究中存在的问题，提出了今后应进行了研究方向。     

Si_3N_4结合SiC窑具材料抗氧化涂层的研究

本文针对Si_3N_4结合SiC窑具材料在900—1100℃易氧化的特点,研制了该材料的抗氧化涂层,并用试验验证了涂层的抗氧化性能。结果表明:抗氧化涂层的抗氧化效果十分显著,具有很好的推广价值。     

Si_3N_4陶瓷材料的氧化行为及其抗氧化研究

研究了Si3N4陶瓷材料的氧化行为 ,同时探讨了通过表面处理使Si3N4陶瓷材料表面形成一层Si2 N2 O对其抗氧化性能的影响。实验结果表明 ,Si3N4陶瓷材料在空气中的氧化行为服从抛物线规律。另外 ,用X射线衍射分析 (XRD)和X光电子能谱 (XPS)分析验证了Si2 N2 O层的存在。由于形成了Si2 N2 O层 ,Si3N4陶瓷材料在 130 0℃下氧化 10 0h后 ,氧化增重从原来的 0 .4 2mg/cm2 降低到 0 .2 4mg/cm2 ,其抗氧化性能有了明显的提高。同时 ,表面处理后Si3N4陶瓷材料的强度也有一定的提高 ,其中室温强度从原来的62 1MPa提高到 662MPa。     

自韧Si3N4陶瓷的高温性能特征

研究了自韧Si_3N_4的高温力学性能、氧化行为和抗热震性能。结果表明,晶界玻璃相对高温性能有重要影响,在室温～1350℃的范围内,自韧Si_3N_4的抗弯强度随温度的升高而降低,断裂韧性随温度的升高而增加;在1300～1350℃的温度范围内,自韧Si_3N_4的氧化符合抛物线规律,氧化过程主要由晶界处添加剂离子和杂质离子的扩散过程控制。由于热应力导致裂纹的产生和扩展,使得热震后材料的性能降低。