某些稀土离子对电沉积 CdTe 薄膜性能影响的研究

ＣｄＴｅ薄膜半导体电极通过电沉积法制备。电沉积溶液组成对ＣｄＴｅ薄膜组成和性能有较大影响，通过在电镀液中添加某些稀土离子，结合ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＸＰＳ和光电Ｉ－Ｖ特性曲线进行分析研究，表明电沉积ＣｄＴｅ薄膜存在择优取向，经２５０℃热处理后，晶粒长大，镀液中添加Ｙ３＋、Ｌａ３＋、Ｃｅ３＋和Ｎｄ３＋后增大尤为明显，晶粒线性尺寸最大达２．５—３．０×１０－７ｍ左右，并伴有孪晶产生，可提高薄膜Ｃｄ／Ｔｅ比等，有利于提高ＣｄＴｅ光电性能。经测试，其光电转换效率可增大到２．６—３．３％。     

某些稀土离子对电沉积CdTd薄膜性能影响的研究

ＣｄＴｅ薄膜半导体电极通过电沉积法制备。电沉积溶液组成对ＣｄＴｅ薄膜组成和性能有较大影响，通过在电镀液中添加某些稀土离子，结合ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＸＰＳ和光电Ｉ－Ｖ特性曲线进行分析研究，表明电沉积ＣｄＴｅ薄膜存在择优取向，经２５０℃热处理后，晶粒长大，镀液中添加Ｙ＾３＋、Ｌａ＾３＋、Ｃｅ＾３＋和Ｎｄ＾３＋后增大尤为明显，晶粒线性尺寸最大达２．５－３．０×１０＾－７ｍ左右，并伴有孪晶产生，可提高薄膜Ｃｄ     

CdS／CdTe—CdS／Cu2S异质二重结薄膜太阳电池的设计与计算

根据半导体材料的性能参数，考虑光电压Ｖ和耗尽区宽度Ｗ的变化对光电流ＪＬ的影响，较严格地计算了ＣｄＳ／ＣｄＴｅ和ＣｄＳ／Ｃｕ２Ｓ两种异质结单晶薄膜太阳电池的光优特性曲线。然后在Ｊ＾ⅠＳＣ＝Ｊ＾ⅡＳＣ的条件下，以由上述两种异质结构成的二重结太阳电池的ＣｄＴｅ，Ｃｕ２Ｓ厚度进行匹配，计算各种组合下二重结太阳电光伏特性曲线。理论证明最佳匹配厚度Ｈｍａｘ约为９．０６μｍ，最大短路电流、开路电压、转移效率分别     

阴极恒电位法电沉积SnS薄膜的性能研究

在溶液的pH=2.7,离子浓度比[Sn2 ]/[S2O32-]=1/5的条件下,通过调节沉积电位在-0.60~1.10V(vsSCE),在ITO导电玻璃基片上电沉积SnS膜层。实验表明:沉积电位在-0.72~-0.75V(vs SCE)范围内时,制备出的SnS薄膜的Sn和S的化学配比非常接近1∶1的理想值。用X射线衍射分析其物相结构,结果表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜。用扫描电镜观察该薄膜的表面形貌,发现该薄膜颗粒较细,均匀性较好。通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.31eV,与SnS体材的带隙(1.3eV)非常接近。该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-3Ω.cm。     

CdS／CdTe－CdS／Cu_2S异质二重结薄膜太阳电池的设计与计算

根据半导体材料的性能参数，考虑光电压Ｖ和耗尽区宽度Ｗ的变化对光电流ＪＬ的影响，较严格地计算了ＣｄＳ／ＣｄＴｅ和ＣｄＳ／Ｃｕ２Ｓ两种异质结单晶薄膜太阳电池的光伏特性曲线。然后在的条件下，对由上述两种异质结构成的二重结太阳电池的ＣｄＴｅ、Ｃｕ２Ｓ厚度进行匹配，计算各种组合下二重结太阳电池的光伏特性曲线。理论证明最佳匹配厚度Ｈｍａｘ约为９．０６μｍ，最大短路电流、开路电压、转换效率分别为１４．２２ｍＡｃｍ－２、１．３Ｖ和１４、６８％。     

电化学沉积GaAs薄膜的实验和理论分析

通过物理和化学的理论分析及实验研究，阐述了从简单无机盐溶液中采用电化学方法在SnO2导电玻璃氏材料上沉积原子化学计量比接近1：1的GaAs薄膜过程中所受的各种工艺条件制约和影响因素，从而获得最佳的沉积工艺条件。该研究方法有助于用电化学方法沉积化合物半导体薄膜材料及薄膜性能改善，为规模化生产的工艺条件设计和薄膜的应用提供了理论根据。     

电化学制备GaAs薄膜工艺及性能研究

在探讨电化学方法沉积GaAs薄膜的工艺原理、电化学动力学过程、电极反应本质及摸索电化学工艺条件对薄膜成分影响的经验规律的基础上，以SnO2导电玻璃作为阴极衬底材料，从简单盐水溶液中，按照确定的电共沉积的工艺条件成功地沉积了化学计量比趋近于1的GaAs薄膜。并对薄膜的性能进行了一些测定。实验结果表明采用电化学方法制备化合物半导体GaAs薄膜的可行性及薄膜性能质量改善提高的一些途径。为后续研究及最终获得可以利用的材料打下了基础。     

热处理气氛对Cd2SnO4透明导电膜化学态结构和电导率的影响

研究了热处理气氛对用无电沉积方法制备的Ｃｄ２ＳｎＯ４导电膜的化学态结构和导电率的影响。Ｘ射线光电子能谱和室温电阻率测量结果表明，以氢气为热处理气氛时，薄膜中的氧空位最高，导电性好，真空处理次之，以氧气为热处理气氛时，氧空位少，薄膜的导电性能差。     

ZAO/metal/ZAO透明导电薄膜的特性研究

采用磁控溅射设备在玻璃衬底上溅射ZAO／metal／ZAO(ZMZ)结构的多层膜。以Ag作为多层膜结构中的金属膜，测定了在不同Ag膜厚度下，多层膜系的透光率和方电阻，并根据膜系光学原理，对金属层两端的ZAO薄膜的厚度进行了优化设计，改善了多层膜系在可见光区内的光学特性。同时研究了不同衬底温度对多层膜系透光率计导电性能的影响。最终获得方电阻6．5Ω/□，最高透光率达86．14％左右的透明导电薄膜。     

薄膜太阳电池系列讲座（7）CIGS薄膜太阳电池(中)

二CIGS薄膜太阳电池的结构和原理CIGS薄膜太阳电池是一种异质结型化合物半导体多晶薄膜太阳电池.CIGS材料的导电原理有其本身的特点.缺陷态即结构的不完整性,决定着CIGS的导电率和导电类型.而结构的完整性又与制备工艺和元素配比的控制密切相关,这就决定了工艺的难度,也就成为研究的重心.